Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

Транзистор H30SR5 ( IHW30N160R5 ) оригінал, TO-247

345,92 ₴

2 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

2 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

H30SR5 (IHW30N160R5) – IGBT-транзистор Infineon на 1600 В зі зворотним діодом у корпусі TO-247. Оригінал, не демонтаж.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vce1600 В (Tvj 25 °C)
Струм колектора Ic60 А при TC 25 °C, 39 А при TC 100 °C
Напруга насичення Vce(sat)1.85 В типово, макс. 2,15 В (Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C)
Заряд затвора Qg205 нКл типово (Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В)
Вхідна ємність Cies1500 пФ
Вбудований діодє, монолітний зворотний (reverse conducting)
Потужність розсіювання Ptot263 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tvj175 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon
СтанОригінал
Опис

H30SR5 (IHW30N160R5) – IGBT-транзистор Infineon у корпусі PG-TO247-3 з монолітним зворотним діодом (reverse conducting). Напруга колектор–емітер Vce – 1600 В при Tvj 25 °C. Струм колектора Ic – 60 А при TC 25 °C і 39 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.85 В типово (макс. 2,15 В) при Vge 15 В, Ic 30 А, Tvj 25 °C; при 175 °C – 2.40 В. Заряд затвора Qg – 205 нКл типово при Vcc 1280 В, Ic 30 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ. Втрати вимкнення Eoff – 2.00 мДж при Tvj 25 °C, Vcc 600 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом. Потужність розсіювання Ptot – 263 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C.

Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте напругу Vce, струм Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність вбудованого діода, корпус і заряд затвора. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, склад у Запоріжжі.

Де застосовують

  • Індукційні плити
  • Мікрохвильові печі (резонансне перемикання, серія Resonant Switching)
Часто питають
Чим замінити H30SR5?

Підбирайте IGBT із зворотним діодом на 1600 В або вище, у корпусі TO-247, з близьким струмом при 100 °C. Перед заміною порівняйте datasheet, особливо для резонансних схем.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Для яких пристроїв підходить H30SR5?

Виробник призначає серію для індукційних плит та мікрохвильових печей, де використовується резонансне перемикання.

Чи є в H30SR5 вбудований діод?

Так, монолітний зворотний діод: Vf 2.00 В типово (макс. 2,30 В) при If 30 А, Tvj 25 °C.

Datasheet

Документація виробника: IHW30N160R5 (Infineon).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IHW30N160R5 (Infineon) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)20 А
Струм Ic (25 °C)35 А (розрахунок за формулою виробника)
Імпульсний струм Icp75 А
Vce(sat)2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C)
Потужність Ptot125 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
СтанОригінал

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.