Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор FGA30S120P ( FGA30S 120P ) оригінал демонтаж б/в, TO-3P
216,20 ₴
9 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
9 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FGA30S120P – IGBT-транзистор onsemi (Fairchild) з вбудованим діодом у корпусі TO-3P. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Напруга Vces | 1300 В (VGE = 0 В, Ic = 1 мА, мін.) |
| Струм Ic (Tc = 25 °C) | 60 А |
| Струм Ic (Tc = 100 °C) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,75 В тип. (Ic = 30 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C) |
| Діод у корпусі | є |
| Заряд затвора Qg | 78 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd (Tc = 25 °C) | 348 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
FGA30S120P – IGBT-транзистор виробництва onsemi (Fairchild) з вбудованим діодом, у корпусі TO-3P. За даними виробника, напруга колектор–емітер Vces становить 1300 В (VGE = 0 В, Ic = 1 мА, мін.). Струм колектора Ic – 60 А при Tc = 25 °C і 30 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,75 В (тип.) при Ic = 30 А, VGE = 15 В, Tc = 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 348 Вт при Tc = 25 °C. Тип IGBT – з шунтованим анодом (shorted-anode).
Оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Виводи G, C, E. Щоб підібрати заміну, порівняйте з вашою деталлю напругу Vces, струм Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), наявність діода в корпусі та тип корпусу, а також заряд затвора Qg = 78 нКл (Vce = 600 В, Ic = 30 А, VGE = 15 В): при іншому Qg може знадобитися перевірка драйвера. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
- Мікрохвильова піч
- М'яке перемикання (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в: деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити FGA30S120P?
Порівняйте Vces, Ic при Tc = 100 °C, Vce(sat), наявність діода в корпусі, тип корпусу TO-3P і заряд затвора. Готових аналогів у нашому каталозі для цієї деталі немає.
Для яких пристроїв призначений FGA30S120P?
За даними виробника, розроблений для індукційного нагріву, мікрохвильових печей і м'якого перемикання (soft switching).
Чи є в корпусі діод?
Так. Діод у корпусі: If = 60 А при Tc = 25 °C, 30 А при Tc = 100 °C; Vfm 1,7 В (тип.) при If = 30 А, Tc = 25 °C.
Документація виробника: FGA30S120P Rev. 1.10, 1300 V, 30 A Shorted-anode IGBT.
Параметри наведено за datasheet виробника onsemi.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 286 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 176 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 40 А, 25 °C) | 1.65 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.