Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IRFP32N50K оригінал демонтаж, TO247
141,00 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRFP32N50K – N-канальний польовий транзистор International Rectifier у корпусі TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | International Rectifier |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vds | 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 32 А (Vgs 10 В) |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 20 А (Vgs 10 В) |
| Rds(on), Vgs 10 В | 0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Id 32 А, Tj 25 °C |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 190 нКл макс. (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 460 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| trr діода | 530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс |
| Вбудований діод | є, Vsd макс. 1.5 В (Is 32 А, Vgs 0 В) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRFP32N50K – N-канальний MOSFET (HEXFET) виробництва International Rectifier у корпусі TO-247AC. Напруга Vds – 500 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА). Струм стоку Id – 32 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C (Vgs 10 В). Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.135 Ом (тип.), 0.16 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 32 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 3.0–5.0 В. Заряд затвора Qg – до 190 нКл (Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В). Вхідна ємність Ciss типово 5280 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність – 460 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вбудований діод є: Vsd до 1.5 В при Is 32 А; trr 530 нс (тип.), 800 нс (макс.) при If 32 А, di/dt 100 А/мкс.
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни порівнюйте канал, Vds, Id та Rds(on) при однакових умовах, а також корпус і розпіновку. Якщо у заміни інший заряд затвора, перевірте драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS).
- Джерела безперебійного живлення.
- Швидкісне силове перемикання, жорстке перемикання на високій частоті.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IXFH30N50P | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 30 ≥ 0.8×32=25.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.165 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Заряд затвора Qg порівняйте за даташитом, перевірте драйвер. | Купити |
| 60R060P7 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 48 ≥ 0.8×32=25.6, Rds(on) Vgs 10 В max 0.06 ≤ 1.3×0.16=0.208, корпус TO-247 = TO-247 | Технологія CoolMOS інша, перевірте драйвер затвора. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRFP32N50K?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-247 з Vds не нижче 500 В, Id близьким до 32 А при Tc 25 °C та Rds(on) близьким до 0.16 Ом при Vgs 10 В. У каталозі є IXFH30N50P та 60R060P7, які проходять це правило; перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити такий транзистор?
Мультиметром у режимі діода перевірте внутрішній діод між витоком і стоком, а також відсутність короткого замикання між затвором, стоком і витоком.
Яке значення Qg у IRFP32N50K?
Qg – до 190 нКл при Id 32 А, Vds 400 В, Vgs 10 В. Драйвер має заряджати такий затвор достатньо швидко.
Документація виробника: IRFP32N50K (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор HY4008P ( HY4008 , HY4008NA2P ) оригінал (80V,200A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N (режим збагачення) |
| Напруга Vds | 80 В (TC 25 °C) |
| Струм стоку Id | 200 А (TC 25 °C), 144 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 2.9 мОм тип., 3.5 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, IDS = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 197 нКл (VDS = 64 В, VGS = 10 В, IDS = 100 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 8154 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 345 Вт (TC 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.