Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор IRGP50B60PD ( GP50B60PD , GP50B60PD1 , IRGP50B60PD1 , 50B60PD1-E ) оригінал демонтаж б/в, TO247
216,20 ₴
20 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
20 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRGP50B60PD – IGBT-транзистор 600 В з вбудованим швидким діодом у корпусі TO-247 для імпульсних блоків живлення. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT N-канал з діодом |
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic при 25 °C | 75 А |
| Струм Ic при 100 °C | 45 А |
| Vce(on) типово | 2.00 В (Ic 33 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Pd | 390 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 3648 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IRGP50B60PD (також GP50B60PD, GP50B60PD1, IRGP50B60PD1, 50B60PD1-E) – IGBT-транзистор N-канал з вбудованим діодом HEXFRED (ultrafast soft recovery) у корпусі TO-247AD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В (мін., при Ic 500 мкА, Vge 0). Струм колектора Ic – 75 А при Tc 25 °C і 45 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(on) – типово 2.00 В при Ic 33 А, Vge 15 В, Tj 25 °C (макс. 2,35 В); при Tj 125 °C – типово 2.60 В. Розсіювана потужність Pd – 390 Вт при Tc 25 °C. Виробник заявляє частоту перемикання до 150 кГц. Максимальна температура переходу – 150 °C. Параметри взято з даташиту IRGP50B60PD1-EP (Infineon). Вхідна ємність Cies типово 3648 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц).
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Якщо підбираєте заміну, порівнюйте Vces (не нижче 600 В), Ic при 100 °C, Vce(on), наявність діода та корпус TO-247. Швидкодію та заряд затвора порівняйте за datasheet.
Де застосовують
- Імпульсні блоки живлення (SMPS) для телекому та серверів
- PFC та ZVS-схеми
- Джерела безперебійного живлення, блоки живлення побутової електроніки
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IRGP4068D-E | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×45, Vce(sat) 1.65 тип. ≤ 1.3×2.00, діод є, TO-247 | Vce(sat) наведено при різних струмах; швидкодію порівняйте за datasheet | Купити |
| RJH60F5 | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×45, Vce(sat) 1.37 тип. ≤ 1.3×2.00, діод є, TO-247 | Vce(sat) наведено при різних струмах; швидкодію порівняйте за datasheet | Купити |
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×45, Vce(sat) 1.7 тип. ≤ 1.3×2.00, діод є, TO-247 | Vce(sat) наведено при різних струмах; швидкодію порівняйте за datasheet | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×45, Vce(sat) 1.6 тип. ≤ 1.3×2.00, діод є, TO-247 | Vce(sat) наведено при різних струмах; швидкодію порівняйте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IRGP50B60PD?
У нашому каталозі є IGBT у TO-247 на 600 В і вище з діодом, які проходять правило підбору (див. таблицю аналогів). Перед заміною порівняйте швидкодію і заряд затвора за datasheet.
Чи є в IRGP50B60PD вбудований діод?
Так, HEXFRED, ultrafast soft recovery: If 40 А при 25 °C і 15 А при 100 °C. Час зворотного відновлення trr – типово 42 нс (If 15 А, Vr 200 В, di/dt 200 А/мкс, Tj 25 °C).
Для яких схем підходить IRGP50B60PD?
За даними виробника – для імпульсних блоків живлення, PFC та ZVS-схем, джерел безперебійного живлення. Частота перемикання до 150 кГц – за заявою виробника.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Документація виробника: IRGP50B60PD1-EP (Infineon).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.