Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор S60N12R оригінал, TO220(60V,120A)

79,90 ₴

91 в наявності

Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня

Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

91 в наявності

Нова Пошта по всій Україні

Відправка в день оплати або наступного дня

Оплата

На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем

Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.

S60N12R – N-канальний MOSFET SI-TECH на 60 В і 120 А у корпусі TO-220. Оригінал.

ПараметрЗначення
КорпусTO-220

Гарантія оригінальності

Перевірка перед відправкою

Datasheet PDF

Консультація інженера

Додаткова інформація
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds60 В
Струм стоку Id (TC 25 °C)120 А
Струм стоку Id (TC 100 °C)76 А
Rds(on) (VGS=10 В, ID=40 А)4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.)
Vgs(th)2,4–3,6 В
Qg86 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd (TC 25 °C)162 Вт
Tj макс.150 °C
КорпусTO-220
ВиробникSI-TECH
СтанОригінал
Опис

S60N12R – N-канальний MOSFET виробництва SI-TECH у корпусі TO-220. Напруга Vds – 60 В, струм стоку Id – 120 А при TC 25 °C і 76 А при TC 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 4,5 мОм (тип.), 5,4 мОм (макс.) при VGS=10 В, ID=40 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2,4–3,6 В при VGS=VDS, ID=250 мкА. Заряд затвора Qg – 86 нКл (тип.) при VDD=40 В, VGS=10 В, ID=40 А. Вхідна ємність Ciss типово 3222 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 162 Вт при TC 25 °C, температура переходу до 150 °C. Вбудований діод є: Vsd до 1 В, trr 60 нс (тип.) при IS=45 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс.

Оригінал. Підбираючи заміну, звіряйте канал (N), напругу Vds, струм Id, Rds(on) при VGS 10 В і корпус TO-220, а також заряд затвора: більший Qg дає більше навантаження на драйвер. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.

Де застосовують

  • Керування двигунами постійного струму
  • DC-DC перетворювачі
  • BMS
  • Імпульсні джерела живлення
  • Автомобільна електроніка
Аналоги та заміни

Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.

Модель Чому підходить Примітка
PDP8974 канал N = N, Vds 80 ≥ 60, Id(25 °C) 120 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.9 ≤ 1.3×5.4=7.02 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Порівняйте заряд затвора за datasheet Купити
NCE82H140 канал N = N, Vds 82 ≥ 60, Id(25 °C) 140 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 5.2 ≤ 1.3×5.4=7.02 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Порівняйте заряд затвора за datasheet Купити
RU6199R канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 200 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.7 ≤ 1.3×5.4=7.02 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Порівняйте заряд затвора за datasheet Купити
IRFB3206 канал N = N, Vds 60 ≥ 60, Id(25 °C) 210 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3 ≤ 1.3×5.4=7.02 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Демонтаж; порівняйте заряд затвора за datasheet Купити
NCEP85T16 канал N = N, Vds 85 ≥ 60, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×120=96, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×5.4=7.02 мОм, корпус TO-220 = TO-220 Порівняйте заряд затвора за datasheet Купити

Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.

Часто питають
Чим замінити S60N12R?

Підходить N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 60 В, струмом Id порівнянним із 120 А при TC 25 °C і Rds(on) не гіршим за 5,4 мОм при VGS=10 В. У каталозі є PDP8974, NCE82H140, RU6199R, IRFB3206, NCEP85T16. Порівняйте datasheet.

Це оригінальна деталь чи демонтаж?

Оригінал, не демонтаж.

Чи підходить для керування двигуном і BMS?

У datasheet такі застосування вказані: двигуни постійного струму, BMS, DC-DC перетворювачі. Струм 120 А дається при TC 25 °C, при TC 100 °C – 76 А.

Який діод у транзистора?

Вбудований діод є, Vsd до 1 В, trr 60 нс (тип.) при IS=45 А, VGS=0 В, dIF/dt=100 А/мкс.

Datasheet

Документація виробника: S60N12R.

Доставка й оплата

Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.

Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.

Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.

Не впевнені, чи підійде?

Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.

Запитати інженера

З цим товаром купляють

IGBT-транзистор 60N60FD1 ( SGT60N60FD1 , SGT60N60FD1PN ) оригінал , TO-3P

В наявності

134,42 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vces600 В (Tc 25 °C)
Струм Ic (25 °C)120 А
Струм Ic (100 °C)60 А
Розсіювана потужність Pd321 Вт
Напруга насичення Vce(sat)2.2 В тип. / 2.7 В макс. (60 А, 15 В)
КорпусTO-3P
Вбудований діодє (FRD)
Робоча температура Tj-55…+150 °C
СтанОригінал

Схожі товари

Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247

В наявності

96,35 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN-канал
Напруга Vdss80 В (Tc 25 °C)
Струм Id (25 °C)200 А
Струм Id (100 °C)153 А
Rds(on)2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А
Vgs(th)2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА
Qg195 нКл (тип.)
Вхідна ємність Ciss7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Pd397 Вт (Tc 25 °C)
Tj макс.175 °C
КорпусTO-247
ВиробникHooyi (Huayi)
СтанОригінал

Транзистор IRL1404 оригінал , TO220

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
ВиробникInfineon (International Rectifier)
Тип каналуN-канал, логічний рівень керування
Напруга Vdss40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм Id160 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В; обмеження корпусом 75 А)
Rds(on)не більше 4,0 мОм (VGS = 10 В, ID = 95 А, Tj 25 °C)
Порогова напруга Vgs(th)1,0–3,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Розсіювана потужність Pd200 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss6590 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs±20 В (абсолютний максимум)
КорпусTO-220
СтанОригінал

Транзистор TK15A50D ( K15A50D ) оригінал , TO220F

В наявності

216,20 ₴
ПараметрЗначення
Напруга Vdss500 В
Струм стоку Id (DC)15 А (Ta 25 °C)
Опір Rds(on)0.24 Ом тип., 0.3 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 7.5 А)
Порогова напруга Vgs(th)2.0–4.0 В (Vds 10 В, Id 1 мА)
Потужність Pd50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss2300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Температура каналу Tch150 °C
Напруга Vgss±30 В
КорпусTO-220F
ВиробникToshiba
СтанОригінал

Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220

В наявності

164,50 ₴
ПараметрЗначення
Тип каналуN
Напруга Vds68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.)
Струм стоку Id95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C
Rds(on)6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А
Vgs(th)2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА
Заряд затвора Qg70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А
Вхідна ємність Ciss4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц)
Потужність Pd130.5 Вт при TC 25 °C
Макс. температура переходу Tj175 °C
КорпусTO-220
СтанОригінал

Відгуки (0)

0 відгуків на цей товар
0
0
0
0
0

Відгуків немає, поки що.

Залишити відгук

Ваша e-mail адреса не буде опублікована. Обов’язкові поля позначені *

1 2 3 4 5
1 2 3 4 5
1 2 3 4 5