Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220
56,40 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IRF740 – N-канальний польовий транзистор Vishay Siliconix у корпусі TO-220AB, оригінал. Може замінити IRF740A.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 400 В |
| Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В) | 10 А |
| Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В) | 6.3 А |
| Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.) | 0.55 Ом |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 125 Вт |
| Qg (макс.) | 63 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Виробник | Vishay Siliconix |
| Стан | Оригінал |
IRF740 – N-канальний MOSFET виробництва Vishay Siliconix у корпусі TO-220AB. Напруга стік-витік Vds – 400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.). Струм стоку Id – 10 А при VGS 10 В і Tc 25 °C, 6.3 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 0.55 Ом при VGS 10 В, ID 6.0 А, Tj 25 °C (макс.). Розсіювана потужність Pd – 125 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір перехід-корпус RthJC – 1.0 °C/Вт (макс.). Повний заряд затвора Qg – 63 нКл (макс.) при VGS 10 В, ID 10 А, VDS 320 В. Вхідна ємність Ciss типово 1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Напруга затвор-витік – ±20 В.
Це оригінал, не демонтаж. IRF740 може замінити IRF740A; зворотна заміна не завжди можлива, взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet. Підбираючи заміну, дивіться на канал, корпус і розпіновку, а також на Vds, Id, Rds(on) та заряд затвора Qg: від нього залежить навантаження на драйвер. Прямі заміни за даними виробника – IRF740PbF та IRF740PbF-BE3. Відправка з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- MOSFET третього покоління: швидке перемикання, міцна конструкція, низький опір
- Комерційно-промислові застосування (корпус TO-220AB)
Чим замінити IRF740?
Прямі заміни за даними виробника – IRF740PbF та IRF740PbF-BE3. Для інших деталей порівняйте канал, корпус, Vds, Id, Rds(on) і Qg за datasheet.
Чи може IRF740 замінити IRF740A?
Так, IRF740 може замінити IRF740A. Зворотна заміна не завжди можлива; взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Який струм витримує IRF740?
Id 10 А при VGS 10 В і Tc 25 °C, 6.3 А при Tc 100 °C. Імпульсний струм Idm – 40 А, обмежений максимальною температурою переходу.
Документація виробника: IRF740, Document Number 91054, S21-0853-Rev. D.
Параметри наведено за datasheet виробника Vishay Siliconix.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Мікросхема TL494C ( TL494 , TL494CDR , TL494IDR , DBL494 , KIA494 ) оригінал, so-16
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Texas Instruments |
| Тип | ШІМ-контролер імпульсних блоків живлення |
| Корпус | SO-16 |
| Корпус (докладно) | SOIC (D), 16 виводів |
| Напруга живлення Vcc (рекомендована) | 7–40 В |
| Напруга живлення Vcc (абс. максимум) | 41 В |
| Напруга колектора вихідного транзистора (рекомендована) | 40 В |
| Струм колектора вихідного транзистора (рекомендований) | 200 мА |
| Частота генератора | 1–300 кГц |
| Опорна напруга REF | 5 В (4,75–5,25 В) при Io = 1 мА, TA = 25 °C |
| Точність опорної напруги | 5 % |
| Робочий діапазон температур TL494C | 0…70 °C |
| Стан | Оригінал |
Мікросхема UC3845B оригінал, so-8
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Тип | ШІМ-контролер струмового режиму |
| Корпус | SO-8 |
| Поріг увімкнення UVLO | 8.4 В (VCC зростає) |
| Поріг вимкнення UVLO | 7.6 В |
| Опорна напруга Vref | 5.0 В (IO = 1.0 мА, TJ = 25 °C) |
| Частота генератора | 52 кГц (TJ = 25 °C, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ, VCC = 15 В) |
| Макс. коефіцієнт заповнення | 48 % (VCC = 15 В, RT = 10 кОм, CT = 3.3 нФ) |
| Струм виходу, макс. | 1.0 А (абсолютний максимум) |
| VCC, макс. | 36 В (абсолютний максимум) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор RU6199R ( RU6199 ) оригінал , TO220(Заміна для STP140N6F7 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 200 А (розрахунково, обмежено корпусом 75 А) |
| Струм Id (100 °C) | 140 А (розрахунково) |
| Rds(on) | 2.8 мОм (тип.), 3.7 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 40 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 155 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5800 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Ruichips |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SPW16N50C3 ( 16N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| V(BR)DSS | 500 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Струм Id | 16 А (Tc 25 °C); 10 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,25 Ом тип., 0,28 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 10 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 66 нКл тип. (Vdd 380 В, Id 16 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Ptot | 160 Вт (Tc 25 °C) |
| Vgs | ±20 В |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.