Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.

IGBT-транзистор IRGP4063D оригінал демонтаж б/в(600V,96A,330W) , TO247

141,00 ₴

9 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

9 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

Категорія:

IRGP4063D – n-канальний IGBT-транзистор з вбудованим діодом, 600 В, 96 А, корпус TO-247AC. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений інженером тестером на пробій та обрив виводів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-247

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Напруга колектор–емітер Vces600 В (VGE = 0 В)
Струм колектора Ic96 А (TC = 25 °C); 48 А (TC = 100 °C)
Імпульсний струм колектора Icm200 А
Напруга насичення Vce(on)1,65 В тип., 2,14 В макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C)
Потужність розсіювання Pd330 Вт (TC = 25 °C); 170 Вт (TC = 100 °C)
Порогова напруга затвора Vge(th)4,0–6,5 В (Vce = Vge, Ic = 1,4 мА)
Заряд затвора Qg95 нКл тип., 140 нКл макс. (Ic = 48 А, VGE = 15 В, Vcc = 400 В)
Вбудований діодтак, ultrafast soft recovery (Co-Pak)
Тип каналуn-канал
Робоча температура переходувід –55 до +175 °C
КорпусTO-247
ВиробникInfineon (International Rectifier)
СтанОригінал, демонтаж б/в
Опис

IRGP4063D – n-канальний IGBT-транзистор Infineon (International Rectifier) з вбудованим діодом ultrafast soft recovery (Co-Pak) у корпусі TO-247AC. Напруга колектор–емітер Vces – 600 В при VGE = 0 В. Струм колектора Ic – 96 А при TC = 25 °C і 48 А при TC = 100 °C, імпульсний Icm – 200 А. Напруга насичення Vce(on) – 1,65 В (тип.) при Ic = 48 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C. Потужність розсіювання Pd – 330 Вт при TC = 25 °C. Робоча температура переходу – від –55 до +175 °C. Час стійкості до короткого замикання – 5 мкс при Tj(max) = 175 °C.

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів. Щоб підібрати заміну, порівняйте Vces, струм Ic при TC = 100 °C, Vce(on), наявність вбудованого діода та корпус TO-247AC. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.

Часто питають
Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, демонтаж б/в. Деталь знята з плати; інженер перевіряє її тестером на пробій та обрив виводів.

Чим замінити IRGP4063D?

Підбирайте IGBT у корпусі TO-247AC з Vces не нижче 600 В, з вбудованим діодом і Ic при TC = 100 °C не суттєво нижчим за 48 А. Порівняйте також Vce(on) та Qg за datasheet.

Чи є в IRGP4063D вбудований діод?

Так, ultrafast soft recovery (Co-Pak): Vfm 1,95 В (тип.) при If = 48 А, trr 115 нс (тип.) при Vcc = 400 В, If = 48 А.

Який струм колектора у IRGP4063D?

96 А при TC = 25 °C і 48 А при TC = 100 °C; імпульсний Icm – 200 А.

Datasheet

Документація виробника: IRGP4063DPbF / IRGP4063D-EPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode.

Datasheet виробника знайдено (Infineon, березень 2013), але він описує варіанти IRGP4063DPbF та IRGP4063D-EPbF, а не IRGP4063D без PbF.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

IRGP4063DPbF / IRGP4063D-EPbF, Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode Відкрити datasheet

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

Схожі товари

IGBT-транзистор AUPS4067D оригінал демонтаж б/в ( AUPS4067D1 , AUPS4067D2 , AUPS4067D6-G , AUPS4067D6-H , AUPS4067D1-B , AUPS4067D2-B , AUPS4067D3-B , AUPS4067D2-C , AUPS4067D1-C , AUPS4067D4-G , AUIRGPS4067D1 , IRGPS4067D , IRGPS4067DPbF , GPS4067D ), Super-247

В наявності

320,54 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм колектора Ic (25 °C)240 А
Струм колектора Ic (100 °C)160 А
Напруга насичення Vce(sat)1,7 В тип. / 2,05 В макс. (Ic 120 А, Vge 15 В, Tj 25 °C)
Час відновлення діода trr360 нс (Tj 175 °C)
Розсіювана потужність Pd750 Вт (Tc 25 °C)
Максимальна температура переходу Tj175 °C
КорпусSuper-247
СтанОригінал, демонтаж б/в

IGBT-транзистор JT050N065WED ( 050N065WED ) оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникJilin Sino-Microelectronics (JSMC)
ТипIGBT Trench FS з діодом
КорпусTO-247
Напруга Vces650 В (IC = 250 мкА, VGE = 0 В)
Струм Ic (25 °C)100 А
Струм Ic (100 °C)50 А
Vce(sat)1,6 В тип., 2,2 В макс. (VGE = 15 В, IC = 50 А, Tc = 25 °C)
Vge(th)4,5 В мін., 6,5 В макс. (VCE = VGE, IC = 250 мкА)
Заряд затвора Qg121 нКл (VCC = 520 В, IC = 50 А, VGE = 15 В)
Вхідна ємність Cies3435 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd437 Вт (Tc = 25 °C)
Tj max175 °C
Діодє, антипаралельний
СтанОригінал

IGBT-транзистор NCE30TD60BT оригінал, TO247

В наявності

345,92 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В
Струм Ic (25 °C)60 А
Струм Ic (100 °C)30 А
Vce(sat) (тип., 25 °C)1,7 В
Час зворотного відновлення діода trr178 нс
КорпусTO-247
ВиробникWuxi NCE Power
СтанОригінал

IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )

В наявності

249,10 ₴
ПараметрЗначення
НомерYGW75N65HP
ВиробникLuxin Semiconductor (LU SEMI)
ТипIGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом
Напруга Vces650 В
Струм Ic (25 °C)150 А
Струм Ic (100 °C)75 А
Vce(sat)1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C)
Потужність Pd (25 °C)375 Вт
Вхідна ємність Cies4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц)
Макс. температура переходу175 °C
КорпусTO-247
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.