Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал демонтаж б/в, TO220
122,20 ₴
17 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
17 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GP19NC60KD (STGP19NC60KD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics зі вбудованим діодом, 600 В, 20 А при 100 °C, корпус TO-220. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга Vces | 600 В (Vge 0 В) |
| Струм Ic | 35 А (Tc 25 °C), 20 А (Tc 100 °C) |
| Vce(sat) | 2,0 В тип. (Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 55 нКл тип. (Vcc 480 В, Ic 12 А) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
GP19NC60KD (STGP19NC60KD) – швидкий IGBT-транзистор STMicroelectronics (технологія PowerMESH) зі вбудованим надшвидким діодом у корпусі TO-220. Напруга колектор–емітер Vces 600 В при Vge 0 В. Струм колектора Ic 35 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C (для корпусу TO-220). Напруга насичення Vce(sat) типово 2,0 В при Ic 12 А, Vge 15 В, Tc 25 °C. Заряд затвора Qg типово 55 нКл при Vcc 480 В, Ic 12 А. Вхідна ємність Cies типово 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 125 Вт при Tc 25 °C. Час витримки короткого замикання 10 мкс при Vce 300 В, Tj 125 °C, Rg 10 Ом, Vge 12 В.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при Tc 100 °C, Vce(sat), наявність діода і розпіновку корпусу TO-220. Прямі заміни за даними виробника – STGB19NC60KDT4 і STGF19NC60KD; корпус цих варіантів звіряйте за datasheet.
Де застосовують
- Високочастотні інвертори
- Приводи електродвигунів
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| STGP19NC60KD | названо клієнтом у назві | Те саме позначення (STGP19NC60KD), корпус TO-220. | Купити |
| YGP20N65T2 | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 20 ≥ 0.8×20 = 16, Vce(sat) тип. 1.65 (при Ic 20 А) ≤ 1.3×2.0 (при Ic 12 А), діод є в обох, корпус TO-220 = TO-220 | Перевірте драйвер затвора: заряд затвора може відрізнятися. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, інженер перевірив її тестером на пробій та обрив виводів.
Чим замінити GP19NC60KD?
STGP19NC60KD – це те саме позначення, воно вказане в назві. За даними виробника є STGB19NC60KDT4 і STGF19NC60KD; їхній корпус звіряйте за datasheet. З нашого каталогу за параметрами підходить YGP20N65T2 у корпусі TO-220.
Чи є у GP19NC60KD вбудований діод?
Так, надшвидкий м'який антипаралельний діод. Пряма напруга Vf типово 1,9 В при If 12 А, Tj 25 °C.
Чи відрізняється струм у різних корпусах?
Так. Для корпусу TO-220 Ic 35 А при Tc 25 °C, а для TO-220FP – 16 А. Наша деталь у корпусі TO-220.
Документація виробника: DS5824 Rev 5 (STGB19NC60KDT4, STGF19NC60KD, STGP19NC60KD).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 65 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C |
| Вбудований швидкий діод | є |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Вхідна ємність Cies | 2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.