Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S80N10R оригінал, TO220
143,82 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
S80N10R – N-канальний польовий транзистор SI-TECH в корпусі TO-220: 80 В, 100 А при 25 °C. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Струм Id (TC=25 °C) | 100 А |
| Струм Id (TC=100 °C) | 63 А |
| Опір Rds(on) | 6.3 мОм тип., 7.6 мОм макс. (VGS=10 В, ID=40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 160 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±25 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
S80N10R – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) виробництва SI-TECH в корпусі TO-220. Напруга Vds – 80 В (VGS=0 В, ID=250 мкА). Струм стоку Id – 100 А при TC=25 °C і 63 А при TC=100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 6.3 мОм типово і 7.6 мОм максимум при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.4–3.6 В (VGS=VDS, ID=250 мкА). Заряд затвора Qg – 56 нКл (VDD=60 В, VGS=10 В, ID=40 А). Вхідна ємність Ciss типово 3056 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 160 Вт при TC=25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C, напруга затвор-витік ±25 В.
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу, напругу Vds, струм Id і опір Rds(on) при однакових умовах вимірювання, а також корпус і розпіновку. Якщо в заміни заряд затвора значно більший, перевірте, чи впорається драйвер. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами постійного струму
- DC-DC перетворювачі
- Системи керування акумуляторами (BMS)
- Імпульсні джерела живлення
- Автомобільна електроніка
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×7.6=9.88 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за даташитом. | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 8 ≤ 1.3×7.6=9.88 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Rds(on) вищий, ніж у S80N10R (7.6 мОм макс.): трохи більше нагріву при тому ж струмі. | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 5.2 ≤ 1.3×7.6=9.88 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Драйвер: заряд затвора вдвічі більший, перевірте керування затвором. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×7.6=9.88 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте розпіновку за даташитом. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100=80, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×7.6=9.88 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Драйвер: заряд затвора вдвічі більший, перевірте керування затвором. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити S80N10R?
Підійде N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В, струмом Id, порівнянним зі 100 А, та опором Rds(on), близьким до 7.6 мОм при VGS=10 В. Позиції з нашого каталогу наведено в таблиці аналогів на сторінці.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів: між стоком і витоком має бути діод тіла, а між затвором і іншими виводами – обрив. Для точної перевірки порівняйте параметри з даташитом.
Яка напруга потрібна на затворі S80N10R?
Rds(on) 7.6 мОм максимум задано при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.4–3.6 В, напруга затвор-витік не більше ±25 В.
Документація виробника: S80N10R (SI-TECH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.