Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
164,50 ₴
52 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
52 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
IGBT-транзистор Silan SGT50T65FD1PN (50T65FD1) з вбудованим швидким діодом, 650 В / 50 А (100 °C), корпус TO-3P. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-3P |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
SGT50T65FD1PN (50T65FD1) – IGBT-транзистор Hangzhou Silan Microelectronics з вбудованим швидким діодом (Field Stop IV, FRD), у корпусі TO-3P. Напруга колектор-емітер Vces – 650 В, струм колектора Ic – 100 А при Tc=25 °C і 50 А при Tc=100 °C, імпульсний струм Icm – 150 А. Розсіювана потужність Pd – 235 Вт при 25 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 2.2 В типове при Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C (2.4 В типове при 125 °C). Енергія включення Eon – 2.8 мДж, вимкнення Eoff – 1.0 мДж (Vce=400 В, Ic=50 А, Vge=15 В, Rg=10 Ом). Вбудований діод: пряма напруга Vf 1.95 В при If=25 А, час відновлення trr 33 нс.
У продажу – оригінал. У назві товару вказано «Заміна для TGAN50N60SFD, 50N60SFD» – це заява продавця, виробником не підтверджена, тому перед заміною звіряйте розпіновку й умови вашої схеми. Підбираючи заміну, орієнтуйтеся на ті самі межі: Vces не нижче 650 В, Ic при 100 °C не менше 40 А (0.8× від номіналу), порівнянну Vce(sat) і наявність вбудованого діода.
Де застосовують
- Індукційний нагрів (Induction Heating)
- Джерела безперебійного живлення (UPS)
- Імпульсні джерела живлення (SMPS)
- Корекція коефіцієнта потужності (PFC)
Заміни з нашого каталогу, підібрані за параметрами datasheet. Не впевнені – надішліть фото плати, підберемо.
| Модель | Чому підходить | Примітка | |
|---|---|---|---|
| FGA60N65SMD | IGBT: Vces 650В ≥650В, Ic(100°C) 60А ≥0.8×50=40А, Vce(sat) 1.9В порівнянне з 2.2В, вбудований діод є у обох | корпус TO-3PN, близький до TO-3P – перевірте розпіновку перед монтажем | Купити |
| KGF75N65KDF | IGBT: Vces 650В ≥650В, Ic(100°C) 75А ≥40А, Vce(sat) 1.77В порівнянне з 2.2В, вбудований діод є у обох | інший корпус TO-247 замість TO-3P – потрібна інша розпіновка й монтаж | Купити |
| K50EEH5 (IKW50N65EH5) | IGBT: Vces 650В ≥650В, Ic(100°C) 50А ≥40А, Vce(sat) 1.65В порівнянне з 2.2В (навіть нижче), вбудований діод є у обох | інший корпус TO-247-3 замість TO-3P | Купити |
Вказаний перелік аналогів носить ознайомчий характер. Сумісність треба обов'язково перевіряти самостійно, порівнюючи параметри, вказані в datasheet.
Чи справді 50T65FD1 замінює TGAN50N60SFD і 50N60SFD?
Це заявлено в назві товару продавцем, виробник Silan цього прямо не підтверджує; перед заміною звіряйте розпіновку та умови вашої схеми.
Чим замінити 50T65FD1, якщо немає в наявності?
Серед транзисторів цієї категорії в наявності є FGA60N65SMD (Vces 650 В, Ic 60 А при 100 °C) і KGF75N65KDF (Vces 650 В, Ic 75 А при 100 °C) – обидва з вбудованим діодом, але в іншому корпусі (TO-3PN і TO-247 замість TO-3P), тому перевіряйте розпіновку.
Як перевірити 50T65FD1 мультиметром перед встановленням?
У режимі перевірки діода виміряйте падіння напруги між колектором і емітером у прямому й зворотному напрямку та опір затвор-емітер (має бути розімкнено); показання поза нормою або коротке замикання свідчать про пробій.
Чи підходить 50T65FD1 для індукційного нагріву?
Так, за даними виробника деталь призначена для індукційного нагріву, UPS, імпульсних джерел живлення і корекції коефіцієнта потужності (PFC).
Документація виробника: SGT50T65FD1PN/P7/PS/PT Datasheet, Rev.2.0.
Vce(sat) за даними LCSC (≈2.0 В) незначно відрізняється від даташита (2.2 В типове при 25 °C) – можлива інша умова вимірювання, у картці наведено значення з офіційного даташита.
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор CRST025N08N оригінал, TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CR Micro (China Resources Microelectronics) |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм Id (кремній, TC 25 °C) | 240 А |
| Струм Id (корпус, TC 25 °C) | 180 А |
| Струм Id (TC 100 °C) | 152 А |
| Rds(on) при VGS=10 В, ID=90 А | 2 мОм |
| Vgs(th) | 2,2–3,8 В |
| Заряд затвора Qg | 217 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 12191 пФ |
| Потужність Pd (TC 25 °C) | 227 Вт |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHP150N06 оригінал(Заміна для CS150N06 ), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 150 А (TC = 25 °C) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 95 А (TC = 100 °C) |
| Опір Rds(on) | 5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 40 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (VDS = 44 В, ID = 62 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4377 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 210 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор S60N15R оригінал, TO220(60V,155A)
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В (VGS 0, ID 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 155 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 98 А |
| Опір Rds(on) | 3.5 мОм тип. (макс. 4.2), VGS 10 В, ID 40 А |
| Заряд затвора Qg | 114 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 4400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2.4–3.6 В |
| Потужність Pd | 208 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Тип каналу | N |
| Виробник | SI-TECH |
| Стан | Оригінал |
Схожі товари
IGBT-транзистор GP19NC60KD ( STGP19NC60KD ) оригінал , TO220(Заміна для IGP15T60F )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vces | 600 В (VGE = 0 В) |
| Струм Ic (100 °C) | 20 А |
| Струм Ic (25 °C) | 35 А (розрахунок за формулою виробника) |
| Імпульсний струм Icp | 75 А |
| Vce(sat) | 2,0 В typ, 2,75 В max (VGE = 15 В, Ic = 12 А, TC = 25 °C) |
| Потужність Ptot | 125 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Cies | 1170 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
IGBT-транзистор NCE60TD60BT оригінал, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Wuxi NCE Power |
| Тип | IGBT з антипаралельним діодом |
| Напруга Vces | 600 В |
| Струм Ic (25 °C) | 120 А |
| Струм Ic (100 °C) | 60 А |
| Потужність Pd (25 °C) | 316 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 60 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.7 В |
| Заряд затвора Qg | 262 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 7018 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 60 А, 25 °C) | 1.7 В |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.