Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор DHG50T65D ( G50T65D ) оригінал , TO-3P
216,20 ₴
16 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
16 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
DHG50T65D (G50T65D) – IGBT-транзистор Jiangsu Donghai Semiconductor із вбудованим діодом у корпусі TO-3P, оригінал. Для зварювання та ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jiangsu Donghai Semiconductor |
| Тип | IGBT FS Trench із діодом |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic | 100 А (Tj = 25 °C); 50 А (Tj = 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип., VCE = 520 В, IC = 50 А) |
| Вхідна ємність Cies | 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 320 Вт (Tj = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
DHG50T65D (маркування G50T65D) – IGBT-транзистор Jiangsu Donghai Semiconductor, технологія FS Trench, діод у корпусі. Напруга колектор–емітер Vces – 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА, мінімум). Струм колектора Ic – 100 А при Tj = 25 °C і 50 А при Tj = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 2,0 В при VGE = 15 В, IC = 50 А, Tj 25 °C (максимум 2,5 В). Заряд затвора Qg – 86 нКл (типово, VCE = 520 В, IC = 50 А). Вхідна ємність Cies типово 2528 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 320 Вт при Tj = 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Документ виробника позначає корпус TO-3PN, у назві товару – TO-3P.
Стан: оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте Vces (не нижче 650 В), Ic при 100 °C, Vce(sat) при тому самому струмі, наявність діода та корпус TO-3P. Відправка в день оплати або наступного дня Новою поштою зі складу у Запоріжжі.
Де застосовують
- Зварювання
- Джерела безперебійного живлення
- Трирівневі інвертори
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| MGF65A4H | Vces 650 ≥ 650, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×50=40, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.9 ≤ 1.3×2=2.6, діод є в обох, корпус TO-3P = TO-3P | Ic при 100 °C на межі правила; діод є в обох, звірте режим за datasheet. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити DHG50T65D?
У каталозі є MGF65A4H в тому самому корпусі TO-3P: Vces 650 В, Ic при 100 °C 40 А, діод є в обох. Його струм при 100 °C трохи менший, тому звірте режим роботи за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у DHG50T65D вбудований діод?
Так. Його VF типово 1,7 В при IF = 20 А, Tj 25 °C, trr типово 124 нс при di/dt = 100 А/мкс.
Чи витримує DHG50T65D коротке замикання?
За документом, час короткого замикання – 6 мкс при VGE = 15 В, VCC = 400 В, Tj 150 °C.
Документація виробника: G50T65D (WXDH).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.