Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал

IGBT-транзистор FGH40N60UFD оригінал , TO247

291,40 ₴

6 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

6 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

FGH40N60UFD – IGBT-транзистор onsemi (Field Stop) 600 В із вбудованим діодом для інверторів, UPS, зварювання та PFC. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Виробникonsemi
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1.8 В тип. (IC 40 А, VGE 15 В, TC 25 °C)
Заряд затвора Qg120 нКл
Вхідна ємність Cies2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (25 °C)290 Вт
Макс. Tj150 °C
Вбудований діодє
КорпусTO-247
СтанОригінал
Опис

FGH40N60UFD – IGBT-транзистор onsemi технології Field Stop із вбудованим діодом у корпусі TO-247-3LD. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В. Струм колектора Ic – 80 А при TC 25 °C і 40 А при TC 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.8 В типово (макс. 2.4 В) при IC 40 А, VGE 15 В, TC 25 °C. Заряд затвора Qg – 120 нКл при VCE 400 В, IC 40 А, VGE 15 В. Вхідна ємність Cies типово 2110 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Час спаду tf – 30 нс типово при VCC 400 В, IC 40 А, RG 10 Ом, VGE 15 В, TC 25 °C. Вбудований діод: Vf 1.95 В типово при IF 20 А, TC 25 °C, trr 45 нс типово. Потужність розсіювання – 290 Вт при TC 25 °C і 116 Вт при TC 100 °C, діапазон температур переходу -55…150 °C.

Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і корпус. Якщо у схемі важливі втрати на перемиканні, подивіться енергію вимкнення Eoff – 0.46 мДж при VCC 400 В, IC 40 А, RG 10 Ом, VGE 15 В, TC 25 °C. Кандидати на заміну з нашого каталогу – у таблиці аналогів.

Де застосовують

  • Сонячні інвертори, UPS, зварювання, PFC, мікрохвильові печі, телеком, ESS.
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
NCE40TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. Купити
RJH60F5 Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.37 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. Купити
IRGP4068D-E Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 48 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.65 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Перевірте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat) і розпіновку корпусу. Купити
NCE60TD60BT Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×40=32, Vce(sat) 25 °C(typ) 1.7 ≤ 1.3×1.8=2.34, діод є в обох, корпус TO-247 = TO-247 Ic вищий, Qg може відрізнятися – перевірте драйвер. Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити FGH40N60UFD?

Шукайте IGBT у TO-247 з такою самою напругою Vces та близьким струмом при 100 °C і напругою насичення Vce(sat). Кандидати з нашого каталогу – у таблиці аналогів. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи є у FGH40N60UFD вбудований діод?

Так, є. Vf 1.95 В типово при IF 20 А, TC 25 °C, trr 45 нс типово.

Для яких пристроїв підходить FGH40N60UFD?

Сонячні інвертори, UPS, зварювання, PFC, мікрохвильові печі, телеком, ESS.

Datasheet

Документація виробника: FGH40N60UFDTU (onsemi).

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

FGH40N60UFDTU (onsemi) Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Діод Шоттки SS14 smd (1A,40V)

В наявності

3,29 ₴
ПараметрЗначення
ТипДіод Шоттки SMD одиночний
Максимальна зворотна напруга Vrrm40 В
Середній прямий струм If(av)1,0 А
Пряма напруга Vf (макс.)500 мВ при If = 1,0 А
Ударний прямий струм Ifsm40 А (8,3 мс, одна напівсинусоїда)
Розсіювана потужність Pd1,1 Вт
КорпусSMA (DO-214AC)

Схожі товари

IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces650 В
Струм колектора Ic (25 °C)100 А
Струм колектора Ic (100 °C)50 А
Імпульсний струм колектора Icm150 А
Розсіювана потужність Pd (25 °C)235 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C)
КорпусTO-3P
Вбудований діодVf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс
СтанОригінал

IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247

В наявності

183,77 ₴
ПараметрЗначення
НомерIHW40N120R3
МаркуванняH40R1203
ВиробникInfineon
ТипIGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом
Напруга Vces1200 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Vce(sat)1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)429 Вт
Вхідна ємність Cies2708 пФ
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247

IGBT-транзистор NCE40TD60BT оригінал, TO247

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникWuxi NCE Power
ТипIGBT з антипаралельним діодом
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)80 А
Струм Ic (100 °C)40 А
Потужність Pd (25 °C)286 Вт
Vce(sat) (тип., IC = 40 А, VGE = 15 В, 25 °C)1.7 В
Заряд затвора Qg176 нКл
Вхідна ємність Cies4894 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Vf діода (IF = 40 А, 25 °C)1.65 В
Макс. температура переходу Tj150 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.