Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор HY4008W ( HY4008 ) оригінал (80V,200A),TO247
96,35 ₴
31 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
31 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
HY4008W (HY4008) – N-канальний польовий транзистор Hooyi у корпусі TO-247 на 80 В, 200 А при Tc 25 °C. Оригінал.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 80 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 200 А |
| Струм Id (100 °C) | 153 А |
| Rds(on) | 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА |
| Qg | 195 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 397 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Hooyi (Huayi) |
| Стан | Оригінал |
HY4008W (HY4008) – N-канальний MOSFET виробника Hooyi (Huayi) у корпусі TO-247-3L. Напруга стік–витік Vdss – 80 В при Tc 25 °C. Струм стоку Id – 200 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 153 А при Tc 100 °C. Опір відкритого каналу Rds(on) – 2.9 мОм (тип.), 3.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 100 А. Порогова напруга Vgs(th) – 2.0–4.0 В (тип. 3.0 В) при Id 250 мкА. Заряд затвора Qg – 195 нКл (тип.) при Vds 64 В, Vgs 10 В, Id 100 А. Вхідна ємність Ciss типово 7398 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 397 Вт при Tc 25 °C, максимальна температура переходу – 175 °C. Вбудований діод є: Vsd 0.8 В (тип.), 1.2 В (макс.) при Isd 100 А, trr 30 нс.
Оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівняйте тип каналу, Vdss, Id, Rds(on) при Vgs 10 В, заряд затвора Qg і розпіновку корпусу TO-247. Відправляємо з Запоріжжя Новою Поштою в день оплати або наступного дня.
Чим замінити HY4008W?
Підбирайте N-канальний MOSFET у корпусі TO-247 із тією ж розпіновкою, Vdss не нижче 80 В, не меншим струмом Id і не вищим Rds(on) при Vgs 10 В. Якщо Qg більший, ніж 195 нКл, перевірте драйвер затвора. Порівнюйте datasheet.
Яка у HY4008W напруга й струм?
Vdss 80 В, Id 200 А при Tc 25 °C (обмежено температурою переходу) і 153 А при Tc 100 °C.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у HY4008W вбудований діод?
Так: Vsd 0.8 В (тип.), 1.2 В (макс.) при Isd 100 А, Vgs 0 В; trr 30 нс при di/dt 100 А/мкс.
Документація виробника: HY4008W (HUAYI).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Транзистор BD139 , TO126 ( BD135 , BD137 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | 80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В |
| Струм колектора Ic | 1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | 0.5 В при Ic 0.5 А, Ib 0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic 150 мА, Vce 2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Транзистор BD140 , TO126 ( BD136 , BD138 )
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -80 В |
| Напруга колектор–база Vcbo | -80 В |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -1.5 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | -3 А |
| Потужність розсіювання Ptot | 12.5 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Напруга насичення Vce(sat) | -0.5 В при Ic -0.5 А, Ib -0.05 А |
| Коефіцієнт підсилення hFE | 40–250 при Ic -150 мА, Vce -2 В |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
Схожі товари
Транзистор FQA16N50 ( Заміна для FSA16N50 , FDA16N50 , 16N50 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id (Tc 25 °C) | 16.5 А |
| Струм Id (Tc 100 °C) | 9.9 А |
| Rds(on) | 0.31 Ом (тип.), 0.38 Ом (макс.) при Vgs 10 В, Id 8.3 А |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В |
| Потужність розсіювання | 205 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1495 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FTP1404 оригінал(40V,202A), TO220
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 40 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 202 А |
| Струм Id (100 °C) | 143 А |
| Rds(on) | 3.5 мОм (тип.), 4.5 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 81 А |
| Vgs(th) | 2–4 В при Id 250 мкА |
| Qg | 103.6 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5431 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 271 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | IPS |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFP23N50L ( SiHFP23N50L ) оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал |
| Виробник | Vishay |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм стоку Id (25 °C) | 23 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 15 А (VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0.190 Ом тип. (VGS = 10 В, ID = 14 А) |
| Заряд затвора Qg | 150 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Розсіювана потужність Pd | 370 Вт (TC = 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 170 нс тип. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор STW12NK95Z оригінал демонтаж, TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 950 В при Vgs 0 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 10 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 6.3 А |
| Опір Rds(on) (тип.) | 0.69 Ом при Vgs 10 В, Id 5 А, Tc 25 °C; макс. 0.9 Ом |
| Заряд затвора Qg (тип.) | 113 нКл при Vdd 760 В, Id 10 А, Vgs 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3–4.5 В при Vds = Vgs, Id 100 мкА |
| Потужність розсіювання Pd | 230 Вт при Tc 25 °C |
| Макс. температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.