Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор JT040K065WED оригінал, TO247
209,62 ₴
72 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
72 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор JT040K065WED у корпусі TO-247 з робочою напругою Vces 650 В і вбудованим швидким діодом – оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Струм колектора Icm (імпульсний) | 120 А |
| Розсіювана потужність Pd | 284 Вт (Tc 25 °C) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,7 В тип. / 2,4 В макс. (Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 5,1…6,9 В |
| Заряд затвора Qg | 75,3 нКл |
| Вбудований діод, Vf | 1,5 В тип. / 2,5 В макс. (Is 20 А) |
| Вбудований діод, trr | 36,6 нс (25 °C) / 288 нс (175 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
JT040K065WED – N-канальний IGBT-транзистор Topdiode в корпусі TO-247 з робочою напругою Vces 650 В (при Ic 250 мкА, Vge 0 В). Безперервний струм колектора Ic становить 80 А при температурі корпусу 25 °C і 40 А при 100 °C, імпульсний Icm – 120 А. Типова напруга насичення Vce(sat) – 1,7 В (макс. 2,4 В) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tc 25 °C, розсіювана потужність Pd – 284 Вт при 25 °C.
Транзистор має вбудований швидкий діод: пряма напруга Vf 1,5 В тип. (макс. 2,5 В) при Is 20 А, час відновлення trr 36,6 нс при 25 °C і 288 нс при 175 °C. Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, звіряйте з платою напругу Vces, струм Ic при робочій температурі, напругу насичення й наявність та швидкодію вбудованого діода – від цього залежить тепловий режим і втрати перемикання.
Де застосовують
- Загальнопризначені інвертори (general purpose inverters)
- ДБЖ (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| IKW50N65EH5 (K50EEH5) | той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100 °C) 50 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне (1,65 В проти 1,7 В), діод є в обох | клас практично збігається – той самий Vces і близький Ic; звірте посадкове місце під TO-247-3. | Купити |
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | той самий корпус TO-247, Vces 650 В ≥ 650 В, Ic(100 °C) 75 А ≥ 0.8×40 А, Vce(sat) порівнянне за порядком величини, діод є в обох | у KGF75N65KDF Vce(sat) виміряно при іншому струмі (75 А замість 40 А) – цифри не прямо порівнянні, для точної заміни звірте по своїй схемі. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити JT040K065WED?
У нашому каталозі є два перевірених аналоги з підтвердженими параметрами – IKW50N65EH5 (Infineon) і KGF75N65KDF (KEC), обидва в корпусі TO-247 з напругою Vces 650 В і вбудованим діодом; звірте струм Ic при робочій температурі перед заміною.
Як перевірити IGBT перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діода зміряйте перехід колектор-емітер і затвор-емітер на пробій і витік, окремо перевірте справність вбудованого діода.
Чи підходить JT040K065WED для ремонту ДБЖ?
Так, за даними виробника деталь призначена для загальних інверторів і джерел безперебійного живлення (ДБЖ/UPS).
Чому у назві деталі на сайті й у шапці документа виробника різні позначення?
У шапці datasheet деталь названа TJT040N065WED, а маркування на корпусі й код замовлення – JT040K065WED; це, ймовірно, одна й та сама деталь з опискою виробника в заголовку документа, прямого підтвердження цьому в тексті немає.
Документація виробника: TJT040K065WED – N-CHANNEL IGBT (Topdiode).
У шапці datasheet деталь названа TJT040N065WED, хоча код замовлення і маркування – JT040K065WED; дата документа й номер ревізії не вказані.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Оптрон TLP352 , SOP-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип виходу | буферна логіка, totem-pole |
| Піковий вихідний струм | ±2.5 А (максимум) |
| Напруга живлення VCC | 15–30 В (абсолютний максимум 35 В) |
| Струм увімкнення IF(ON) | 6.5–10 мА |
| Максимальний прямий струм IF | 20 мА |
| Затримка поширення | 130 нс (тип.) при VCC = 30 В, Rg = 20 Ом, Cg = 10 нФ |
| Напруга ізоляції | 3750 В (діюче, AC, 60 с) |
| Робоча температура | -40…125 °C |
| Корпус | SO-8 |
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.