Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVG104R5NT ( 104R5NT ) оригінал, TO220
94,00 ₴
22 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
22 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
SVG104R5NT (104R5NT) – N-канальний польовий транзистор Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L для ДБЖ та інверторних систем. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку ID (25 °C) | 120 А |
| Струм стоку ID (100 °C) | 110 А |
| Опір Rds(on) | 3,6 мОм тип., макс. 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
SVG104R5NT (маркування 104R5NT) – N-канальний MOSFET виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-220-3L. Напруга Vds – 100 В при VGS = 0 В, ID = 250 мкА. Струм стоку ID – 120 А при TC = 25 °C і 110 А при TC = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,6 мОм (тип.; макс. 4,5 мОм) при VGS = 10 В, ID = 50 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В, максимальна напруга затвор–витік Vgs – ±20 В. Потужність розсіювання – 208 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Заряд затвора Qg – 114 нКл (тип.) при VDD = 50 В, VGS = 10 В, ID = 20 А. Вхідна ємність Ciss типово 7266 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц).
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте канал (N), Vds не нижче 100 В, струм стоку, Rds(on) при VGS = 10 В і корпус TO-220-3L; якщо заряд затвора заміни вдвічі більший, перевірте драйвер. Варіанти цієї серії за даними виробника: SVG104R5NS, SVG104R5NF, SVG104R5NKL. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- ДБЖ (UPS)
- Керування живленням в інверторних системах
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В typ 3.5 ≤ 1.3×3.6=4.68 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Порівняйте заряд затвора й схему керування за даташитом. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити SVG104R5NT?
У нашому каталозі є G042N10 (HYG042N10): той самий канал N, Vds 100 В, ID 160 А при 25 °C, корпус TO-220. Прямі заміни за даними виробника – SVG104R5NS, SVG104R5NF, SVG104R5NKL; корпус у них може відрізнятися, перевіряйте за даташитом.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який корпус і маркування?
Корпус TO-220-3L, на деталі маркування 104R5NT.
Який струм витримує транзистор?
ID – 120 А при TC = 25 °C і 110 А при TC = 100 °C. Це значення при заданій температурі корпусу; у схемі струм обмежують тепловідвід і режим роботи.
Документація виробника: SVG104R5NT (Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор 40N60FD2 оригінал( SGT40N60FD2 , 40N60FD , TGAN40N60FD , SGT40N60FD ), TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vce | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,8 В тип. / 2,7 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 4,0…6,5 В (тип. 5,0 В) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл |
| Вбудований діод (FRD), Vfm | 1,9 В тип. / 2,6 В макс. (If 20 А, Tc 25 °C) |
| Вбудований діод (FRD), Trr | 32 нс |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема ID7S625 ( ID7S625SBC-R1 ) оригінал, SOIC-16(W)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Призначення | високовольтний швидкий драйвер MOSFET і IGBT з незалежними каналами верхнього і нижнього ключа |
| Робоча напруга плаваючого каналу | до 600 В |
| Напруга живлення драйвера затвора | 10–20 В |
| Вихідний струм | 2,5 А (імпульсний струм короткого замикання виходу, джерело і стік) |
| Логічні входи | сумісні з 3,3 / 5 / 15 В |
| Захист | UVLO для обох каналів |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Виробник | Chipown |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 60R060P7 ( IPW60R060P7 ) оригінал демонтаж , TO247( 650V, 48A , 0.049R )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (CoolMOS P7) |
| Напруга Vds | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 1 мА); 650 В при Tj max |
| Струм стоку Id | 48 А (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 30 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.049 Ом тип., 0.060 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 15.9 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 3.0–4.0 В (тип. 3.5; Vds = Vgs, Id 0.8 мА) |
| Заряд затвора Qg | 67 нКл тип. (Vdd 400 В, Id 15.9 А, Vgs 0…10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2895 пФ (Vds 400 В, f 250 кГц) |
| Потужність Pd | 164 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.