Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
| Стан | Оригінал |
STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)
164,50 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STFI40N60M2 (40N60M2) – N-канальний MOSFET STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі I2PAKFP (TO-281) для імпульсних і резонансних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | від -55 до 150 °C |
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
STFI40N60M2 (40N60M2) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics серії MDmesh M2 у корпусі I2PAKFP (TO-281). За даташитом DocID026364 Rev 2 напруга Vds становить 600 В (V(BR)DSS при VGS = 0, ID = 1 мА; 650 В при TJmax), струм стоку Id – 34 А при TC = 25 °C і 22 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – до 0,088 Ом при VGS = 10 В і ID = 17 А (тип. 0,078 Ом). Порогова напруга Vgs(th) – 2–4 В при VDS = VGS і ID = 250 мкА (тип. 3 В). Заряд затвора Qg – 57 нКл (тип.) при VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц). Температура переходу від -55 до 150 °C. Є Zener-захист і 100 % перевірка на лавинний пробій.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте корпус і розпіновку, Vds, Id, Rds(on) та заряд затвора, щоб драйвер справлявся з навантаженням. За даними виробника, прямі заміни – STF40N60M2 та STFW40N60M2; їх перевіряйте за даташитом. Застосування: імпульсні перетворювачі, LLC та резонансні перетворювачі.
Де застосовують
- Імпульсні перетворювачі
- LLC та резонансні перетворювачі
Чим замінити STFI40N60M2?
За даними виробника, прямі заміни – STF40N60M2 та STFW40N60M2. Перед заміною порівняйте корпус, Vds, Id, Rds(on) і заряд затвора за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити MOSFET перед установкою?
Тестером перевірте відсутність пробою між виводами. Далі перевірте відкривання напругою VGS = 10 В у схемі з обмеженням струму.
Що означає Zener-захист у STFI40N60M2?
За даташитом, у транзистора є Zener-захист і 100 % перевірка на лавинний пробій.
Документація виробника: STFI40N60M2 (STMicroelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.