Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор NCE82H140 оригінал, TO220
57,34 ₴
53 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
53 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
NCE82H140 – N-канальний польовий транзистор (MOSFET) NCE на 82 В і 140 А у корпусі TO-220. Оригінал, не демонтаж.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 82 В (TC 25 °C) |
| Струм Id | 140 А (TC 25 °C), 99 А (TC 100 °C) |
| Rds(on) | 4,3 мОм, макс. 5,2 мОм (VGS 10 В, ID 20 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 158 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 7900 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 220 Вт (TC 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
NCE82H140 – N-канальний MOSFET виробництва NCE (Wuxi NCE Power) у корпусі TO-220-3L, режим збагачення, технологія trench. Напруга стік–витік Vds 82 В при TC 25 °C. Струм стоку Id 140 А при TC 25 °C і 99 А при TC 100 °C, імпульсний Idm 480 А. Опір відкритого каналу Rds(on) 4,3 мОм (макс. 5,2 мОм) при VGS 10 В, ID 20 А. Порогова напруга Vgs(th) 2–4 В (тип. 3 В), заряд затвора Qg 158 нКл при VDS 40 В, ID 20 А, VGS 10 В. Вхідна ємність Ciss типово 7900 пФ (Vds 40 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання 220 Вт при TC 25 °C, робоча температура переходу від –55 до 175 °C.
Оригінал, не демонтаж. Щоб підібрати заміну, порівняйте тип каналу, корпус і розпіновку: вони мають збігатися. Vds і Id заміни мають бути не нижчими, а Rds(on) – не вищим за 5,2 мОм при VGS 10 В. Qg у 158 нКл відносно великий, тому звіряйте заміну з вашим драйвером затвора. Відправка Новою Поштою з Запоріжжя в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Силові ключові схеми
- Схеми з жорсткою комутацією та високою частотою
- Джерела безперебійного живлення
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| NCEP85T16 | канал N = N, Vds 85 ≥ 82, Id(25 °C) 160 ≥ 0.8×140=112, Rds(on) Vgs 10 В max 3.8 ≤ 1.3×4.3=5.59 мОм, корпус TO-220 = TO-220 | перевірте Qg і драйвер затвора за datasheet | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити NCE82H140?
Шукайте N-канальний MOSFET у TO-220 з Vds не нижче 82 В, Id не нижче 140 А при TC 25 °C і Rds(on) не вище 5,2 мОм при VGS 10 В. У нашому каталозі є NCEP85T16, його параметри наведено в таблиці аналогів.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Як перевірити NCE82H140 мультиметром?
Розрядіть виводи, потім у режимі перевірки діодів перевірте вбудований діод між стоком і витоком і відсутність провідності між затвором та іншими виводами. Розпіновку беріть з datasheet.
Який заряд затвора в NCE82H140?
Qg 158 нКл при VDS 40 В, ID 20 А, VGS 10 В. Це важливо для вибору драйвера затвора.
Документація виробника: NCE82H140 (NCE).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
Транзистор FDPF16N50 ( FDPF16N50T , FDPF16N50UT ) оригінал ( заміна для FQPF16N50 , WFF16N50N , KIA16N50H , 15N50CF ) , TO220F
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Тип каналу | N (UniFET) |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 16 А (температура не вказана) |
| Rds(on) | 0.31 Ом тип., 0.38 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 8 А) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 32 нКл тип., 45 нКл макс. (VDS = 400 В, ID = 16 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SPW21N50C3 ( 21N50C3 ) оригінал , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 21 А (при 25 °C, макс.) |
| Імпульсний струм Id | 63 А (макс.) |
| Опір Rds(on) | 190 мОм (Vgs 10 В, макс.) |
| Заряд затвору Qg | 95 нКл (тип., Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.1–3.9 В |
| Потужність Ptot | 208 Вт (макс.) |
| Rth(j-c) | 0.6 К/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Infineon |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TTP95N68A ( 95N68A ) оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 68 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id | 95 А при TC 25 °C; 66 А при TC 100 °C |
| Rds(on) | 6.5 мОм (тип.), 7.5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 30 А |
| Vgs(th) | 2–4 В (тип. 3 В) при VDS = VGS, ID = 250 мкА |
| Заряд затвора Qg | 70 нКл при VGS = 10 В, VDD = 30 В, ID = 20 А |
| Вхідна ємність Ciss | 4169 пФ (Vds 30 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130.5 Вт при TC 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.