Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Знято з плати. Перевірено інженером: тестер на пробій та обрив виводів.
Транзистор K50EEH5 ( IKW50N65EH5 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
258,50 ₴
8 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
8 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор Infineon IKW50N65EH5 (K50EEH5) з вбудованим швидким діодом, 650 В / 50 А (100 °C), корпус TO-247. Оригінал, демонтаж б/в – знятий з плати, перевірений перед відправкою.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В (Tvj ≥25 °C) |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 275 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1.65 В тип. / 2.1 В макс. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C) |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | Vrrm 650 В, If 50 А при 100 °C, trr 81 нс |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IKW50N65EH5 (K50EEH5) – IGBT-транзистор Infineon TRENCHSTOP 5 з вбудованим швидким діодом RAPID 1, у корпусі TO-247-3. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В (Tvj ≥25 °C), струм колектора Ic – 80 А при Tc=25 °C і 50 А при Tc=100 °C. Розсіювана потужність Pd – 275 Вт при 25 °C (138 Вт при 100 °C). Напруга насичення Vce(sat) – 1.65 В типове (2.1 В макс.) при Ic=50 А, Vge=15 В, Tvj=25 °C. Час спаду tf – 35 нс, сумарна енергія перемикання Ets – 2.0 мДж (Vcc=400 В, Vge=15 В, Rg=12 Ом, Ic=50 А). Вбудований діод витримує зворотну напругу 650 В і прямий струм 50 А при 100 °C, час відновлення trr – 81 нс.
У продажу є оригінал і знятий з плати демонтаж – перевірений перед відправкою. Перед встановленням звіряйте маркування на корпусі з номером IKW50N65EH5 (або K50EEH5) і перевіряйте цілісність виводів. Підбираючи заміну, орієнтуйтеся на ті самі межі: Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше 40 А (0.8× від номіналу), порівнянну Vce(sat) і наявність вбудованого діода.
Де застосовують
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Сонячні перетворювачі
- Зварювальні перетворювачі
- Перетворювачі середньої та підвищеної частоти перемикання
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| KGF75N65KDF (75N65KDF) | IGBT: Vces 650В ≥650В, Ic(100°C) 75А ≥0.8×50=40А, Vce(sat) 1.77В порівнянне з 1.65В, вбудований діод є у обох | той самий корпус TO-247 | Купити |
| FGA60N65SMD | IGBT: Vces 650В ≥650В, Ic(100°C) 60А ≥40А, Vce(sat) 1.9В порівнянне з 1.65В, вбудований діод є у обох | корпус TO-3PN, відрізняється від TO-247-3 – перевірте розпіновку перед монтажем | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чим замінити IKW50N65EH5 (K50EEH5), якщо немає в наявності?
Серед транзисторів цієї категорії в наявності є KGF75N65KDF (Vces 650 В, Ic 75 А при 100 °C) і FGA60N65SMD (Vces 650 В, Ic 60 А при 100 °C) – обидва проходять за напругою, струмом і наявністю вбудованого діода; звіряйте корпус, бо в оригіналу TO-247-3, а у FGA60N65SMD – TO-3PN.
Як перевірити K50EEH5 мультиметром перед встановленням?
У режимі перевірки діода виміряйте падіння напруги між колектором і емітером у прямому й зворотному напрямку та опір затвор-емітер (має бути розімкнено); показання поза нормою або коротке замикання свідчать про пробій.
Чи підходить K50EEH5 для зварювального інвертора?
Так, за даними виробника деталь призначена для зварювальних перетворювачів, а також UPS і сонячних перетворювачів.
Що означає «оригінал демонтаж» для цього транзистора?
У продажу є нові оригінальні деталі та зняті з плати – їх перевіряють перед відправкою; тип конкретної одиниці уточнюйте при замовленні.
Документація виробника: IKW50N65EH5 Data Sheet, Revision 1.10.
У даташиті виробника не вдалося однозначно прочитати параметри Vgeth, Ices, Iges через збій верстки таблиці – в картці їх немає.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор K50MCH3 ( IKQ50N120CH3 ) оригінал демонтаж б/в, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon Technologies |
| Корпус | TO-247 |
| Напруга колектор–емітер Vce | 1200 В (Tvj 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 100 А (Tc 25 °C, обмежений Tvjmax); 50 А (Tc 135 °C) |
| Імпульсний струм колектора | 200 А (обмежений Tvjmax) |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.00 В тип., 2.35 В макс. (Vge=15 В, Ic=50 А) |
| Пряма напруга діода Vf | 1.90 В тип., 2.30 В макс. (Vge=0 В, If=50 А) |
| Заряд затвора Qg | 235 нКл (Vcc=960 В, Ic=40 А, Vge=15 В) |
| Час спаду tf | 30 нс (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Енергія вимкнення Eoff | 1.90 мДж (Vcc=600 В, Ic=50 А, Vge=0/15 В, Rg=10 Ом) |
| Розсіювана потужність Ptot | 652 Вт (Tc 25 °C) |
| Робоча температура переходу Tvj | -40…175 °C |
| Тепловий опір IGBT перехід–корпус | 0.23 К/Вт (макс.) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор KGF75N65KDF ( 75N65KDF ) оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 75 А |
| Напруга насичення Vce(sat) | 1,77 В тип. / 2,2 В макс. (Ic 75 А, Vge 15 В, Tc 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 484 Вт (Tc 25 °C) |
| Максимальна температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Вбудований діод | так (co-pack) |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.