Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

IGBT-транзистор 40T120FDS ( MBQ40T120FDS )(40A,1200V) , TO247

235,00 ₴

1 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

1 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

40T120FDS (MBQ40T120FDS) – IGBT-транзистор MagnaChip типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Підходить для PFC, UPS та інверторів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга Vces1200 В
Струм Ic при Tc 25 °C80 А
Струм Ic при Tc 100 °C40 А
Імпульсний струм Icm160 А
Vce(sat) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C2.0 В (макс. 2.4 В)
Потужність Pd при Tc 25 °C357 Вт
Заряд затвора Qg341 нКл
Вхідна ємність Cies6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Вбудований діодтак, If 40 А (Tc 100 °C)
Макс. температура переходу150 °C
КорпусTO-247
ВиробникMagnaChip
Опис

40T120FDS (MBQ40T120FDS) – IGBT-транзистор MagnaChip типу Field Stop Trench з вбудованим діодом у корпусі TO-247. Напруга колектор–емітер Vces – 1200 В. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C, імпульсний Icm – 160 А (обмежено Tj max). Напруга насичення Vce(sat) – 2.0 В (макс. 2.4 В) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C; 2.45 В при Tc 150 °C. Потужність розсіювання Pd – 357 Вт при Tc 25 °C, 142 Вт при 100 °C. Заряд затвора Qg – 341 нКл при Vce 600 В, Ic 40 А, Vge 15 В. Вхідна ємність Cies типово 6030 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Максимальна температура переходу – 150 °C.

Нова деталь, не демонтаж. Підбираючи заміну, дивіться на корпус TO-247, напругу 1200 В, струм Ic при Tc 100 °C, наявність вбудованого діода та заряд затвора Qg, від якого залежить навантаження на драйвер. У нашому каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3) – зворотно-провідний IGBT з іншим типом комутації, тому дивіться примітку в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • PFC
  • UPS
  • Інвертори
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
IHW40N120R3 Vces 1200 ≥ 1200, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 25 °C (макс.) 1.75 ≤ 1.3×2.0 = 2.6, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Зворотно-провідний IGBT (H40R1203) для м'якої комутації, не Field Stop з окремим швидким діодом: у схемах із жорсткою комутацією перевіряйте за datasheet. Перевірте драйвер. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Це нова деталь чи демонтаж?

Нова деталь, не демонтаж.

Чим замінити 40T120FDS?

Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з Vces не менше 1200 В, зі струмом Ic при Tc 100 °C не нижче 40 А та з вбудованим діодом. У каталозі є H40R1203 (IHW40N120R3) – див. таблицю аналогів. Взаємозамінність перевіряйте за datasheet.

Для яких схем підходить цей IGBT?

У документі вказані PFC, UPS та інвертори.

Яке маркування на корпусі і який повний номер?

Маркування – 40T120FDS, повний номер за таблицею замовлення в документі – MBQ40T120FDSTH.

Datasheet

Документація виробника: MBQ40T120FDS (MagnaChip).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

MBQ40T120FDS (MagnaChip) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220

В наявності

122,67 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT Trench Field Stop з діодом
КорпусTO-220
Напруга Vces650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА)
Струм Ic (25 °C)40 А
Струм Ic (100 °C)20 А
Vce(sat)1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C)
Vge(th)4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd125 Вт (Tj = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247

В наявності

258,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В (Tvj ≥25 °C)
Струм колектора Ic (25 °C)80 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)275 Вт
Напруга насичення Vce(sat)1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C)
КорпусTO-247
Вбудований діодVrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс
Максимальна температура переходу Tj175 °C
СтанОригінал, демонтаж б/в

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.