Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MXP4004DT оригінал ( заміна для MXP4004CT , MXP4004AT ) , TO220
141,00 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
MXP4004DT – N-канальний польовий транзистор MaxPower Semiconductor, 40 В, у корпусі TO-220. Оригінал; може замінити MXP4004CT та MXP4004AT.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | MaxPower Semiconductor |
| Напруга Vds | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 164 А (Tc 25 °C; обмеження корпусу 80 А) |
| Імпульсний струм Idm | 655 А (Tc 25 °C, VGS 10 В) |
| Rds(on) | 2.8 мОм тип., макс. 4 мОм (VGS 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 59 нКл тип. (VDD 20 В, Id 82 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4037 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
MXP4004DT – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) MaxPower Semiconductor у корпусі TO-220. Напруга Vds – 40 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 164 А при Tc 25 °C: це розрахункове значення за Tj max 175 °C, а обмеження корпусу – 80 А. Імпульсний струм Idm – 655 А (Tc 25 °C, VGS 10 В). Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.8 мОм (тип.) при VGS 10 В, Id 24 А, Tj 25 °C; максимум – 4 мОм. Заряд затвора Qg – 59 нКл (тип.) при VDD 20 В, Id 82 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 4037 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц). Є вбудований діод.
Стан товару – оригінал, не демонтаж. У назві вказано, що MXP4004DT може замінити MXP4004CT та MXP4004AT; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Якщо підбираєте заміну самому MXP4004DT, дивіться на канал, Vds, Id, Rds(on) і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Джерела живлення
- DC-DC перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×164 = 131.2, Rds(on) Vgs 10 В тип. 2.4 ≤ 1.3×2.8 = 3.64 мОм, корпус TO-220AB = TO-220 | Це демонтаж. Qg 120 нКл проти 59 нКл – понад удвічі більший, перевірте драйвер затвора. | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 40, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×164 = 131.2, Rds(on) Vgs 10 В тип. 3.1 ≤ 1.3×2.8 = 3.64 мОм, корпус TO-220-3L = TO-220 | Qg 105 нКл проти 59 нКл – заряд затвора більший, зверніть увагу на драйвер. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити MXP4004DT?
У нашому каталозі є транзистори, які проходять за напругою, струмом, опором каналу й корпусом: IRFB3206 та NCEP85T16 у TO-220. Порівняйте їх із datasheet на MXP4004DT, перш ніж ставити.
Чи можна ставити MXP4004DT замість MXP4004CT або MXP4004AT?
Так, у назві товару MXP4004DT названо заміною для MXP4004CT та MXP4004AT. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм дійсно витримає MXP4004DT?
В datasheet Id 164 А при Tc 25 °C – розрахункове значення за Tj max 175 °C. Обмеження корпусу – 80 А, на нього й орієнтуйтеся при виборі.
Документація виробника: MXP4004DT (MaxPower Semiconductor).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C |
| Rds(on) | 0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 272 Вт при Tc 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss | 2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Вбудований діод | є: Vsd макс. 1.5 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.