Всі фото на сайті зроблені самостійно з реального товару, але зовнішній вигляд, маркування, номер партії, дата виробництва можуть дещо відрізнятися від представленого на фото залежно від партії постачання, що не впливає на характеристики та якість товарів.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 20T135QR1 ( SGT20T135QR1P7 ) оригінал, TO247
188,00 ₴
1 в наявності
Накладений платіж або на картку · Нова Пошта, відправка в день оплати або наступного дня
Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
1 в наявності
Нова Пошта по всій Україні
Відправка в день оплати або наступного дня
Оплата
На рахунок ФОП, на картку або накладеним платежем
Якщо в назві товару є слово оригінал, то це дійсно оригінальний товар. Якщо ж цього слова немає, оригінальність можна уточнити, зв’язавшись з нами.
20T135QR1 (SGT20T135QR1P7) – IGBT-транзистор Silan Microelectronics зі вбудованим діодом, оригінал. Для схем індукційного нагріву.
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Корпус | TO-247 |
Гарантія оригінальності
Перевірка перед відправкою
Datasheet PDF
Консультація інженера
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Номер | SGT20T135QR1P7 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,8 В, макс. 2,2 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
20T135QR1 – маркування IGBT SGT20T135QR1P7 виробництва Silan Microelectronics у корпусі TO-247-3L. Це інверсний IGBT з технологією зворотної провідності: у кристал вбудований зворотний діод. Напруга колектор–емітер Vce – 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА). Струм колектора Ic – 40 А при TC = 25 °C і 20 А при TC = 100 °C. Напруга насичення Vce(sat) – 1,8 В, макс. 2,2 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C). Вхідна ємність Cies типово 1500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц). Потужність розсіювання – 250 Вт при TC = 25 °C, максимальна температура переходу – 150 °C. Рекомендована частота перемикання – 2–20 кГц.
Стан – оригінал, не демонтаж. Підбираючи заміну, порівнюйте напругу Vce, струм Ic при TC = 100 °C, Vce(sat), заряд затвора Qg (125 нКл при VCE = 600 В, IC = 20 А, VGE = 15 В) і наявність вбудованого діода, а також корпус та розпіновку. Взаємозамінність перевіряйте самостійно за datasheet. Відправляємо з Запоріжжя Новою поштою в день оплати або наступного дня.
Де застосовують
- Індукційний нагрів
Чим замінити 20T135QR1?
Шукайте IGBT у корпусі TO-247 з вбудованим діодом, напругою Vce не нижче 1350 В і струмом Ic не нижче 20 А при TC = 100 °C. Взаємозамінність перевіряйте самостійно, порівнюючи datasheet.
Це оригінальна деталь чи демонтаж?
Оригінал, не демонтаж.
Чи є у транзистора вбудований діод?
Так. Це RC IGBT зі зворотною провідністю, пряма напруга діода Vf – 1,95 В, макс. 2,3 В (IF = 20 А, TC = 25 °C).
Для чого підходить 20T135QR1?
Для індукційного нагріву. Позначення Q у номері означає низькі втрати перемикання, рекомендована частота – 2–20 кГц.
Документація виробника: SGT20T135QR1P7 (Silan Microelectronics).
Доставка – Нова Пошта по всій Україні. Відправка в день оплати або наступного дня.
Оплата – Рахунок для ФОП і юросіб, оплата на картку, накладений платіж на Новій Пошті. Мінімальна сума замовлення – 200 грн.
Повернення – Протягом 14 днів приймаємо тільки нові деталі, які не встановлювалися, не паялися і товарний вигляд яких не пошкоджено. Вживані деталі (демонтаж б/в) перед відправкою завжди перевіряються і поверненню не підлягають.
Не впевнені, чи підійде?
Надішліть фото плати або маркування деталі – інженер підбере заміну й перевірить сумісність.
Запитати інженераЗ цим товаром купляють
Схожі товари
IGBT-транзистор 50T65FD1 оригінал ( SGT50T65FD1 , SGT50T65FD1PN )(Заміна для TGAN50N60SFD , 50N60SFD ) , TO-3P
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vces | 650 В |
| Струм колектора Ic (25 °C) | 100 А |
| Струм колектора Ic (100 °C) | 50 А |
| Імпульсний струм колектора Icm | 150 А |
| Розсіювана потужність Pd (25 °C) | 235 Вт |
| Напруга насичення Vce(sat) | 2.2 В тип. (Ic=50 А, Vge=15 В, Tc=25 °C) |
| Корпус | TO-3P |
| Вбудований діод | Vf 1.95 В (If=25 А), trr 33 нс |
| Стан | Оригінал |
IGBT-транзистор H25R1202 ( IHW25N120R2 ) оригінал демонтаж б/в, TO-247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип | Зворотно-провідний IGBT (soft switching) |
| Напруга Vce | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 50 А |
| Струм Ic (100 °C) | 25 А |
| Потужність Ptot (25 °C) | 365 Вт |
| Vce(sat) (тип., IC = 25 А, VGE = 15 В, 25 °C) | 1.6 В |
| Заряд затвора Qg | 60.7 нКл |
| Вхідна ємність Cies | 2342 пФ (Vce 25 В, f 1 МГц) |
| Vf діода (IF = 25 А, 25 °C) | 1.5 В |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
IGBT-транзистор H40R1203 ( IHW40N120R3 ) , TO247
В наявності
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер | IHW40N120R3 |
| Маркування | H40R1203 |
| Виробник | Infineon |
| Тип | IGBT-транзистор зі зворотно-провідним діодом |
| Напруга Vces | 1200 В |
| Струм Ic (25 °C) | 80 А |
| Струм Ic (100 °C) | 40 А |
| Vce(sat) | 1,55 В тип. (VGE = 15 В, IC = 40 А, Tvj = 25 °C) |
| Потужність Pd (25 °C) | 429 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 2708 пФ |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-247 |
Відгуки (0)
Тільки покупці, які увійшли на сайт і вже купили цей товар, можуть залишати відгуки.
Відгуки
Очистити фільтриВідгуків немає, поки що.