Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
IGBT-транзистор RJH60F5 оригінал демонтаж б/в, TO247
164,50 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
RJH60F5 – IGBT-транзистор Renesas зі вбудованим швидким діодом для швидких силових перемикачів. Оригінал, демонтаж б/в: знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга колектор–емітер Vces (Tc 25 °C) | 600 В |
| Струм колектора Ic (Tc 25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Ic(peak) | 160 А |
| Vce(sat) (Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C) | 1.37 В (тип.), 1.8 В (макс.) |
| Vge(off) (Vce 10 В, Ic 1 мА) | 4–8 В |
| Час спаду tf | 68 нс |
| Вбудований швидкий діод | є, trr 25 нс (If 30 А) |
| Потужність розсіювання (Tc 25 °C) | 260.4 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Renesas |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
RJH60F5 – IGBT-транзистор Renesas у корпусі TO-247 зі вбудованим швидким діодом. Параметри наведено за даташитом найближчої деталі RJH60F5BDPQ-A0. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при Tc 25 °C. Струм колектора Ic – 80 А при Tc 25 °C, 40 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм Ic(peak) – 160 А, імпульс обмежено областю безпечної роботи. Напруга насичення Vce(sat) – 1.37 В (тип.), 1.8 В (макс.) при Ic 40 А, Vge 15 В, Tj 25 °C; 1.7 В (тип.) при Ic 80 А. Напруга відсікання Vge(off) – 4–8 В при Vce 10 В, Ic 1 мА. Час спаду tf – 68 нс при Ic 30 А, Vce 400 В, Vge 15 В, Rg 5 Ом, індуктивному навантаженні, Tj 25 °C. Діод: Vecf 2.5 В (тип.), 3.0 В (макс.) при If 30 А, trr – 25 нс при If 30 А, diF/dt 100 А/мкс. Вхідна ємність Cies типово 2780 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 260.4 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C.
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Підбираючи заміну, порівняйте Vces, струм при Tc 100 °C, Vce(sat) за однакових умов, наявність діода і корпус TO-247. За даними виробника пряма заміна – RJH60F5DPQ-A0. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Швидкі силові перемикачі (High Speed Power Switching)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCE40TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 40 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.37 = 1.78 при Ic 40 А, діод є в обох, корпус TO-247 | Vce(sat) вищий, ніж у RJH60F5; врахуйте втрати на провідність | Купити |
| JT050N065WED | Vces 650 ≥ 600, Ic(100 °C) 50 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.6 ≤ 1.3×1.37 = 1.78, діод є в обох, корпус TO-247 | Vce(sat) наведено при Ic 50 А; перевірте за datasheet | Купити |
| NCE60TD60BT | Vces 600 ≥ 600, Ic(100 °C) 60 ≥ 0.8×40 = 32, Vce(sat) 1.7 ≤ 1.3×1.37 = 1.78, діод є в обох, корпус TO-247 | Vce(sat) наведено при Ic 60 А; перевірте за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати, перевірена інженером тестером на пробій та обрив виводів.
Чи є в RJH60F5 вбудований діод?
Так, вбудований швидкий діод: trr 25 нс при If 30 А, diF/dt 100 А/мкс.
Чим замінити RJH60F5?
За даними виробника – RJH60F5DPQ-A0. З нашого каталогу підходять позиції з таблиці аналогів на цій сторінці. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet.
Який струм колектора RJH60F5?
80 А при Tc 25 °C і 40 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм Ic(peak) – 160 А, імпульс обмежено областю безпечної роботи.
Найближчий datasheet: RJH60F5BDPQ-A0 (Renesas).
Точного даташиту не знайдено. Параметри взято з найближчого за назвою даташиту.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.