Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор SW20N50D оригінал, TO220F

107,16 ₴

47 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

47 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

SW20N50D – оригінальний N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220F на 500 В. Струм стоку 20 А (TC = 25 °C), опір відкритого каналу до 0,25 Ом.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220F

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)20 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C)13 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 10 А)0,25 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs±30 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)42 Вт
Заряд затвора Qg82 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss4530 пФ (тип.)
Порогова напруга Vgs(th)2,5…4,5 В
Температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
СтанОригінал
Опис

SW20N50D – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-220F, оригінал. Напруга стік–витік Vdss 500 В (мінімум при VGS = 0 В і ID = 250 мкА). Струм стоку Id 20 А при TC = 25 °C (обмежено температурою переходу) і 13 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) типово 0,19 Ом, не більше 0,25 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А). Порогова напруга Vgs(th) від 2,5 до 4,5 В, напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg типово 82 нКл (VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А), вхідна ємність Ciss типово 4530 пФ (VDS = 25 В, f = 1 МГц). Розсіювана потужність Pd для корпусу TO-220F – 42 Вт (TC = 25 °C), тепловий опір перехід–корпус Rthjc 3,0 °C/Вт. Вбудований діод: пряма напруга Vsd не більше 1,4 В (IS = 20 А), час зворотного відновлення trr типово 473 нс (IS = 20 А, dIF/dt = 100 А/мкс). Температура переходу до 150 °C.

Стан: оригінал, не демонтаж. За даташитом такі транзистори застосовують у зарядних пристроях, адаптерах і LED-освітленні. Заміну підбирайте за тим самим каналом (N), корпусом TO-220F і розпіновкою: Vdss не нижче 500 В, струм стоку не нижче 20 А, Rds(on) не вище 0,25 Ом при VGS = 10 В. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • зарядні пристрої
  • адаптери
  • LED-освітлення
Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чим замінити SW20N50D?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220F з напругою стік–витік не нижче 500 В, струмом стоку не нижче 20 А і опором відкритого каналу не вище 0,25 Ом при VGS = 10 В. Перед заміною порівняйте datasheet.

Який заряд затвора і що це означає для драйвера?

Qg типово 82 нКл при VDS = 400 В, VGS = 10 В, ID = 20 А. Драйвер затвора має забезпечувати перезаряд на потрібній частоті.

Що відомо про вбудований діод?

Пряма напруга Vsd не більше 1,4 В при IS = 20 А і VGS = 0 В; час зворотного відновлення trr типово 473 нс при dIF/dt = 100 А/мкс.

Datasheet

Документація виробника: SW20N50D (Samwin).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

SW20N50D (Samwin) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Мікросхема IR2113S оригінал, so-16

В наявності

155,10 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon
Канали2 незалежні (верхній і нижній)
Макс. напруга верхнього плеча (IR2113)600 В
Вихідний струм2 / 2 А
Напруга живлення VCC10–20 В
Затримка вмикання ton120 нс (typ)
Затримка вимикання toff94 нс (typ)
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Транзистор G40T60AK3SD ( CRG40T60AK3SD ) оригінал, TO247

В наявності

250,04 ₴
ПараметрЗначення
ТипIGBT n-канал з діодом (Field Stop Trench)
ВиробникCRMICRO
Напруга Vces650 В
Струм Ic при 25 °C80 А
Струм Ic при 100 °C40 А
VCE(sat) тип.1,7 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C)
Заряд затвора Qg165 нКл
Вхідна ємність Cies2758 пФ (Vce 30 В)
Pd при 25 °C336 Вт
КорпусTO-247
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F

В наявності

188,00 ₴
ПараметрЗначення
Виробникonsemi (Fairchild)
Тип каналуN (UniFET)
Напруга Vds500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id16 А (температура не вказана)
Rds(on)0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А)
Vgs(th)3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
КорпусTO-220F
СтанОригінал

Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds500 В
Струм Id (Tc 25 °C)16.5 А
Струм Id (Tc 100 °C)9.9 А
Rds(on)0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А
Vgs(th)3.0–5.0 В
Потужність розсіювання205 Вт
Вхідна ємність Ciss1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )

В наявності

109,98 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss60 В
Струм Id (25 °C)200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А)
Струм Id (100 °C)140 А (розрахунково)
Rds(on)2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА
Qg155 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Pd300 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-220
ВиробникRuichips
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.