Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор IRG4PC50KD ( G4PC50KD ) оригінал демонтаж б/в, TO247
235,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG4PC50KD – IGBT-транзистор International Rectifier (Infineon) 600 В з антипаралельним діодом, TO-247AC. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (TC 25 °C) | 52 А |
| Струм колектора Ic (TC 100 °C) | 30 А |
| Напруга насичення Vce(on) | 1.84 В (typ., Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час спаду tf | 95 нс (typ., Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C) |
| Вбудований діод | є (HEXFRED) |
| Потужність розсіювання Pd | 200 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRG4PC50KD – IGBT-транзистор International Rectifier (Infineon) у корпусі TO-247AC з вбудованим антипаралельним швидким діодом HEXFRED. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 52 А при TC 25 °C і 30 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(on) – 1.84 В типово (Ic 30 А, Vge 15 В, Tj 25 °C). Час спаду tf – 95 нс типово (Ic 30 А, Vcc 480 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, Tj 25 °C). Транзистор витримує коротке замикання 10 мкс (Vcc 360 В, Vge 15 В, Rg 10 Ом, Tj 125 °C). Вхідна ємність Cies типово 3200 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 200 Вт при TC 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Діод: Vfm 1.3 В типово (If 25 А, Tj 25 °C), trr 50 нс типово.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(on), наявність діода і корпус TO-247AC. Пряма заміна за даними виробника: IRG4PC50KDPBF. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Мостові схеми з IGBT на частотах понад 5 кГц
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRG4PC50UD | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 27 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.84=2.39, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Перевірте datasheet: витримка короткого замикання й частотні властивості можуть відрізнятися. | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.84=2.39, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Інша технологія й заряд затвора: перевірте драйвер. | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×30=24, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.84=2.39, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 | Інша технологія й заряд затвора: перевірте драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRG4PC50KD?
За даними виробника пряма заміна – IRG4PC50KDPBF. З нашого каталогу підходять IGBT на 600 В і вище, з діодом і корпусом TO-247 та близьким струмом при 100 °C; приклади – у таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в IRG4PC50KD вбудований діод?
Так, антипаралельний швидкий діод HEXFRED з м’яким відновленням: Vfm 1.3 В типово (If 25 А, Tj 25 °C), trr 50 нс типово.
На яких частотах працює IRG4PC50KD?
За документом виробника – у мостових схемах на частотах понад 5 кГц. Транзистор витримує коротке замикання 10 мкс при Tj 125 °C.
Документація виробника: IRG4PC50KD (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.