Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP63K2 оригінал , D2PAK
211,50 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJP63K2 – оригінальний IGBT-транзистор Renesas у корпусі D2PAK для швидкісних силових ключів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vces | 630 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 200 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,9 В тип., 2,4 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А) |
| Вхідна ємність Cies | 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
RJP63K2 – IGBT-транзистор N-канал виробництва Renesas, корпус D2PAK. Це trench gate IGBT серії G6H-II для швидкісних силових ключів. Документа саме на RJP63K2 у корпусі D2PAK не знайшли, тому параметри наведено за найближчим даташитом – RJP63K2DPP-M0 у корпусі TO-220FL: напруга колектор–емітер Vces 630 В, напруга затвор–емітер Vges ±30 В, струм колектора Ic 35 А (Ta 25 °C). Імпульсний струм Ic(peak) – 200 А при ширині імпульсу до 10 мкс і шпаруватості до 1 %. Напруга насичення Vce(sat) – 1,9 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 35 А, Vge 15 В. Заряд затвора Qg – 20 нКл (Vge 15 В, Vce 300 В, Ic 35 А). Вхідна ємність Cies типово 620 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Час наростання tr – 60 нс, час спаду tf – 200 нс при Ic 35 А, RL 8,5 Ом, Rg 5 Ом. Максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Для заміни порівняйте з вашою схемою Vces, Ic, Vce(sat), корпус і заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Швидкісні силові ключі (High speed power switching) на основі trench gate IGBT серії G6H-II
Чим замінити RJP63K2?
Конкретну заміну ми не називаємо. Деталь підбирайте за Vces не нижче 630 В, струмом колектора, Vce(sat), корпусом D2PAK і зарядом затвора.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Які основні параметри RJP63K2?
Vces 630 В, Ic 35 А при Ta 25 °C, Vce(sat) 1,9 В (тип.) при Ic 35 А і Vge 15 В, Qg 20 нКл. Цифри взято з даташиту найближчої деталі RJP63K2DPP-M0.
Яка напруга насичення RJP63K2?
Vce(sat) 1,9 В (тип.), 2,4 В (макс.) при Ic 35 А, Vge 15 В, Ta 25 °C. Цифри взято з даташиту найближчої деталі RJP63K2DPP-M0.
Найближчий datasheet: RJP63K2DPP-M0 (Renesas).
Точного даташиту на RJP63K2 у корпусі D2PAK не знайдено. Параметри взято з даташиту на RJP63K2DPP-M0 у корпусі TO-220FL.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор IRG7S313U оригінал , D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | International Rectifier (Infineon) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vces (мін.) | 330 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Irp | 160 А |
| Vce(on) | 1.35 В тип. (ICE 20 А, VGE 15 В, TJ 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 33 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 880 пФ (Vce 30 В) |
| Потужність Pd (25 °C) | 78 Вт |
| Макс. Tj | 150 °C |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор RJP30H2A оригінал демонтаж б/в, D2PAK
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Renesas |
| Напруга Vces | 360 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vges | ±30 В |
| Струм Ic | 35 А (Ta 25 °C) |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 250 А (PW ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Потужність Pc | 60 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Vce(sat) | 1,4 В тип., 1,9 В макс. (Ic 35 А, Vge 15 В) |
| Заряд затвора Qg | 37 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 1200 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.