Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ST STP100N8F6 ( 100N8F6 ) оригінал, TO220
57,81 ₴
15 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
15 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STP100N8F6 (100N8F6) – N-канальний польовий транзистор STMicroelectronics у корпусі TO220 для ключових схем та імпульсних перетворювачів. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 80 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 100 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 70 А |
| Rds(on) | 0.008 Ом тип., 0.009 Ом макс. (VGS 10 В, ID 50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (VDD 40 В, ID 100 А, VGS 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 176 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
STP100N8F6 (100N8F6) – N-канальний MOSFET виробництва STMicroelectronics за технологією STripFET F6, корпус TO-220. Напруга Vds 80 В (при VGS 0, ID 250 мкА). Струм стоку Id 100 А при Tc 25 °C і 70 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) 0.008 Ом типово, 0.009 Ом максимум при VGS 10 В, ID 50 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В. Заряд затвора Qg 100 нКл при VDD 40 В, ID 100 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 5955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 176 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 175 °C.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (потрібен N), Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В, корпус і заряд затвора Qg: якщо у заміни Qg помітно більший, перевірте, чи впорається драйвер. У нашому каталозі є транзистори, які проходять ці перевірки, вони наведені в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Ключові схеми та імпульсні перетворювачі
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| PDP8974 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100 = 80, Rds(on) VGS 10 В макс. 0.0039 ≤ 1.3×0.009 = 0.0117, корпус TO-220 = TO-220 | Qg наведено за інших умов, ніж у STP100N8F6: порівняйте datasheet і перевірте драйвер затвора | Купити |
| FHP120N08 | канал N = N, Vds 80 ≥ 80, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×100 = 80, Rds(on) VGS 10 В макс. 0.008 ≤ 1.3×0.009 = 0.0117, корпус TO-220 = TO-220 | Порівняйте datasheet перед заміною | Купити |
| NCE82H140 | канал N = N, Vds 82 ≥ 80, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×100 = 80, Rds(on) VGS 10 В макс. 0.0052 ≤ 1.3×0.009 = 0.0117, корпус TO-220 = TO-220 | Qg вищий, ніж у STP100N8F6: перевірте драйвер затвора | Купити |
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100 = 80, Rds(on) VGS 10 В макс. 0.0038 ≤ 1.3×0.009 = 0.0117, корпус TO-220 = TO-220 | Qg наведено за схожих умов і трохи вищий: перевірте драйвер затвора | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 80, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×100 = 80, Rds(on) VGS 10 В макс. 0.0042 ≤ 1.3×0.009 = 0.0117, корпус TO-220 = TO-220 | Qg вищий, ніж у STP100N8F6: перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити STP100N8F6?
Потрібен N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 80 В, а струм Id і Rds(on) при VGS 10 В – не гірші, ніж у STP100N8F6. Підходящі варіанти з нашого каталогу є в таблиці аналогів. Перед заміною порівняйте datasheet.
Яка напруга відкриття затвора?
Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В при VDS = VGS, ID 250 мкА. Опір Rds(on) до 0.009 Ом вказано при VGS 10 В.
У чому особливість цього транзистора?
Дуже низький Rds(on) разом із малим зарядом затвора та високою стійкістю до лавинного пробою, за даними документа.
Документація виробника: STP100N8F6, DocID026838 Rev 3.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FQA24N50C оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Fairchild Semiconductor |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.2 А |
| Rds(on) | 0.156 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 12 А) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл тип., 120 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 24 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.