Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор H20PR5 ( IHW20N135R5 ) оригінал демонтаж б/в (1350V,40A) , TO-247
145,70 ₴
3 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
3 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
H20PR5 (IHW20N135R5) – IGBT-транзистор Infineon з вбудованим зворотним діодом для резонансних схем. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Позначення | IHW20N135R5 |
| Напруга Vce | 1350 В (Tvj 25 °C) |
| Струм IC | 40 А (Tc 25 °C); 20 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм | 60 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C) |
| Зворотний діод | є (монолітний) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл (VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1360 пФ |
| Ptot | 288 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу | -40…+175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
H20PR5 – це IGBT-транзистор Infineon (повне позначення IHW20N135R5) із вбудованим зворотним діодом серії Resonant Switching у корпусі TO-247-3. Напруга колектор-емітер Vce – 1350 В при Tvj 25 °C. Струм колектора – 40 А при Tc 25 °C і 20 А при Tc 100 °C, імпульсний струм – 60 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,65 В типова при VGE=15 В, IC=20 А, Tvj 25 °C. Вхідна ємність Cies типово 1360 пФ. Потужність розсіювання Ptot – 288 Вт при Tc 25 °C, робоча температура переходу від -40 до +175 °C.
Стан: оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Для заміни звіряйте напругу, струм, наявність вбудованого діода й корпус, а також заряд затвора Qg 170 нКл при VCC=1080 В, IC=20 А, VGE=15 В – від нього залежить навантаження на драйвер.
Де застосовують
- Індукційні плити (inductive cooking)
- Інверторні мікрохвильові печі
- Резонансні перетворювачі
- Схеми м'якого перемикання (soft switching)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.
Як перевірити H20PR5 перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діодів можна перевірити відсутність пробою між виводами й цілість вбудованого зворотного діода. Виводи: 1 – затвор, 2 – колектор, 3 – емітер.
Для чого призначений H20PR5?
Це RC-IGBT серії Resonant Switching. Його застосовують в індукційних плитах, інверторних мікрохвильових печах, резонансних перетворювачах і схемах м'якого перемикання.
Чим замінити H20PR5?
Дивіться повне позначення IHW20N135R5. Підбирайте IGBT у TO-247 з вбудованим діодом, не гіршим за Vce 1350 В і за струмом 20 А при Tc 100 °C, і порівнюйте datasheet.
Документація виробника: IHW20N135R5 Datasheet V2.2.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.