Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT30J122A ( 30J122A ) оригінал , TO-3P
216,20 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT30J122A (30J122A) – оригінальний n-канальний IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-3P(N) для резонансних інверторів і коректорів потужності.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | IGBT n-канал |
| Напруга колектор-емітер Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (DC) | 30 А |
| Vce(sat) | 1,7 В (тип.), 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C |
| Напруга відсікання Vge(off) | 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В |
| Час спаду tf | 0,20 мкс (тип.), 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В |
| Потужність розсіювання Pc | 120 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2500 пФ |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
GT30J122A (маркування 30J122A) – n-канальний IGBT-транзистор Toshiba в корпусі TO-3P(N). Напруга колектор-емітер Vces – 600 В, струм колектора Ic (DC) – 30 А. Напруга насичення Vce(sat) – 1,7 В (тип.) і 2,8 В (макс.) при Ic 50 А, VGE 15 В, Ta 25 °C. Напруга відсікання Vge(off) – 3,0–6,0 В при Ic 50 мА, Vce 5 В. Час спаду tf – 0,20 мкс (тип.) і 0,40 мкс (макс.) при Ic 50 А, Vcc 300 В, активне навантаження. Вхідна ємність Cies типово 2500 пФ. Потужність розсіювання Pc – 120 Вт, максимальна температура переходу Tj – 150 °C.
Деталь оригінальна, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте з цим транзистором Vces, Ic, Vce(sat), корпус і розпіновку, а також час спаду tf, якщо схема працює на високій частоті. Відправляємо Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні інвертори зі струмовим резонансом (Current-Resonant Inverter Switching)
- Коректори коефіцієнта потужності з частковим перемиканням (Partial-Switching PFC)
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити GT30J122A?
Потрібен n-канальний IGBT у корпусі TO-3P(N) з Vces не нижче 600 В і струмом не меншим за 30 А. Порівняйте також Vce(sat) і час спаду tf за datasheet.
Для яких схем підходить цей IGBT?
За документом виробника – для резонансних інверторів зі струмовим резонансом і коректорів коефіцієнта потужності з частковим перемиканням.
Як перевірити GT30J122A мультиметром?
Перед перевіркою розрядіть затвор. Між колектором і емітером в обох напрямках не повинно бути короткого замикання, а між затвором і рештою виводів – провідності.
Документація виробника: GT30J122A(STA1,E,D (TOSHIBA).
Температура корпусу для Ic і Pc у документі не визначена.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 240 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 160 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) |
| Час відновлення діода trr | 360 нс (Tj 175 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 750 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | Super-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.