Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор Infineon 8R1K0CE ( IPA80R1K0CE , 8R1KOCE ) оригінал, TO220F
164,50 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
8R1K0CE (IPA80R1K0CE, 8R1KOCE) – N-канальний MOSFET Infineon серії 800 V CoolMOS CE в корпусі TO220F, оригінал. Vds 800 В.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220F |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, CoolMOS CE |
| Напруга Vds | 800 В (Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id | 5.7 А (TC 25 °C); 3.6 А (TC 100 °C) |
| Імпульсний струм Id,pulse | 18 А (TC 25 °C) |
| Rds(on) тип. | 0.83 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 0.95 Ом (VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1 (мін.) / 3.0 (тип.) / 3.9 (макс.) В |
| Напруга Vgs | ±20 В (static) |
| Заряд затвора Qg | 31 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 785 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Ptot | 32 Вт (TC 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга ізоляції корпусу | 2500 В rms (TC 25 °C, 1 хв) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
8R1K0CE (IPA80R1K0CE, 8R1KOCE) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії 800 V CoolMOS CE, оригінал. Корпус TO220F (PG-TO 220 FullPAK, TO-220FP) – ізольований, напруга ізоляції 2500 В (rms) при TC 25 °C, 1 хв. Напруга Vds – 800 В при Tj 25 °C. Струм стоку Id – 5.7 А при TC 25 °C і 3.6 А при TC 100 °C, імпульсний Id,pulse – 18 А при TC 25 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.83 Ом тип. і 0.95 Ом макс. при VGS 10 В, ID 3.6 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2.1 (мін.) / 3.0 (тип.) / 3.9 (макс.) В. Розсіювана потужність Ptot – 32 Вт при TC 25 °C, максимальна Tj – 150 °C, заряд затвора Qg – 31 нКл тип. Вхідна ємність Ciss типово 785 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц).
Стан: оригінал, не демонтаж. Розпіновка: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік. Прямі заміни за даними виробника: IPA80R1K0CEXKSA1, IPA80R1K0CEXKSA2. Підбираючи інший транзистор, порівнюйте Vds, Id, Rds(on) при VGS 10 В, заряд затвора Qg і корпус. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- LED-освітлення, квазірезонансний зворотноходовий перетворювач
Чим замінити IPA80R1K0CE?
Прямі заміни за даними виробника: IPA80R1K0CEXKSA1 та IPA80R1K0CEXKSA2. Для іншого транзистора порівняйте Vds (не нижче 800 В), Id, Rds(on) при VGS 10 В і корпус.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як розпізнати виводи транзистора?
За datasheet: 1 – затвор, 2 – стік, 3 – витік.
Документація виробника: 800V CoolMOS CE Power Transistor IPA80R1K0CE, Rev. 2.1 Final.
Параметри наведено за datasheet Infineon IPA80R1K0CE Rev. 2.1; умови вимірювання заряду затвора Qg в документі не наведені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Оптрон PC817 ( PC817C ) оригінал, DIP4
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип виходу | фототранзистор |
| Корпус | DIP-4 |
| Кількість виводів | 4 |
| Напруга ізоляції Viso | 5 кВ (rms) |
| CTR серії | 50–400 % (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Ic для рангу C | 10–20 мА (IF = 5 мА, VCE = 5 В, Ta 25 °C) |
| Vceo | 80 В |
| Ic | 50 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 50 мА |
| Пряма напруга VF | 1.2 В (тип.), 1.4 В (макс.) при IF = 20 мА |
| Робоча температура | -30…+100 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCEP85T16 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Trench |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 160 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 112 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 3.1 мОм при Vgs 10 В, Id 80 А, Tc 25 °C; макс. 3.8 мОм |
| Заряд затвора Qg | 105 нКл при Vdd 40 В, Id 80 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8500 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.5–4.5 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 220 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | NCE Power |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.