Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор GT50N322A ( 50N322A ) оригінал, TO-218
352,50 ₴
2 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
2 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
GT50N322A – IGBT-транзистор Toshiba з вбудованим діодом для резонансних інверторів. Оригінал, корпус TO-218.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-218 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Напруга Vces | 1000 В |
| Струм Ic (DC) | 50 А |
| Імпульсний струм Icp | 120 А (1 мс) |
| Потужність Pc | 156 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4000 пФ (Vce 10 В, f 1 МГц) |
| Vce(sat) | 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В |
| Порогова напруга Vge(off) | 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В |
| Вбудований діод | є (FRD) |
| Корпус | TO-218 |
| Стан | Оригінал |
GT50N322A (50N322A) – N-канальний IGBT-транзистор Toshiba з антипаралельним діодом у корпусі TO-218. Напруга колектор–емітер Vces – 1000 В, струм колектора Ic (DC) – 50 А, імпульсний струм Icp – 120 А (1 мс), потужність розсіювання Pc – 156 Вт. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В (тип.) і 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В. Порогова напруга затвор–емітер Vge(off) – 3.0–6.0 В при Ic = 60 мА, Vce = 5 В. Вхідна ємність Cies – 4000 пФ (тип.) при Vce = 10 В, f = 1 МГц. Вбудований діод FRD: If = 15 А (DC), Vf – 1.2 В (тип.) при If = 15 А.
Товар оригінальний, не демонтаж. Час вимкнення toff – 0.70 мкс (тип.) при Vcc = 600 В, Ic = 60 А. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic, Vce(sat), наявність діода і корпус, а також розпіновку виводів та вимоги до драйвера затвора. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Резонансні інвертори
Чим замінити GT50N322A?
Потрібен N-канальний IGBT з діодом у корпусі TO-218 з Vces не нижче 1000 В і Ic не нижче 50 А. Порівняйте також Vce(sat) і розпіновку за datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у GT50N322A вбудований діод?
Так, антипаралельний FRD: If = 15 А (DC), Vf – 1.2 В (тип.) при If = 15 А.
Яка напруга насичення?
Vce(sat) – 2.2 В (тип.), 2.8 В (макс.) при Ic = 60 А, Vge = 15 В.
Документація виробника: GT50N322A (TOSHIBA).
Максимальна температура переходу, Vges, Ic при 100 °C і заряд затвора в datasheet не наведені.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.