Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор RJP63F3 ( RJP63F3A ) оригінал демонтаж б/в, TO220F
164,50 ₴
7 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
7 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор RJP63F3 (RJP63F3A) у корпусі TO220F. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT-транзистор |
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 630 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Ic | 40 А (Ta = 25 °C) |
| Напруга VCE(sat) | 1.7 В (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 36 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Cies | 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pc | 30 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJP63F3 (RJP63F3A) – n-канальний IGBT-транзистор Renesas, корпус TO220F. Напруга колектор–емітер Vces – 630 В при Ta = 25 °C. Струм колектора Ic – 40 А при Ta = 25 °C. Напруга насичення VCE(sat) – 1.7 В типово при IC = 40 А, VGE = 15 В, Ta = 25 °C. Заряд затвора Qg – 36 нКл типово при VGE = 15 В, VCE = 300 В, IC = 40 А. Вхідна ємність Cies типово 1250 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pc – 30 Вт при Tc = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. У документі виробника корпус названо TO-220FL (ізольований).
Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, VCE(sat) і корпус. У нашому каталозі є деталь з тим самим номером RJP63F3 у корпусі TO220F – оригінал, не демонтаж. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Високошвидкісні силові ключі (High Speed Power Switching); технологія trench gate і thin wafer.
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| RJP63F3 | той самий номер RJP63F3 названо в назві товару; за фактами: Vces 630 ≥ 630, Ic 40 ≥ 0.8×40 = 32, VCE(sat) 1.7 В тип. = 1.7 В, корпус TO-220F = TO-220F | це оригінал, не демонтаж | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити RJP63F3?
У каталозі є RJP63F3 оригінал у тому самому корпусі TO220F. Прямі заміни за даними виробника – RJP63F3DPP-M0 та RJP63F3DPP-Z0#T2. Для інших IGBT порівнюйте Vces (не нижче 630 В), Ic, VCE(sat) і корпус.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Яка напруга й струм у RJP63F3?
Vces – 630 В, Ic – 40 А, обидва значення при Ta = 25 °C. Імпульсний струм колектора – 200 А при PW не більше 10 мкс і шпаруватості не більше 1 %.
Чи підходить RJP63F3A замість RJP63F3?
Обидва номери вказані в назві товару разом, тому це одна позиція. Корпус цієї позиції – TO220F.
Документація виробника: RJP63F3 (Renesas).
Документ позначено Preliminary і описує RJP63F3DPP-M0; номер RJP63F3A у ньому не згадано.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.