Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
82,72 ₴
56 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
56 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CRTT067N10N – N-канальний польовий транзистор CRMICRO у корпусі TO-220, оригінал. Підходить для керування двигунами, систем BMS та ДБЖ.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CRTT067N10N – N-канальний польовий транзистор (Trench) виробництва CRMICRO у корпусі TO-220. Напруга Vds – 100 В. Струм стоку Id – 147 А при Tc 25 °C і 93 А при Tc 100 °C (обмеження кристала). Опір Rds(on) – 5.2 мОм типово і 6.7 мОм максимум при Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C. Заряд затвора Qg – 135 нКл при Vgs 10 В, Vds 50 В, Id 50 А. Вхідна ємність Ciss типово 5779 пФ. Поріг Vgs(th) – 2.4–3.6 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА. Потужність Pd – 280 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура Tj – 150 °C.
Товар оригінальний, не демонтаж. Під час підбору заміни порівнюйте канал, напругу Vds, струм Id, опір Rds(on) при Vgs 10 В та корпус. Через великий заряд затвора перевірте, чи впорається ваш драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Керування двигунами та приводи
- Системи керування батареями (BMS)
- ДБЖ (джерела безперебійного живлення)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 100, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×147=118, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×6.7=8.71 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перевірте драйвер затвора | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити CRTT067N10N?
Підійде N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не нижче 100 В, не меншим струмом Id та не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. У наявності є G042N10: він підходить за цими параметрами, але перевірте драйвер затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує CRTT067N10N?
147 А при Tc 25 °C і 93 А при Tc 100 °C. Це обмеження кристала, у схемі струм залежить від охолодження.
Для чого використовують цей транзистор?
Для керування двигунами та приводів, у системах керування батареями (BMS) і в ДБЖ.
Документація виробника: CRTT067N10N (CRMICRO).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Діод Шоттки MBR30100CT ( Заміна для S30M60C , 30CTQ100 , 30CTQ035 )(30A,100V) , TO220-3pin
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Діод Шотткі, здвоєний |
| Виробник (за datasheet) | Diodes Incorporated |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 100 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм на один діод Io | 15 А (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм, обидва діоди Io | 30 А (TA 25 °C) |
| Ударний прямий струм Ifsm | 190 А (8,3 мс, напівсинусоїда) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 0,84 В (If 15 А на діод, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм Ir (макс.) | 0,05 мА (Vr 100 В, Tj 25 °C) |
| Робоча температура | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
Мікросхема EG2113D оригінал, SOW-16 широкий корпус
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | EGmicro (Electronic Giant) |
| Тип | Драйвер затворів напівмоста |
| Напруга VB | 600 В |
| Напруга живлення Vcc | 10–20 В |
| Вихідний струм IO+/IO- | 2 / 2 А (PW 10 мкс) |
| Макс. частота | 500 кГц |
| Статичний струм | 50 мкА типово, макс. 100 мкА (входи не підключені, Vcc 15 В) |
| Мертвий час | 130 нс (TA 25 °C, Vcc 15 В, CL 1 нФ, типовий) |
| Корпус | SOIC-16 (wide body) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор OSG65R220PZ оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Oriental Semiconductor |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 650 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 18 А |
| Струм стоку Id (100 °C) | 11.5 А |
| Імпульсний струм стоку | 54 А (TC=25 °C) |
| Опір Rds(on) | 220 мОм макс. (VGS=10 В, ID=9 А) |
| Заряд затвора Qg | 21.7 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1493 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–4.5 В |
| Потужність розсіювання Pd | 151 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор NCE40H21 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В |
| Струм Id (25 °C) | 210 А |
| Струм Id (100 °C) | 148 А |
| Rds(on) | 2.3 мОм (тип.), 3.2 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 20 А |
| Vgs(th) | 1.3–2.5 В при Id 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 10331 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання | 310 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.