Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

Транзистор ST STGB10NB37LZ оригінал демонтаж б/в, D2PAK ( GB10NB37LZ )

164,50 ₴

65 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

65 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор ST із активним обмеженням напруги для систем запалювання. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусD2PAK

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT N-канал з активним обмеженням напруги
Vces(clamped)410 В (IC = 2 мА, діапазон 380–440 В)
Струм Ic20 А (TC = 25 °C), 10 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм40 А
Vce(sat)1.2 В (VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)0.6–2.2 В
Заряд затвора Qg28 нКл
Вхідна ємність Cies1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність125 Вт (TC = 25 °C)
Макс. температура переходу175 °C
Eas300 мДж
ESD (HBM)4 кВ
КорпусD2PAK
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

STGB10NB37LZ (маркування GB10NB37LZ) – N-канальний IGBT STMicroelectronics в корпусі D2PAK з активним обмеженням напруги. Напруга обмеження колектор–емітер Vces(clamped) – 410 В при IC = 2 мА (діапазон 380–440 В). Постійний струм колектора – 20 А при TC = 25 °C і 10 А при TC = 100 °C, імпульсний – 40 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1.2 В при VGE = 4.5 В, IC = 10 А, Tj = 25 °C (максимум 1.8 В). Порогова напруга Vge(th) – 0.6–2.2 В при IC = 250 мкА. Заряд затвора Qg – 28 нКл при VCE = 328 В, IC = 10 А, VGE = 5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 125 Вт при TC = 25 °C, енергія одиночного імпульсу Eas – 300 мДж, захист затвора ESD – 4 кВ (HBM).

Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни звіряйте напругу обмеження, струм, поріг відкриття Vge(th) і корпус. Прямі заміни за даними виробника – STGP10NB37LZ і STGB10NB37LZT4. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Системи запалювання автомобілів.
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
STGB10NB37LZ названо клієнтом у назві (GB10NB37LZ, STGB10NB37LZ), корпус D2PAK = D2PAK Той самий номер, без пометки демонтажу в назві. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити STGB10NB37LZ?

За даними виробника, прямі заміни – STGP10NB37LZ і STGB10NB37LZT4. У нашому каталозі є STGB10NB37LZ в D2PAK, номер названо в назві товару.

Для чого цей IGBT?

Для систем запалювання автомобілів. Вбудований стабілітрон колектор–затвор дає активне обмеження напруги, стабілітрон затвор–емітер захищає затвор від електростатики.

Чому напруга Vces вказана як 410 В?

Це напруга обмеження: транзистор сам обмежує викид на колекторі. Діапазон за документом – 380–440 В при IC = 2 мА.

Datasheet

Документація виробника: STGB10NB37LZ (STMicroelectronics).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGB10NB37LZ (STMicroelectronics) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор GW60H65DFB ( STGW60H65DFB ) оригінал демонтаж б/в, TO-247

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
ТипIGBT з антипаралельним діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В)
Струм Ic (100 °C)60 А
Струм Ic (25 °C)80 А (обмежено виводами, кристал 60 А)
Імпульсний струм Icp240 А
Vce(sat)1,6 В typ, 2,0 В max (VGE = 15 В, Ic = 60 А, Tj = 25 °C)
Потужність Ptot375 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Cies7792 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Tj max175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247

В наявності

235,00 ₴
ПараметрЗначення
НомерIRGP20B60PD
МаркуванняGP20B60PD
ВиробникInfineon (International Rectifier)
ТипIGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)22 А
Vce(on)2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)220 Вт
Вхідна ємність Cies1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.