Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор YGP20N65T2 оригінал, TO220
122,67 ₴
32 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
32 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
YGP20N65T2 – IGBT-транзистор Trench Field Stop з вбудованим діодом у корпусі TO-220. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-220 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT Trench Field Stop з діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип., 2,05 В макс. (VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C) |
| Vge(th) | 4,4 / 5,4 / 6,4 В (мін. / тип. / макс.; VGE = VCE, IC = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл (VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 125 Вт (Tj = 25 °C) |
| Tj max | 175 °C |
| Діод | є, антипаралельний |
| Стан | Оригінал |
YGP20N65T2 – IGBT-транзистор Trench Field Stop з антипаралельним діодом виробника Luxin Semiconductor (LU SEMI), корпус TO-220. Напруга колектор–емітер Vces 650 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора Ic 40 А при Tc = 25 °C і 20 А при Tc = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) 1,65 В (тип.) і 2,05 В (макс.) при VGE = 15 В, IC = 20 А, Tj = 25 °C. Потужність розсіювання 125 Вт (Tj = 25 °C), максимальна температура переходу 175 °C. Заряд затвора Qg 45 нКл при VCC = 520 В, IC = 20 А, VGE = 15 В. Вхідна ємність Cies типово 1050 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц). Деталь витримує коротке замикання 5 мкс (VGE = 15 В, VCE до 400 В).
Це оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте Vces, Ic при 100 °C, Vce(sat), наявність діода і заряд затвора. Корпус TO-220 і розпіновка мають збігатися. Відправка в день оплати або наступного дня, Нова Пошта, Запоріжжя.
Де застосовують
- Схеми м'якого перемикання
- Кондиціонери
- Інвертори приводу двигунів
Чим замінити YGP20N65T2?
Потрібен IGBT у корпусі TO-220 з тією ж розпіновкою, Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше ніж у цієї деталі (20 А) і вбудованим діодом. Порівнюйте Vce(sat) і заряд затвора в datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чим відрізняються YGP20N65T2 і YGW20N65T2?
Документ спільний для YGF (TO-220F), YGK (TO-263), YGP (TO-220) і YGW (TO-247): це одна серія в різних корпусах. Тут корпус TO-220, потужність 125 Вт вказана для TO-220 і TO-263.
Для яких схем підходить YGP20N65T2?
Для схем м'якого перемикання, кондиціонерів та інверторів приводу двигунів.
Документація виробника: YGP20N65T2 (luxin-semi).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
CRJT190N65GCF ( CRJT190N65GC ) – оригінальний транзистор ,TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, Super Junction |
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Напруга Vds | 650 В мін. (Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 24 А (TC=25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15.3 А (TC=100 °C) |
| Опір Rds(on) | 181 мОм тип., 210 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–4.5 В (Vds=Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 41 нКл тип. (Vgs 10 В, Vds 480 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 1427 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 245 Вт (TC=25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор CRTT067N10N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип каналу | N-канал, Trench |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 147 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 93 А |
| Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 50 А, Tj 25 °C) | 5.2 мОм тип., 6.7 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg | 135 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 5779 пФ |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 280 Вт |
| Макс. температура Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор FGH30S130P оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | onsemi |
| Напруга колектор–емітер Vces | 1300 В (Tc 25 °C) |
| Напруга затвор–емітер Vges | ±25 В |
| Струм колектора Ic | 60 А (Tc 25 °C); 30 А (Tc 100 °C) |
| Імпульсний струм Icm | 90 А (обмежено Tj max) |
| Потужність розсіювання Pd | 500 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,75 В typ / 2,3 В max (Ic 30 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Заряд затвора Qg | 372,3 нКл (Vce 600 В, Ic 30 А, Vge 15 В) |
| Вхідна ємність Cies | 3345 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор IRGP20B60PD ( GP20B60PD ) оригінал демонтаж б/в , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IRGP20B60PD |
| Маркування | GP20B60PD |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | IGBT-транзистор NPT (WARP2) з діодом HEXFRED |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (100 °C) | 22 А |
| Vce(on) | 2,05 В тип. (IC = 13 А, VGE = 15 В, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 220 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1570 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор YGW75N65HP оригінал , TO247(заміна для YGW75N65F1 , YGW75N65T1 , 75N65FL2 , NGTB75N65FL2WG )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | YGW75N65HP |
| Виробник | Luxin Semiconductor (LU SEMI) |
| Тип | IGBT-транзистор Trench Field Stop з діодом |
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм Ic (25 °C) | 150 А |
| Струм Ic (100 °C) | 75 А |
| Vce(sat) | 1,65 В тип. (VGE = 15 В, IC = 75 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 375 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 4700 пФ (Vce 25 В, f 100 кГц) |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.