Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор GW39NC60VD ( STGW39NC60VD ) оригінал демонтаж б/в, TO247

164,50 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IGBT-транзистор GW39NC60VD (STGW39NC60VD) STMicroelectronics, 600 В, TO-247, з вбудованим ультрашвидким діодом. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
ВиробникSTMicroelectronics
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (Tc 25 °C)80 А
Струм колектора Ic (Tc 100 °C)40 А
Vce(sat) (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C)1.8 В тип., 2.4 В макс.
Заряд затвора Qg126 нКл
Вхідна ємність Cies2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)250 Вт
Макс. температура переходу Tj150 °C
Вбудований діодє (ультрашвидкий)
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

GW39NC60VD (STGW39NC60VD) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі TO-247 з вбудованим ультрашвидким діодом. Напруга Vces 600 В (VGE = 0). Струм колектора Ic 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Vce(sat) 1.8 В типово, 2.4 В максимум (VGE 15 В, Ic 30 А, Tc 25 °C). Порогова напруга затвора Vge(th) 3.75–5.75 В (VCE = VGE, Ic 1 мА), заряд затвора Qg 126 нКл (VCE 390 В, Ic 30 А, VGE 15 В). Вхідна ємність Cies типово 2900 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час спаду струму tf 65 нс (VCC 390 В, Ic 30 А, Rg 10 Ом, VGE 15 В, Tc 25 °C). Розсіювана потужність Pd 250 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу 150 °C.

Стан: оригінал, демонтаж б/в – деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте корпус TO-247, Vces не нижче 600 В, Ic при 100 °C і Vce(sat), а також наявність діода в корпусі. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Високочастотні інвертори
  • ДБЖ (UPS)
  • Приводи двигунів
  • Індукційний нагрів
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 той самий корпус; оригінал, не демонтаж Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.37 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 демонтаж б/в; перевірте керування затвором за документацією Купити
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.65 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 демонтаж б/в; діод іншого типу, перевірте драйвер Купити
45N60S1 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 45 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 2 ≤ 1.3×1.8 = 2.34, діод є в обох, корпус TO-247 демонтаж б/в; перевірте драйвер Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити GW39NC60VD?

У каталозі є IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, у яких напруга Vces не нижча за 600 В, струм Ic при 100 °C і напруга насичення Vce(sat) близькі до цієї деталі. Дивіться таблицю аналогів на сторінці.

Як перевірити IGBT з діодом?

Мультиметром у режимі перевірки діодів перевірте відсутність пробою між виводами та працездатність вбудованого діода. Роботу ключа перевіряють у схемі з навантаженням.

Який заряд затвора в GW39NC60VD?

Qg 126 нКл при VCE 390 В, Ic 30 А, VGE 15 В. Драйвер має відпрацьовувати такий заряд на потрібній частоті.

Datasheet

Документація виробника: STGW39NC60VD Rev 8.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

STGW39NC60VD Rev 8 Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор FGA60N65SMD , TO-3P

В наявності

208,68 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникFairchild Semiconductor (onsemi)
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Напруга насичення Vce(sat)1.9 В тип. / 2.5 В макс.
Заряд затвора Qg189 нКл тип. / 284 нКл макс.
Вбудований діодтак
Розсіювана потужність Pd600 Вт (Tc 25 °C)
КорпусTO-3P

IGBT-транзистор MGF65A4R оригінал демонтаж б/в , TO-3P

В наявності

282,00 ₴
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)65 А
Струм колектора Ic (100 °C)40 А
Напруга насичення Vce(sat)1,6 В (макс. 1,96 В) при Vge 15 В, Ic 40 А, Tj 25 °C
Вбудований швидкий діодє
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-3P
Вхідна ємність Cies2300 пФ (Vce 20 В, f 1 МГц)
СтанОригінал, демонтаж б/в

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.