Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTW20N50A оригінал (заміна для SW20N50 , PTW20N50A , 20N50P , FSA20N50 , FDA20N50 , A20N50SE , WGA20N50SE , CMA20N50 , CS20N50 , BR20N50 , HA20N50 , 20N50ANH , 20N50 ) , TO-3P
282,00 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FTW20N50A – N-канальний польовий транзистор InPower Semiconductor в корпусі TO-3P. Оригінал; може замінити SW20N50, PTW20N50A, 20N50P та інші.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | InPower Semiconductor |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 12 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А, типове) | 0.26 Ом |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C) | 230 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FTW20N50A – N-канальний MOSFET виробництва InPower Semiconductor, корпус TO-3P. Напруга Vds – 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА). Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 12 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 0.26 Ом, максимум 0.3 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Розсіювана потужність Pd – 230 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Вхідна ємність Ciss типово 4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не демонтаж. FTW20N50A може замінити SW20N50, PTW20N50A, 20N50P, FSA20N50, FDA20N50, A20N50SE, WGA20N50SE, CMA20N50, CS20N50, BR20N50, HA20N50, 20N50ANH, 20N50. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключі в електронних баластах і адаптерах
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| 2SK2370 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.32 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | демонтаж; Rds(on) трохи вищий | Купити |
| 2SK2837 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.21 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | демонтаж | Купити |
| FHA20N60 | канал N = N, Vds 600 ≥ 500, Id(25 °C) 20 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.32 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | Rds(on) трохи вищий | Купити |
| FHA24N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 24 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.17 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | перевірте умови керування затвором | Купити |
| FQA16N50 | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 16.5 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.31 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | демонтаж; запас по струму мінімальний | Купити |
| FSW25N50A | канал N = N, Vds 500 ≥ 500, Id(25 °C) 25 ≥ 0.8×20=16, Rds(on) Vgs 10 В typ 0.18 ≤ 1.3×0.26=0.338, корпус TO-3P = TO-3P | перевірте умови керування затвором | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити FTW20N50A?
У нашому каталозі є N-канальні MOSFET у корпусі TO-3P, що проходять за параметрами: 2SK2370, 2SK2837, FHA20N60, FHA24N50, FQA16N50, FSW25N50A. Умови порівняння – у таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Що може замінити FTW20N50A?
За назвою товару – SW20N50, PTW20N50A, 20N50P, FSA20N50, FDA20N50, A20N50SE, WGA20N50SE, CMA20N50, CS20N50, BR20N50, HA20N50, 20N50ANH, 20N50. Зворотна заміна не завжди можлива.
Який опір відкритого каналу?
Rds(on) типово 0.26 Ом, максимум 0.3 Ом при VGS = 10 В, ID = 10 А.
Документація виробника: FTW20N50A (IPS).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.