Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор IRF100B201 ( F100B201 ) оригінал, TO220

164,50 ₴

52 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

52 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

IRF100B201 (F100B201) – N-канальний польовий транзистор Infineon серії StrongIRFET у корпусі TO-220AB. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ТипMOSFET N-канал
ВиробникInfineon (International Rectifier), серія StrongIRFET
КорпусTO-220
Напруга Vds100 В
Струм Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В)192 А
Струм Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В)136 А
Rds(on) тип. (VGS = 10 В, ID = 115 А)3,5 мОм
Rds(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 115 А)4,2 мОм
Vgs(th)2,0–4,0 В
Qg тип.170 нКл
Вхідна ємність Ciss9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц)
Pd (Tc = 25 °C)441 Вт
Vgs макс.±20 В
Tj-55…+175 °C
СтанОригінал
Опис

IRF100B201 (маркування F100B201) – N-канальний польовий транзистор Infineon (International Rectifier) серії StrongIRFET у корпусі TO-220AB. Напруга стік-витік Vds – 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C, мін.). Струм стоку Id – 192 А при Tc = 25 °C і VGS = 10 В, 136 А при Tc = 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 3,5 мОм тип. і 4,2 мОм макс. при VGS = 10 В, ID = 115 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg – 170 нКл тип. при VGS = 10 В, VDS = 50 В, ID = 115 А. Вхідна ємність Ciss типово 9500 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц). Розсіювана потужність Pd – 441 Вт при Tc = 25 °C.

Оригінал, не демонтаж. Для заміни дивіться на клас транзистора: N-канал, корпус TO-220AB, Vds не нижче 100 В, Rds(on) не гірше, а струм Id порівняйте за однакових умов Tc і VGS. Якщо Qg заміни суттєво більший, перевірте драйвер затвора. У datasheet Infineon цей номер описано разом з IRF100S201. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Де застосовують

  • Щіткові та BLDC-приводи двигунів
  • Напівміст і повний міст, синхронне випрямлення
  • Резонансні джерела живлення, OR-ing і резервні силові ключі, DC/DC, AC/DC та DC/AC інвертори
Часто питають
Чим замінити IRF100B201?

Шукайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-220AB з Vds не нижче 100 В і Rds(on) не гірше 4,2 мОм при VGS = 10 В. Струм Id порівнюйте за однакових умов (Tc = 25 °C або Tc = 100 °C). Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Яка напруга управління потрібна для IRF100B201?

Параметри Rds(on) наведені при VGS = 10 В, порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В при VDS = VGS, ID = 250 мкА. Максимальна напруга затвор-витік – ±20 В.

Чому Id 192 А, а не менше?

192 А – струм при Tc = 25 °C. При Tc = 100 °C струм Id – 136 А. У реальній схемі він залежить від охолодження.

Datasheet

Документація виробника: IRF100B201/IRF100S201 StrongIRFET, Rev. 2.1.

Параметри наведено за datasheet Infineon IRF100B201/IRF100S201 StrongIRFET (Rev. 2.1).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRF100B201/IRF100S201 StrongIRFET, Rev. 2.1 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор YGW40N65F1 оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,80 В тип. / 2,40 В макс.
Заряд затвора Qg90 нКл
КорпусTO-247
ВиробникLu-Semi
СтанОригінал

Мікросхема NSI6602BD оригінал ( NSI6602B-DSWR , NSI66 02BD , NS16602BD , NS166 02BD ), sow16

В наявності

160,27 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникNOVOSENSE
ПризначенняІзольований двоканальний драйвер затворів силових транзисторів
Піковий струм source4 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Піковий струм sink6 А (на кожен канал; VDDA=VDDB=12 В, Ta –40…125 °C)
Напруга VDDA, VDDB9,4–25 В (версія NSI6602B)
Напруга VDDI3–5,5 В
Затримка поширення25 нс (типово, VDDA=VDDB=12 В)
Напруга ізоляції5700 В (діюче), 1 хвилина, UL1577
CMTI150 кВ/мкс (типово)
Температура–40…125 °C
КорпусSOIC-16 (wide body)
СтанОригінал

Транзистор CRSS052N08N оригінал, D2PAK

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникCRMICRO
Тип каналуN-канал, SkyMOS1
Напруга Vds85 В
Струм стоку Id (25 °C)135 А (кремній); 120 А (обмеження корпусу)
Струм стоку Id (100 °C)86 А
Опір Rds(on)4.3 мОм тип., 5.2 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А)
Заряд затвора Qg55 нКл
Вхідна ємність Ciss3086 пФ
Порогова напруга Vgs(th)2–4 В
Потужність розсіювання Pd174 Вт (TC 25 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусD2PAK
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор 2SK2370 ( K2370 ) оригінал демонтаж(500V,20A), TO-3P

В наявності

141,00 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds500 В
Струм стоку Id (постійний)20 А при Ta 25 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.40 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Напруга відсічки Vgs(off)2.5–3.5 В при Vds 10 В, Id 1 мА
Заряд затвора Qg65 нКл (тип.) при Vdd 400 В, Id 20 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss2400 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність Pd140 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура каналу Tch150 °C
Вбудований діодє: Vf 1.0 В, trr 500 нс, Qrr 3.5 мкКл (тип.)
КорпусTO-3P
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор FHA20N60 оригінал ( заміна для FCA20N60 , FCA20N60S , FCA20N60F , FQA20N60C ), TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds600 В (Tc 25 °C)
Струм стоку Id20 А при Tc 25 °C; 14 А при Tc 100 °C
Rds(on)0.32 Ом (тип.), 0.4 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 10 А
Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність Pd272 Вт при Tc 25 °C
Вхідна ємність Ciss2847 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє: Vsd макс. 1.5 В
КорпусTO-3P
СтанОригінал

Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247

В наявності

129,72 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vds950 В при Vgs 0 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)10 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)6.3 А
Опір Rds(on) (тип.)0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА
Потужність розсіювання Pd230 Вт при Tc 25 °C
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
ВиробникSTMicroelectronics
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F

В наявності

107,16 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал, режим збагачення
Напруга Vds600 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C)12 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)7.6 А
Опір Rds(on) (тип.)0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом
Заряд затвора Qg (тип.)34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В
Вхідна ємність Ciss1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА
Потужність розсіювання Pd51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-220F
ВиробникSilan
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5