Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
91,18 ₴
105 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
105 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
CS150N04 – N-канальний польовий транзистор Huajing Microelectronics у корпусі TO-220AB, оригінал. За даташитом застосовують у ДБЖ, інверторах і освітленні.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
CS150N04 (він же CS150N04A8, 150N04, FP150N04S, HFP150N04S) – N-канальний Trench MOSFET виробництва Huajing Microelectronics у корпусі TO-220AB. Напруга Vds 40 В. Струм стоку Id 150 А при TC = 25 °C і 90 А при TC = 100 °C, імпульсний струм Idm 600 А. Опір Rds(on) 4 мОм типово, до 4,5 мОм максимум при VGS = 10 В, ID = 50 А. Порогова напруга Vgs(th) 2,0–3,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА), напруга затвор–витік ±30 В. Заряд затвора Qg 160 нКл типово (ID = 20 А, VDD = 32 В, VGS = 10 В), вхідна ємність Ciss типово 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц). Тепловий опір перехід–корпус типово 0,83 °C/Вт, температура переходу до 150 °C. Виробник заявляє 100% контроль лавинної енергії.
Це оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте канал (N), Vds, Id, Rds(on) з однаковими умовами виміру та корпус TO-220. Варіанти з нашого складу є в таблиці аналогів. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Застосування за даташитом: ДБЖ, інвертори, освітлення.
Де застосовують
- ДБЖ
- інвертори
- освітлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FTP1404 | канал N = N, Vds 40 ≥ 40, Id(25 °C) 202 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 4.5 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Id вищий; драйвер затвора перевірте за зарядом затвора з даташита. | Купити |
| NCE40H21 | канал N = N, Vds 40 ≥ 40, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 3.2 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Id вищий; драйвер затвора перевірте за зарядом затвора з даташита. | Купити |
| S60N12R | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 5.4 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Rds(on) близький до межі правила; Vds вища. | Купити |
| RU6199R | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 3.7 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Vds вища; драйвер затвора перевірте за зарядом затвора з даташита. | Купити |
| IRFB3206 | канал N = N, Vds 60 ≥ 40, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 3 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Демонтаж. Vds вища; драйвер затвора перевірте. | Купити |
| G042N10 | канал N = N, Vds 100 ≥ 40, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×150=120, Rds(on) Vgs 10 В max 4.2 ≤ 1.3×4.5=5.85 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | Vds вища; драйвер затвора перевірте за зарядом затвора з даташита. | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити CS150N04?
Підходить N-канальний транзистор у корпусі TO-220 з Vds не менше 40 В і струмом Id та опором Rds(on) не гіршими, ніж у CS150N04. Варіанти з нашого складу є в таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Під якими ще позначеннями відома ця деталь?
CS150N04A8, 150N04, FP150N04S, HFP150N04S – ці позначення названо в заголовку товару.
Документація виробника: CS150N04 A8 (Huajing Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор G40T60AN3S ( CRG40T60AN3S ) оригінал, TO3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | IGBT n-канал з діодом (Field Stop) |
| Виробник | CRMICRO |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic при 25 °C | 80 А |
| Струм Ic при 100 °C | 40 А |
| VCE(sat) тип. | 1,8 В (IC = 40 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 165 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2758 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Pd при 25 °C | 280 Вт |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 500 В |
| Струм стоку Id (DC) | 15 А (Ta 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура каналу Tch | 150 °C |
| Напруга Vgss | ±30 В |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.