Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор IRG7IC28U (600V,225A) оригінал , TO220F
188,00 ₴
Немає в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Немає в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRG7IC28U – IGBT-транзистор International Rectifier для плазмових панелей (PDP), корпус TO-220F. Оригінал, не демонтаж.
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА) |
| Струм Ic при 25 °C | 25 А (TC = 25 °C, VGE = 15 В) |
| Струм Ic при 100 °C | 12 А (TC = 100 °C, VGE = 15 В) |
| Піковий струм Irp | 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс) |
| Напруга насичення Vce(on) | 1,70 В (typ, макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C) |
| Порогова напруга Vge(th) | 2,2–4,7 В (VCE = VGE, ICE = 250 мкА) |
| Напруга Vge | ±30 В |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл (typ; VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В) |
| Потужність Pd | 40 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220AB Full-Pak (TO-220F) |
| Виробник | International Rectifier |
| Стан | Оригінал |
IRG7IC28U – IGBT-транзистор International Rectifier (n-канал, trench) для плазмових панелей PDP, корпус TO-220AB Full-Pak (TO-220F). Напруга колектор-емітер Vces 600 В (VGE = 0 В, ICE = 1,0 мА). Струм колектора Ic 25 А при TC = 25 °C і 12 А при TC = 100 °C (VGE = 15 В). Повторюваний піковий струм Irp 225 А (TC = 25 °C, напівсинусоїда, шпаруватість не більше 0,02, ton = 1 мкс): це імпульсний струм, а не постійний. Напруга насичення Vce(on) типово 1,70 В (макс. 1,95 В; VGE = 15 В, ICE = 40 А, TJ = 25 °C). Заряд затвора Qg типово 70 нКл (VCE = 400 В, IC = 40 А, VGE = 15 В). Потужність розсіювання Pd 40 Вт при TC = 25 °C, температура переходу до 150 °C.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(on), заряд затвора Qg і корпус TO-220F: для схем PDP важлива низька Vce(on). Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Схеми підтримки розряду (sustain) та рекуперації енергії в плазмових панелях (PDP)
- Низька Vce(on) та низька енергія на імпульс (EPULSE) для підвищення ККД панелі
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Для чого призначений IRG7IC28U?
Для плазмових панелей PDP: схеми підтримки розряду (sustain) та рекуперації енергії.
Чи можна вважати 225 А постійним струмом?
Ні. У документі 225 А – це повторюваний піковий струм Irp (TC = 25 °C, ton = 1 мкс). Постійний Ic – 25 А при TC = 25 °C і 12 А при TC = 100 °C.
Чим замінити IRG7IC28U?
Підбирайте IGBT у тому ж корпусі TO-220F з Vces не нижче 600 В, не гіршим Ic при 100 °C та порівнянною Vce(on). Порівнюйте datasheet самостійно.
Документація виробника: IRG7IC28U (International Rectifier).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
IGBT-транзистор GT30F124 ( 30F124 ) оригінал демонтаж б/в, TO220F ( 300V , 200A )
В наявності
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.