Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHA20N50 оригінал , TO-3P
282,00 ₴
147 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
147 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
FHA20N50 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) у корпусі TO-3P, оригінал. За даташитом FHA20N50A: 500 В, 20 А. Для імпульсних блоків живлення і зварювальних апаратів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 20 А (Tc 25 °C), 12,9 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,26 Ом макс. (типово 0,21 Ом) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 50 нКл (типово) |
| Вхідна ємність Ciss | 2550 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 380 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
FHA20N50 – N-канальний MOSFET у корпусі TO-3P, оригінал. Точного даташиту на FHA20N50 не знайшли, тому параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі FHA20N50A (Feihong). За рисунком маркування цього документа на корпусі написано FHA20N50, а літера A стоїть окремим рядком. Напруга стік–витік Vds – 500 В. Струм стоку Id – 20 А при Tc 25 °C і 12,9 А при Tc 100 °C, імпульсний – 80 А. Опір відкритого каналу Rds(on) – типово 0,21 Ом, не більше 0,26 Ом при Vgs 10 В. Порогова напруга Vgs(th) – 2,0–4,0 В. Заряд затвора Qg типово 50 нКл, вхідна ємність Ciss типово 2550 пФ. Потужність розсіювання Pd – 380 Вт при Tc 25 °C, тепловий опір перехід–корпус – до 0,44 °C/Вт. Напруга затвор–витік – до ±30 В, температура переходу – до 150 °C. Час зворотного відновлення вбудованого діода trr – типово 154 нс.
Оригінал, не демонтаж. За даташитом FHA20N50A такі транзистори ставлять у зварювальні апарати, імпульсні блоки живлення і схеми корекції коефіцієнта потужності. Підбираючи заміну, порівнюйте тип каналу (N), Vds, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора і корпус TO-3P. Відправляємо Новою Поштою по всій Україні в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Зварювальні апарати
- Високоефективні імпульсні блоки живлення
- Корекція коефіцієнта потужності
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим замінити FHA20N50?
N-канальним MOSFET у корпусі TO-3P з Vds не нижче 500 В, струмом Id не менше 20 А при Tc 25 °C і Rds(on) не більше 0,26 Ом при Vgs 10 В. Параметри FHA20N50 наведено за даташитом FHA20N50A, тому взаємозамінність перевіряйте за документацією на ваш пристрій.
Що означає літера A у FHA20N50A?
За рисунком маркування в документі Feihong на корпусі написано FHA20N50, а літера A стоїть окремим рядком як код продукту.
Звідки параметри FHA20N50?
Точного даташиту на FHA20N50 не знайшли. Параметри наведено за даташитом найближчої схожої деталі – FHA20N50A (Feihong). Точний збіг усіх значень не гарантуємо.
Найближчий datasheet: FHA20N50A (Feihong).
Точного даташиту на FHA20N50 не знайдено. Найближчий схожий даташит – FHA20N50A (Feihong).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор FTP08N06A оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IPS (InPower Semiconductor) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 120 А (TC = 25 °C; обмежено корпусом до 75 А) |
| Опір Rds(on) | 8.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 76 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4440 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRFB3206 ( IRFB3206G ) оригінал демонтаж, TO220(60V,210A,2.4mR)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N (HEXFET) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 210 А (Tc 25 °C, Vgs 10 В, обмеження кремнієм; корпус – 120 А) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 150 А (Tc 100 °C, Vgs 10 В) |
| Rds(on) | 2.4 мОм тип., 3.0 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 75 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 150 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 120 нКл тип. (Id 75 А, Vds 30 В, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6540 пФ |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL1404 оригінал , TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень керування |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А) |
| Rds(on) | не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 200 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF12N60F оригінал (заміна для FQPF12N60C , 12N60 , FDPF12N60 , FDPF12N60NZ , ITA12N60R ), TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 12 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 7.6 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.58 Ом при Vgs 10 В, Id 6 А, Tc 25 °C; макс. 0.75 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 34 нКл при Vds 480 В, Id 12 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 1367 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В при Vds = Vgs, Id 250 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 51 Вт при Tc 25 °C, корпус TO-220F |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | Silan |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.