Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 оригінал ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ), TO-3P
329,00 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FQA16N50 – N-канальний польовий транзистор на 500 В і 16.5 А у корпусі TO-3P. Оригінал, не демонтаж. Може замінити FSA16N50, FDA16N50, 16N50.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (TC 25 °C) | 16.5 А |
| Струм стоку Id (TC 100 °C) | 9.9 А |
| Опір Rds(on) макс. | 380 мОм (Vgs 10 В, Id 8,3 А) |
| Потужність розсіювання Pd | 205 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FQA16N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P. Цифри нижче – за даташитом найближчої деталі FDA16N50-F109 (onsemi). Напруга Vds – 500 В при TC 25 °C. Струм стоку Id – 16.5 А при TC 25 °C і 9.9 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – не більше 380 мОм при Vgs 10 В, Id 8,3 А, TC 25 °C. Вхідна ємність Ciss типово 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 205 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Документ описує застосування в імпульсних перетворювачах, корекції коефіцієнта потужності (PFC), живленні плоских дисплеїв (FPD TV), ATX і баластах ламп.
Оригінал, не демонтаж. FQA16N50 може замінити FSA16N50, FDA16N50 і 16N50; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу (N), корпус TO-3P, Vds не нижче 500 В, Id і Rds(on) за однакових умов вимірювання. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
- Живлення плоских дисплеїв (FPD TV)
- ATX
- Баласти ламп
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FQA16N50 | той самий номер у назві, корпус TO-3P = TO-3P; за правилом класу: канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 16.5 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) макс. 0.38 ≤ 1.3×0.38 = 0.494 Ом при Vgs 10 В | У каталозі ця позиція – оригінал демонтаж. | Купити |
| 2SK2370 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) макс. 0.4 ≤ 1.3×0.38 = 0.494 Ом при Vgs 10 В, корпус TO-3P = TO-3P | Заряд затвора Qg більший більш ніж удвічі: перевірте драйвер. | Купити |
| CS2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) макс. 0.26 ≤ 1.3×0.38 = 0.494 Ом при Vgs 10 В, корпус TO-3P = TO-3P | Заряд затвора Qg більший більш ніж удвічі: перевірте драйвер. | Купити |
| FHA20N60 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) макс. 0.4 ≤ 1.3×0.38 = 0.494 Ом при Vgs 10 В, корпус TO-3P = TO-3P | Vds вищий (600 В). | Купити |
| FSW25N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×16.5 = 13.2, Rds(on) макс. 0.26 ≤ 1.3×0.38 = 0.494 Ом при Vgs 10 В, корпус TO-3P = TO-3P | Заряд затвора Qg більший більш ніж удвічі: перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що може замінити FQA16N50?
У нашому каталозі в корпусі TO-3P є кілька позицій з тим самим каналом і Vds не нижче 500 В: вони наведені в таблиці аналогів. Id і Rds(on) порівнюйте за однакових умов. Перед заміною порівняйте datasheet.
Чи можна FQA16N50 поставити замість FDA16N50?
FQA16N50 може замінити FDA16N50, але зворотна заміна не завжди можлива. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet: параметри вище взято з документа на FDA16N50-F109, тому точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Як перевірити FQA16N50 мультиметром?
Виміряйте перехід затвор–витік і стік–витік у режимі діода. Справний транзистор не пропускає струм між стоком і витоком, поки на затворі немає напруги.
Найближчий datasheet: FDA16N50-F109 (onsemi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IXTQ50N25T оригінал демонтаж(250V,50A) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Trench Gate |
| Напруга Vdss | 250 В |
| Струм Id25 (Tc 25 °C) | 50 А |
| Rds(on) | 60 мОм (макс.) при Vgs 10 В |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В при Id 1 мА |
| Заряд затвора Qg(on) | 78 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 400 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.