Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NGD8201AG оригінал ( NGD8201 , 8201AG ), DPAK
164,50 ₴
23 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
23 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NGD8201AG (NGD8201, 8201AG) – IGBT-транзистор onsemi для систем запалювання у корпусі DPAK, оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | IGBT запалювання, N-канал, логічний рівень |
| Напруга Vces | 440 В (макс., TJ 25 °C) |
| Струм Ic | 20 А (TC 25 °C, безперервний); 50 А імпульсний |
| Vce(on) | 1,3 В (IC 10 А, VGE ≥ 4,5 В) |
| Потужність Pd | 125 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| ESD (HBM) | 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
NGD8201AG (також NGD8201, 8201AG) – N-канальний IGBT onsemi логічного рівня, призначений для запалювання (Ignition IGBT). За даташитом найближчої деталі NGD8201ANT4G (onsemi): напруга колектор–емітер Vces – 440 В (максимально допустиме значення, TJ 25 °C). Безперервний струм колектора Ic – 20 А при TC 25 °C, імпульсний – 50 А. Напруга насичення Vce(on) – 1,3 В при IC 10 А, VGE не менше 4,5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 10 кГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Захист від ESD (HBM) – 8 кВ (R 1500 Ом, C 100 пФ). Корпус DPAK.
Стан: оригінал, не демонтаж. Виробник у документі наводить споріднені версії NGD8201N та NGD8201AN; перед заміною порівняйте їх із вашою схемою за datasheet. Відправка в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі.
Де застосовують
- Системи запалювання (Ignition), прямого впорскування палива
- Драйвери індуктивних котушок, Coil-on-Plug і Driver-on-Coil
Чим замінити NGD8201AG?
У нашому каталозі підходящих аналогів зараз немає. Споріднені версії за документом виробника – NGD8201N та NGD8201AN; параметри на сторінці взято з даташиту найближчої деталі, тому точну сумісність звіряйте за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого використовують NGD8201AG?
Для систем запалювання: драйвери індуктивних котушок, схеми Coil-on-Plug і Driver-on-Coil.
Чи є в NGD8201AG захист від ESD?
За даташитом найближчої деталі, захист від ESD (HBM) – 8 кВ при R 1500 Ом, C 100 пФ.
Найближчий datasheet: NGD8201ANT4G (onsemi).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.