Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор G40T60AK3HD ( CRG40T60AK3HD ) оригінал , TO247
117,50 ₴
18 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
18 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор на 600 В, струм колектора 80 А (25 °C) / 40 А (100 °C), корпус TO-247. Оригінал, новий.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 40 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.9 В тип. / 2.4 В макс. (Ic=40А, Vge=15В) |
| Заряд затвора Qg | 239 нКл |
| Розсіювана потужність Pd | 336 Вт (Tc=25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
G40T60AK3HD (CRG40T60AK3HD) – IGBT-транзистор виробника CR Micro (Wuxi China Resources Huajing Microelectronics) у корпусі TO-247. Напруга колектор-емітер Vces – 600 В (при Vge=0В, Ice=250мкА). Струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 40 А при Tc=100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1.9 В типове і 2.4 В максимальне при Ic=40А, Vge=15В. Порогова напруга затвора Vge(th) – 3.5–7.0 В (типове 4.9 В) при Ic=1мА. Заряд затвора Qg – 239 нКл при Vce=400В, Ic=40А, Vge=15В. Розсіювана потужність Pd – 336 Вт при Tc=25 °C, максимальна температура переходу Tj – 175 °C. Вбудований діод має пряму напругу Vf 1.35 В типове і 2.0 В максимальне при If=40А.
Товар оригінал, новий, не демонтаж. Перед відправкою перевіряємо деталь на відповідність заявленим параметрам. Для підбору заміни орієнтуйтесь на напругу Vces не нижче 600 В, достатній запас по струму Ic при 100 °C відносно номінальних 40 А і той самий корпус TO-247 – з нашого каталогу цим критеріям відповідають IGBT KGF75N65KDF та K50EEH5 (IKW50N65EH5).
Де застосовують
- Зварювальні інвертори
- Перетворювачі частоти середньої/високої частоти комутації
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| K50EEH5 (IKW50N65EH5) | той самий корпус TO-247, Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 50А ≥ 0.8× від 40А, Vce(sat) порівнянне | запас по струму (Ic 100°C – 50А проти 40А), із запасом підходить | Купити |
| KGF75N65KDF | той самий корпус TO-247, Vces 650В ≥ 600В, Ic(100°C) 75А ≥ 0.8× від 40А, Vce(sat) порівнянне | значний запас по струму (Ic 100°C – 75А); даташит виробника прочитати повністю не вдалось, Vce(sat) звірено по двох джерелах з розбіжністю | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити G40T60AK3HD?
За параметрами з нашого каталогу підходять IGBT KGF75N65KDF та K50EEH5 (IKW50N65EH5) – обидва в корпусі TO-247, з напругою Vces не нижче 600 В і достатнім запасом по струму Ic при 100 °C відносно номінальних 40 А.
Як перевірити IGBT-транзистор перед встановленням?
Мультиметром у режимі перевірки діода прозвонюють перехід затвор-емітер (має бути розрив) і вбудований діод колектор-емітер (пряме падіння напруги в один бік, розрив у інший). Остаточно справність підтверджує тільки робота в схемі під навантаженням.
Для яких пристроїв підходить G40T60AK3HD?
За даними виробника – для зварювальних інверторів, перетворювачів частоти середньої й високої частоти комутації та джерел безперебійного живлення (UPS).
Чому в характеристиках вказано два значення струму колектора?
80 А – граничний струм при температурі корпусу 25 °C, 40 А – при робочих 100 °C: зі зростанням температури допустимий струм IGBT знижується, і саме друге значення використовують для розрахунку в гарячій схемі.
Документація виробника: CRG40T60AN3HD, CRG40T60AK3HD – Insulated Gate Bipolar Transistor.
Дані взято з копії даташита CRMICRO, а не з офіційного сайту виробника; параметри trr, Irrm, Qrr вбудованого діода і статус виробництва (active/eol) не підтверджені й у текст не включені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор G042N10 ( HYG042N10 , HYG042N10NS1P ) оригінал(100V,160A) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 160 А (Tc 25 °C), 113 А (Tc 100 °C), на великому радіаторі |
| Rds(on) | 3,5 мОм тип., 4,2 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 50 А, Tc 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 119 нКл тип. (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 50 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 7040 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА, Tc 25 °C) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | HUAYI |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Jilin Sino-Microelectronics (JSMC) |
| Тип | IGBT Trench FS з діодом |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга Vces | 650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В) |
| Струм Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм Ic (100 °C) | 50 А |
| Vce(sat) | 1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 437 Вт (Tc = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.