Транзистори
P35NF65 ( SVSP35NF65P7D3 ) оригінальний транзистор, TO247
В наявності
194,58 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, Super Junction |
| Напруга Vds | 650 В (Tj 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 85 мОм тип. / 100 мОм макс. (Vgs 10 В, Id 17,5 А, Tj 25 °C) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 139 нКл тип. (Vdd 520 В, Vgs 10 В, Id 35 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2923 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | TO-247 |
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Стан | Оригінал |
PTP04N04N оригінальний транзистор (заміна для FTP04N04N ) , TO220
В наявності
237,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | PIP |
| Тип каналу | N (Trench) |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (за кремнієм) | 206 А при TC = 25 °C |
| Струм Id (за корпусом) | 80 А при TC = 25 °C |
| Rds(on) | до 4.0 мОм при VGS = 10 В, ID = 80 А |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В |
| Заряд затвора Qg | 50.8 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2980 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт при TC = 25 °C |
| Tj макс. | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
SKD503T оригінальний транзистор, TO220
В наявності
107,16 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id (TC=25 °C) | 120 А (обмеження корпусу; за кремнієм 172 А) |
| Струм Id (TC=100 °C) | 109 А (за кремнієм) |
| Опір Rds(on) | 3.6 мОм тип., 4.5 мОм макс. (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В, тип. 3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 90 нКл (VGS=10 В, VDS=50 В, ID=20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 6772 пФ |
| Потужність Pd (TC=25 °C) | 227 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Час відновлення діода trr | 80 нс (IF=50 А, dI/dt=100 А/мкс) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Виробник | CRMICRO (China Resources Microelectronics) |
| Стан | Оригінал |
STFI40N60M2 ( 40N60M2 ) оригінал, I2PAKFP(TO-281)
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N, MDmesh M2 |
| Напруга Vds | 600 В (V(BR)DSS, VGS = 0, ID = 1 мА) |
| Струм стоку Id | 34 А (TC = 25 °C); 22 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0,088 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 17 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 57 нКл тип. (VDD = 480 В, ID = 34 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2500 пФ (Vds 100 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | від -55 до 150 °C |
| Корпус | I2PAKFP (TO-281) |
| Виробник | STMicroelectronics |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Біполярний транзистор BU931P ( BU931ZP , BU931 ) оригінал демонтаж, TO-3P
В наявності
164,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN Дарлінгтон |
| Напруга Vces | 500 В (Vbe = 0) |
| Напруга Vceo | 400 В (Ib = 0) |
| Струм колектора Ic | 15 А (піковий Icm 30 А) |
| Потужність Ptot | 135 Вт (Tc 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,6 В макс. (Ic 7 А, Ib 70 мА) |
| hFE | 300 мін. (Ic 5 А, Vce 10 В) |
| Час спаду tf | 0,5 мкс тип. (індуктивне навантаження, Ic 7 А, Ib 70 мА, Vcc 12 В) |
| Вбудований діод | є, Vf 2,5 В макс. (If 10 А) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Біполярний транзистор MD1802FX ( 1802FX , ST1802FX )
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга Vces | 1500 В (VBE = 0) |
| Напруга Vceo | 700 В (IB = 0) |
| Напруга Vebo | 9 В (IC = 0) |
| Струм колектора Ic | 10 А постійний (Icm 15 А, tp < 5 мс) |
| Потужність Ptot | 57 Вт (Tc = 25 °C) |
| Vce(sat) | 1,5 В макс. (Ic = 5 А, Ib = 1,25 А) |
| Час спаду tf | 0,2 мкс (Ic = 4 А, індуктивне навантаження) |
| Температура переходу | 150 °C |
| Корпус | ISOWATT218FX |
Комплект 6шт CRST041N08N оригінал, TO220
В наявності
410,31 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | CRMICRO |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Кількість у комплекті | 6 шт |
| Напруга Vds | 85 В |
| Струм стоку Id | 120 А (TC=25 °C, обмеження корпусом), 109 А (TC=100 °C, за кремнієм) |
| Rds(on) тип. | 3.4 мОм (VGS=10 В, ID=50 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Потужність Pd | 208 Вт (TC=25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 6050 пФ |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SK3313 ( K3313 ) оригінал (500V,12A), TO-220F
В наявності
104,81 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм стоку Id | 12 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0.50 Ом тип., 0.62 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 48 нКл (тип.; Vds 400 В, Vgs 10 В, Id 12 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 40 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | OSEN |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR2905 оригінал ( LR2905 ), D-PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 42 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 30 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 160 А |
| Rds(on) | 0,027 Ом (VGS = 10 В, ID = 25 А, макс.) |
| Qg | 48 нКл (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор SPW20N60S5 ( 20N60S5 ) оригінал (заміна для K20N60W , TK20N60W ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
159,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13 А, макс.) | 0.19 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.5 В |
| Заряд затвора Qg (VDD = 350 В, ID = 20 А, тип.) | 79 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 208 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор 07N60C3 ( SPA07N60C3 ) оригінал, TO220F
В наявності
122,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET |
| Виробник | Infineon |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0.25 мА) |
| Струм Id (25 °C) | 7.3 А (Tc 25 °C, версія SPA) |
| Струм Id (100 °C) | 4.6 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.54 Ом тип., макс. 0.6 Ом (VGS = 10 В, ID = 4.6 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 21 нКл тип., макс. 27 нКл (VDD = 480 В, ID = 7.3 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 790 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 32 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 110N7F6 ( STP110N7F6 ) оригінал (68V,110A) , TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип каналу | N |
| Серія | STripFET F6 |
| Напруга Vds | 68 В |
| Струм Id (25 °C) | 110 А |
| Струм Id (100 °C) | 80 А |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 0,0065 Ом (макс.), 0,0055 Ом (тип.) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2–4 В |
| Заряд затвора Qg | 100 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 5850 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 176 Вт |
| Макс. температура Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 20T135QR1 ( SGT20T135QR1P7 ) оригінал, TO247
В наявності
188,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Silan Microelectronics |
| Номер | SGT20T135QR1P7 |
| Напруга Vce | 1350 В (VGE = 0 В, IC = 1 мА) |
| Струм Ic (TC = 25 °C) | 40 А |
| Струм Ic (TC = 100 °C) | 20 А |
| Vce(sat) | 1,8 В, макс. 2,2 В (IC = 20 А, VGE = 15 В, TC = 25 °C) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 250 Вт |
| Вхідна ємність Cies | 1500 пФ (Vce 30 В, f 1 МГц) |
| Вбудований діод | є |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2N0608 ( SPB80N06S2-08 ) оригінал, TO263
В наявності
203,04 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Польовий транзистор, N-канал |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | D2PAK |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 В, ID = 1 мА, мін.) |
| Струм Id | 80 А при TC = 25 °C (обмежено виводами корпусу) |
| Rds(on) | 6,5 мОм (тип.), 8 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 58 А |
| Заряд затвора Qg | 72 нКл (тип.), 96 нКл (макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 2860 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 215 Вт при TC = 25 °C |
| Температура переходу | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2N3904 , to92
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 200 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Коефіцієнт підсилення hFE (мін.) | 100 (Vce 1 В, Ic 10 мА) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce 20 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N4401 , to92
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Напруга колектор–база Vcbo | 60 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 250 МГц (Vce 10 В, Ic 20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N4403 , to92
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга колектор–база Vcbo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга колектор–емітер Vceo | -40 В (Ta 25 °C) |
| Напруга емітер–база Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання Pd | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Гранична частота fT (мін.) | 200 МГц (Vce -10 В, Ic -20 мА, f 100 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N5551 , to92
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | NPN |
| Виробник | KEC |
| Напруга Vceo | 160 В (Ta 25 °C, Ib = 0) |
| Напруга Vcbo | 180 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | 600 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 80–250 (Vce 5 В, Ic 10 мА) |
| Vce(sat) | 0.2 В макс. (Ic 50 мА, Ib 5 мА) |
| fT | 100–300 МГц (Vce 10 В, Ic 10 мА, f 100 МГц) |
| Cob | 6 пФ макс. (Vcb 10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2N7000 (60V,0.2A,0.4W)
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм стоку Id | 0.2 А при Tamb 25 °C |
| Струм стоку імпульсний Idm | 0.5 А при Tamb 25 °C |
| Опір Rds(on), макс. | 5 Ом при VGS=10 В, ID=500 мА |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.8–3.0 В при ID=1 мА |
| Напруга затвор-витік Vgs, макс. | ±40 В |
| Потужність розсіювання | 400 мВт при Tamb 25 °C |
| Вхідна ємність Ciss, макс. | 60 пФ при VDS=25 В, VGS=0, f=1 МГц |
| Корпус | TO-92 |
| Тип каналу | N-канал, режим збагачення |
Транзистор 2SA1013 (160V;1A;0,9W;15M)
В наявності
10,81 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | Unisonic Technologies |
| Напруга Vceo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vcbo | -160 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -6 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -1 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 0.9 Вт (TO-92, Ta 25 °C) |
| hFE | 60–320 (Vce -5 В, Ic -200 мА; групи R, O, P) |
| Vce(sat) | -1.5 В макс. (Ic -500 мА, Ib -50 мА) |
| fT | 15–50 МГц (Vce -5 В, Ic -200 мА) |
| Cob | 35 пФ макс. (Vcb -10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1015 (50V;0,15A;0,4W;80M) , to92
В наявності
2,82 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | BLUE ROCKET |
| Напруга Vceo | -50 В |
| Напруга Vcbo | -50 В |
| Напруга Vebo | -5 В |
| Струм колектора Ic | -150 мА (постійний) |
| Потужність Pc | 400 мВт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 70–400 (Vce -6 В, Ic -2 мА; групи O 70–140, Y 120–240, GR 200–400) |
| Vce(sat) | -0.1 В тип., -0.3 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| fT | 80 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -1 мА) |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1020G ( 2SA1020G-Y-AB3-R ) оригінал, sot89
В наявності
34,78 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | UTC (Unisonic Technologies) |
| Напруга Vceo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vcbo | –50 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vebo | –5 В (TA 25 °C) |
| Струм колектора Ic | –2 А (TA 25 °C) |
| Потужність Pc | 500 мВт (SOT-89, TA 25 °C) |
| Tj max | 150 °C |
| hFE1 | 70–240 (Vce –2 В, Ic –0,5 А) |
| hFE2 (мін.) | 40 (Vce –2 В, Ic –1,5 А) |
| Vce(sat) макс. | –0,5 В (Ic –1 А, Ib –0,05 А) |
| Ємність Cob | 80 пФ (Vcb –10 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-89 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1268
В наявності
23,97 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -1 мА, мін.) |
| Напруга Vcbo | -120 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -100 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 300 мВт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 125 °C |
| hFE | 200–400 (група G), 350–700 (група L) при Vce -6 В, Ic -2 мА |
| fT | 100 МГц (тип.) при Vce -6 В, Ic -1 мА |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор 2SA1271Y (A1271)
В наявності
3,76 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга Vcbo | -35 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -800 мА (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 625 мВт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 100–320 (Vce -1 В, Ic -100 мА; клас Y 160–320) |
| Vce(sat) | -0,7 В макс. (Ic -500 мА, Ib -20 мА) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Ic -10 мА, Vce -5 В) |
| Вихідна ємність Cob | 19 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1273
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Виробник | KEC |
| Корпус | TO-92MOD |
| Напруга Vcbo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vceo | -30 В (Ta 25 °C) |
| Напруга Vebo | -5 В (Ta 25 °C) |
| Струм колектора Ic | -2 А (Ta 25 °C) |
| Потужність Pc | 1 Вт (Ta 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 100–320 (Vce -2 В, Ic -500 мА; клас O 100–200, клас Y 160–320) |
| Vce(sat) | -2,0 В макс. (Ic -1,5 А, Ib -0,03 А) |
| Гранична частота fT | 120 МГц тип. (Vce -2 В, Ic -500 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 48 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1492+2SC3856 ( A1492+C3856 ) оригінали
В наявності
345,92 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Sanken |
| Корпус | TO-3P |
| 2SA1492: тип | PNP |
| 2SC3856: тип | NPN |
| Напруга VCEO (обидва, Ta 25 °C) | 180 В |
| Струм колектора IC (обидва, Ta 25 °C) | 15 А |
| Потужність PC (обидва, Tc 25 °C) | 130 Вт |
| hFE (мін., IC 3 А, VCE 4 В) | 50 |
| VCE(sat) (макс., IC 5 А, IB 0,5 А) | 2,0 В |
| fT (тип., обидва) | 20 МГц |
| Tj (макс.) | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1625
В наявності
30,55 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Корпус | TO-92 |
| Напруга V(BR)CBO | -400 В (Ic -100 мкА, Ie 0) |
| Напруга V(BR)CEO | -400 В (Ic -1 мА, Ib 0) |
| Напруга V(BR)EBO | -7 В (Ie -100 мкА, Ic 0) |
| Імпульсний струм Icm | -0,5 А (Tamb 25 °C) |
| Потужність Pcm | 750 мВт (Tamb 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| hFE | 40–200 (Vce -5 В, Ic -50 мА; M 40–80, L 60–120, K 100–200) |
| Vce(sat) | -1 В макс. (Ic -100 мА, Ib -10 мА) |
| Гранична частота fT | 10 МГц тип. (Vce -10 В, Ic -10 мА) |
| Вихідна ємність Cob | 40 пФ тип. (Vcb -10 В, Ie 0, f 1 МГц) |
Транзистор 2SA1668 оригінал
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -200 В (Ic -25 мА, Ib 0) |
| Напруга Vcbo | -200 В |
| Напруга Vebo | -6 В |
| Струм колектора Ic | -2 А (постійний) |
| Потужність розсіювання | 25 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE мін. | 60 при Ic -0,7 А, Vce -10 В |
| Vce(sat) макс. | -1.0 В при Ic -0,7 А, Ib -0,07 А |
| fT | 20 МГц при Ie 0,2 А, Vce -12 В |
| Cob | 60 пФ при Vcb -10 В, f 1 МГц |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор 2SA1694
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -120 В (Ic -50 мА, Ib 0) |
| Струм колектора Ic | -8 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність Pd | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 50–180 при Ic -3 А, Vce -4 В |
| Vce(sat) | -1,5 В (макс.) при Ic -3 А, Ib -0,3 А |
| fT | 20 МГц (тип.) при Ie 0,5 А, Vce -12 В |
| Cob | 300 пФ (тип.) при Vcb -10 В, f 1 МГц |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор 2SA1695+2SC4468 оригінали
В наявності
376,94 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP (2SA1695) + NPN (2SC4468) |
| Корпус | TO-3P |
| Корпус (докладно) | TO-3P(N) |
| Напруга Vceo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 140 В (Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 10 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 100 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Частота fT | 20 МГц тип. (Vce 12 В, Ie 0,5 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1837 , TO220F
В наявності
27,26 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | PNP |
| Напруга Vceo | -230 В (Ic -10 мА, Ib 0, мін.) |
| Напруга Vcbo | -230 В |
| Струм колектора Ic | -1 А (постійний, Ta 25 °C) |
| Потужність розсіювання | 20 Вт (Tc 25 °C), 2 Вт (Ta 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE | 100–320 при Ic -100 мА, Vce -5 В |
| Vce(sat) макс. | -1.5 В при Ic -500 мА, Ib -50 мА |
| fT | 70 МГц при Ic -100 мА, Vce -10 В |
| Корпус | TO-220F |
Транзистор 2SA1941 + 2SC5198 ( A1941 + C5198 ) оригінали
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vceo | 120 В (Ic 10 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo | 140 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vebo | 6 В (Ic 1 мА, Tc 25 °C) |
| Струм Ic | 8 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pc | 80 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| hFE | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Vce(sat) | до 1.5 В (Ic 4 А, Ib 0,4 А) |
| Частота fT | 15 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1943+2SC5200 оригінали , ТО264
В наявності
305,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Toshiba |
| Тип | 2SA1943 – PNP, 2SC5200 – NPN |
| Напруга колектор–емітер Vceo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга колектор–база Vcbo | 230 В (2SA1943: -230 В) |
| Напруга емітер–база Vebo | 5 В (2SA1943: -5 В) |
| Струм колектора Ic | 15 А (2SA1943: -15 А) |
| Струм бази Ib | 1.5 А (2SA1943: -1.5 А) |
| Розсіювана потужність Pc | 150 Вт |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Коефіцієнт підсилення hFE(1) | 55–160 (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Гранична частота fT | 30 МГц (Vce 5 В, Ic 1 А) |
| Корпус | TO-3P(L) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор 2SA1962 + 2SC5242 ( A1962 + C5242 ) оригінали
В наявності
413,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип 2SA1962 | PNP |
| Напруга Vceo (2SA1962) | -230 В (Ic -50 мА, Tc 25 °C) |
| Напруга Vcbo (2SA1962) | -230 В (Tc 25 °C) |
| Струм Ic (2SA1962) | -15 А (Tc 25 °C) |
| Потужність Pd (2SA1962) | 130 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| hFE1 (2SA1962) | 55–160 (Vce -5 В, Ic -1 А) |
| fT (2SA1962) | 30 МГц (тип., Vce -5 В, Ic -1 А) |
| Корпус | 2-16C1A (код Toshiba) |
| Виробник | Toshiba |
| Стан | Оригінал |