Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор IGW15T120F оригінал демонтаж б/в ( заміна для IGW15T120CR ) , TO-3P

345,92 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGW15T120F – IGBT-транзистор на 1200 В з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-3P

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникIPS
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (Tc 100 °C)15 А
Vce(sat) тип. (Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C)2.0 В
Потужність Pd (Tc 25 °C)160 Вт
Вхідна ємність Cies2485 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IGW15T120F – IGBT-транзистор виробництва IPS у корпусі TO-3P, використовується в силових ключах індукційних плит (IH). Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В при Vge 0 В, Ic 250 мкА. Струм колектора Ic – 15 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В (тип., макс. 2.5 В) при Ic 15 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 160 Вт при Tc 25 °C (65 Вт при Tc 100 °C), максимальна температура переходу – 150 °C. Усередині є діод: Vf – 1.7 В (тип.) при If 15 А, trr – 253 нс при If 15 А, dIf/dt 200 А/мкс. Заряд затвора Qg – 92 нКл при Vce 600 В, Ic 15 А, Vge 15 В, час спаду tf – 93 нс при Rg 10 Ом. Вхідна ємність Cies типово 2485 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. IGW15T120F може замінити IGW15T120CR, але зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Шукаючи інші заміни, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), діод і корпус TO-3P. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Силові ключі в схемах індукційних плит (IH)
Часто питають
Чим замінити IGW15T120F?

Шукайте IGBT з напругою Vces не нижче 1200 В, достатнім струмом Ic при 100 °C, порівнянною Vce(sat) і діодом у корпусі TO-3P. У нашому каталозі підходящих кандидатів зараз немає.

Чи можна ставити IGW15T120F замість IGW15T120CR?

Так, IGW15T120F може замінити IGW15T120CR. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Для чого використовують IGW15T120F?

За даними документа – як силовий ключ у схемах індукційних плит (IH).

Datasheet

Документація виробника: IGW15T120F (IPS).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IGW15T120F (IPS) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.