Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор STGB10NB37LZ оригінал , D2PAK ( GB10NB37LZ )
352,50 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics із внутрішнім обмеженням напруги для автомобільного запалювання. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | D2PAK |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Напруга обмеження Vces(clamped) | 410 В тип. (Ic 2 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 20 А |
| Струм Ic при 100 °C | 10 А |
| Vce(sat) | 1,2 В тип. (Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Вбудований діод | немає |
| Корпус | D2PAK |
| Стан | Оригінал |
STGB10NB37LZ (GB10NB37LZ) – IGBT-транзистор STMicroelectronics у корпусі D2PAK із внутрішнім обмеженням напруги. Напруга обмеження колектор–емітер Vces(clamped) типово 410 В при Ic 2 мА, Tj від -40 до 150 °C. Струм колектора Ic – 20 А при Tc 25 °C і 10 А при Tc 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) типово 1,2 В при Vge 4,5 В, Ic 10 А, Tj 25 °C. Порогова напруга Vge(th) – 0,6–2,2 В при Vce = Vge, Ic 250 мкА. Заряд затвора Qg типово 28 нКл при Vce 328 В, Ic 10 А, Vge 5 В. Вхідна ємність Cies типово 1300 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання Pd – 125 Вт при Tc 25 °C, енергія одиночного імпульсу Eas – 300 мДж при Tc 25 °C. Максимальна температура переходу – 175 °C.
Вбудованого діода немає; усередині є стабілітрони колектор–затвор і затвор–емітер. Оригінал, не демонтаж. Для цієї ж серії виробник випускає STGP10NB37LZ у корпусі TO-220. Підбираючи заміну, дивіться на корпус і розпіновку, напругу обмеження, струм Ic при 100 °C та поріг Vge(th), бо від нього залежить керування затвором. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Автомобільне запалювання
Чим замінити STGB10NB37LZ?
У нашому каталозі аналогів у корпусі D2PAK зараз немає. Виробник випускає цю серію також як STGP10NB37LZ у корпусі TO-220; це інший корпус, тому для D2PAK вона не підходить без переробки плати.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у STGB10NB37LZ вбудований діод?
Ні. Усередині є внутрішні стабілітрони колектор–затвор і затвор–емітер, які обмежують напругу.
Для чого застосовують STGB10NB37LZ?
За документом ST – в автомобільному запалюванні. Типове значення напруги обмеження – 410 В при Ic 2 мА.
Документація виробника: STGB10NB37LZT4 (ST).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.