Магазин
Транзистор IRF3205 оригінал ( Заміна для CEP3205 , HRF3205 , KEP3205 , SSF5508 ), TO220
В наявності
58,28 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 110 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 80 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 8,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 62 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 146 нКл макс. (ID = 62 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3247 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2807 оригінал (75V,82A,230W,0.013R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID при 25 °C | 82 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID при 100 °C | 58 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Опір RDS(on) | 13 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл макс. (ID = 43 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3820 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга VGS | ±20 В макс. |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF2804 оригінал (40V,75A),TO220
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id, обмеження кремнієм (TC = 25 °C) | 270 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 190 А (VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id, обмеження корпусом (TC = 25 °C) | 75 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 1080 А |
| Rds(on), TO-220 | 2.3 мОм макс., типово 1.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл, макс. 240 нКл (ID = 75 А, VDS = 32 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 6450 пФ |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 75 А, VGS = 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 56 нс, макс. 84 нс (Tj 25 °C, IF = 75 А, VDD = 20 В, di/dt = 100 А/мкс) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1407 оригінал (75V;130A;330W,0.0078R)(Заміна для DH3205A ),TO220
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 130 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 92 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 520 А |
| Rds(on) | 7.8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 78 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл, макс. 250 нКл (ID = 78 А, VDS = 60 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5600 пФ (Vds 25 В) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Напруга вбудованого діода Vsd | 1.3 В макс. (Tj 25 °C, IS = 78 А, VGS = 0 В) |
| Час зворотного відновлення діода trr | 110 нс, макс. 170 нс (Tj 25 °C, IF = 78 А, di/dt = 100 А/мкс) |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1405 оригінал (55V;169A;330W,0.0053R)
В наявності
94,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга стік-витік V(BR)DSS | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 169 А (VGS = 10 В; обмеження корпусу 75 А) |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 118 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм стоку | 680 А |
| Rds(on) | 5.3 мОм макс., типово 4.6 мОм (VGS = 10 В, ID = 101 А, Tj 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 170 нКл, макс. 260 нКл (ID = 101 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5480 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Розсіювана потужність Pd | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Напруга затвор-витік | ±20 В |
| Робоча температура переходу | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRF1404 оригінал, TO220
В наявності
66,27 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 202 А |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 143 А |
| Імпульсний струм IDM | 808 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 121 А) | 0,004 Ом (тип. 0,0035) |
| Порогова напруга VGS(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 131 нКл (макс. 196) |
| Вхідна ємність Ciss | 5669 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 333 Вт |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Енергія лавини EAS | 620 мДж |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,45 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 7-го покоління |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRF1010E (Заміна для IRF1010N ) оригінал демонтаж(60V,84A)
В наявності
37,13 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм ID (TC = 25 °C, VGS = 10 В) | 84 А (обмеження корпусом 75 А) |
| Струм ID (TC = 100 °C, VGS = 10 В) | 59 А |
| Імпульсний струм IDM | 330 А |
| RDS(on) макс. (VGS = 10 В, ID = 50 А) | 12 мОм |
| Потужність PD (TC = 25 °C) | 200 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 3210 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік VGS | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Тепловий опір перехід-корпус макс. | 0,75 °C/Вт |
| Корпус | TO-220 |
| Тип | N-канал, HEXFET 5-го покоління |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор MDF9N50 оригінал демонтаж (заміна для FQPF9N50C , FQPF9N50CF , 9N50 , FQPF5N50C , 5N50C ), TO220F
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 9.0 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 5.5 А |
| Опір Rds(on) | 0.72 Ом тип., 0.85 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл тип. (VDS = 400 В, ID = 9.0 А, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 780 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність розсіювання Pd | 38 Вт (Tc 25 °C) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SVF7N65F ( FQPF7N65C ) оригінал , TO220F
В наявності
79,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 650 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 7 А |
| Струм Id (100 °C) | 4.2 А |
| Rds(on) | 1.4 Ом макс., 1.2 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 3.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 28 нКл тип., 36 нКл макс. (Vds = 520 В, Id = 7 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 955 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 52 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF4N90C оригінал, TO220F
В наявності
88,83 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vdss | 900 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id (25 °C) | 4 А |
| Струм Id (100 °C) | 2.3 А |
| Rds(on) | 4.2 Ом макс., 3.5 Ом тип. (Vgs = 10 В, Id = 2 А) |
| Заряд затвора Qg | 17 нКл тип., 22 нКл макс. (Vds = 720 В, Id = 4 А, Vgs = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА) |
| Vgss | ±30 В |
| Потужність Pd | 47 Вт (25 °C) |
| Корпус | TO-220F |
| Виробник | onsemi (ex Fairchild) |
| Робоча температура переходу і зберігання | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDPF18N50 оригінал ( заміна для FQPF18N50 ) , TO220F
В наявності
164,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В |
| Струм Id | 18 А (Tc 25 °C), 10.8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.220 Ом тип. / 0.265 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 9 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. / 60 нКл макс. (Vds 400 В, Id 18 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 58 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор TSF13N50M оригінал ( TSF13N50 , FQPF13N50C , NS13N50C , STF13NK50Z , SVF13N50F , MDF13N50B , STP12NM50FP , STF12NM50N , MDF12N50F , FQPF11N50CF , 12N50E , FMV12N50E ), TO220F
В наявності
173,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Truesemi |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25 °C) |
| Струм Id | 13 А (Tc 25 °C), 8 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.40 Ом тип. / 0.48 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 6.5 А) |
| Заряд затвора Qg | 45 нКл тип. (Vds 400 В, Id 13 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 2400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.0–5.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 48 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FHF10N60 оригінал ( Заміна для FQPF10N60C , FDPF10N60NZ , TMPF10N60 , RS10N60F , TSF10N60M , TF10N60 , AOTF10N60 , HM10N60F , 10NM60N , STP10NM60N , STF10NM60N , IPA50R800CE , 2SK2645 ), TO220F
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | FeiHong |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 600 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 10 А (Tc 25 °C), 6.2 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.68 Ом тип., 0.85 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5 А) |
| Qg | 37.2 нКл тип. (Vds 480 В, Id 5 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1570 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 50 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FQPF10N20C , TO220F
В наявності
43,71 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | Fairchild Semiconductor (onsemi) |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vdss | 200 В (VGS = 0, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 9.5 А (TC = 25 °C); 6.0 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.36 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 4.75 А) |
| Потужність Pd | 38 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 395 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FP50N06 ( RFP50N06 )(Заміна для FQP50N06 , WFP50N06 , CEP50N06 , KIA50N06 , SW50N06 , SFP50N06 , FIR50N06P , HM50N06P ), TO220
В наявності
53,11 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (MegaFET) |
| Виробник | onsemi |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 60 В (TJ = 25…150 °C) |
| Струм Id | 50 А (за рис. 2 datasheet) |
| Rds(on) | 0.022 Ом макс. (ID = 50 А, VGS = 10 В) |
| Потужність Pd | 131 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 2020 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2–4 В (VGS = VDS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+175 °C |
Транзистор FQP4N90C ( 4N90C ) , TO220
В наявності
98,70 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (QFET) |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 900 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 4 А (TC = 25 °C); 2.3 А (TC = 100 °C) |
| Rds(on) | 4.2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2 А) |
| Потужність Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 3.0–5.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Температура Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FMH23N50E ( 23N50E ) оригінал(500V,23A) , TO-3P
В наявності
198,34 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Fuji Electric |
| Корпус | TO-3P |
| Напруга Vds | 500 В (Tc 25 °C) |
| Струм Id | 23 А (Tc 25 °C, безперервний) |
| Rds(on) | 0.21 Ом тип., 0.245 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 11.5 А) |
| Qg | 93 нКл тип., 139.5 нКл макс. (Vcc 250 В, Id 23 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 3500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2.5–3.5 В, типово 3.0 В (Id 250 мкА) |
| Потужність Pd | 315 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор FDS9926A ( AP9926GM ) (20V,6.5A,2W)
В наявності
31,49 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Здвоєний MOSFET, N-канал, PowerTrench, 2.5 V specified |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | 20 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±10 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | 6.5 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | 20 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 30 мОм (Vgs 4.5 В, Id 6.5 А); 43 мОм (Vgs 2.5 В) |
| Заряд затвора Qg | 6.2 нКл тип., 9 нКл макс. (Vds 10 В, Id 3 А, Vgs 4.5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 650 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+150 °C |
Транзистор FDS9435A ( APM9435A ) (30V,5.3A,0.05R)
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, P-канал, PowerTrench |
| Виробник | onsemi (Fairchild) |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vdss | -30 В (TA 25 °C) |
| Напруга Vgss | ±25 В (TA 25 °C) |
| Струм Id, постійний | -5.3 А (TA 25 °C) |
| Струм Id, імпульсний | -50 А (TA 25 °C) |
| Опір Rds(on) | 42 мОм тип., 50 мОм макс. (Vgs -10 В, Id -5.3 А, TA 25 °C) |
| Заряд затвора Qg | 10 нКл тип., 14 нКл макс. (Vds -15 В, Id -4 А, Vgs -10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 528 пФ (f 1 МГц) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
Транзистор FDS8958A , so-8
В наявності
28,20 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Q1 N-канал + Q2 P-канал |
| Напруга Vdss Q1 | 30 В |
| Напруга Vdss Q2 | -30 В |
| Струм стоку Id Q1 | 7 А |
| Струм стоку Id Q2 | -5 А |
| Імпульсний струм Id (Q1 / Q2) | 20 / -20 А |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 10 В, Id 7 А) | 19 / 28 мОм |
| Rds(on) Q1 тип. / макс. (Vgs 4,5 В, Id 6 А) | 24 / 40 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -10 В, Id -5 А) | 42 / 52 мОм |
| Rds(on) Q2 тип. / макс. (Vgs -4,5 В, Id -4 А) | 65 / 80 мОм |
| Заряд затвора Qg Q1 тип. / макс. | 11,4 / 16 нК |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор FDS4935A (30V,7A,2W,0.035R)
В наявності
37,60 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | Подвійний P-канал |
| Напруга Vds | -30 В |
| Струм стоку Id (Ta 25 °C) | -7 А |
| Імпульсний струм Id | -30 А |
| Rds(on) тип. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 19 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -10 В, Id -7 А) | 23 мОм |
| Rds(on) тип. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 28 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs -4,5 В, Id -5,5 А) | 35 мОм |
| Заряд затвора Qg | 15 нК (макс. 21 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 1233 пФ (f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | -1…-3 В |
| Потужність Pd (обидва, Ta 25 °C) | 2 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Демонтаж
Транзистор FDP150N10 демонтаж, TO220
В наявності
108,10 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 100 В |
| Струм стоку Id (Tc 25 °C) | 57 А |
| Струм стоку Id (Tc 100 °C) | 40 А |
| Імпульсний струм Idm | 228 А |
| Rds(on) тип. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 12 мОм |
| Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 49 А) | 15 мОм |
| Заряд затвора Qg(tot) | 53 нК (макс. 69 нК) |
| Вхідна ємність Ciss | 3580 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Поріг Vgs(th) | 2,5–4,5 В |
| Потужність Pd (Tc 25 °C) | 110 Вт |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор FDP045N10A оригінал демонтаж(100V,164A,4.5mR) , TO220(Заміна для HY045N10P )
В наявності
188,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id | 164 А при Tc 25 °C (корпус обмежує до 120 А; 116 А при Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 3,8 мОм тип., 4,5 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 100 А |
| Заряд затвора Qg | 54 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3960 пФ (Vds 50 В, f 1 МГц) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0…4,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність Pd | 263 Вт при Tc 25 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Робоча температура Tj | -55…+175 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Корпус (докладно) | TO-220 (CASE 221A-09) |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор FDD8447 ( FDD8447L ) (40V,50A,44W,0.01R) , D-Pak
В наявності
27,73 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм стоку Id | 50 А (обмежено корпусом) |
| Rds(on) макс. | 8,5 мОм при Vgs 10 В, Id 14 А |
| Rds(on) макс. (4,5 В) | 11,0 мОм при Vgs 4,5 В, Id 11 А |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0…3,0 В при Vgs = Vds, Id 250 мкА |
| Потужність (за назвою) | 44 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Робоча температура Tj | -55…+150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор BUZ90AF (600V,4A),TO220F
В наявності
42,30 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (Tc = 30 °C) | 4 А |
| Опір відкритого каналу Rds(on) (Vgs = 10 В, Id = 2.8 А) | 2 Ом (макс.) |
| Порогова напруга Vgs(th) (Vgs = Vds, Id = 1 мА) | 2.1–4 В |
| Вхідна ємність Ciss (Vds = 25 В) | 780 пФ (тип.) |
| Вихідна ємність Coss (Vds = 25 В) | 110 пФ (тип.) |
| Прохідна ємність Crss (Vds = 25 В) | 40 пФ (тип.) |
| Корпус | TO-220F |
| Виводи | G, D, S (1, 2, 3) |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |
Транзистор BUZ77A
В наявності
56,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Siemens |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 600 В (VGS = 0 В, ID = 0,25 мА, Tj = 25 °C) |
| Струм Id | 2,7 А (TC = 31 °C) |
| Струм імпульсний | 11 А (TC = 25 °C) |
| Rds(on) | 4 Ом макс., типово 3,5 Ом (VGS = 10 В, ID = 1,7 А) |
| Vgs(th) | 2,1–4 В (VGS = VDS, ID = 1 мА) |
| Vgs | ±20 В (абсолютний максимум) |
| Потужність Pd | 75 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 460 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
Демонтаж
Транзистор BUK444-200A (200V, 4.7A , 25W , 0.5R) , TO220F демонтаж ( BUK444-200B , PHF9NQ20T )
В наявності
70,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 200 В |
| Струм Id (Ths = 25 °C) | 5,3 А (200A), 4,7 А (200B) |
| Струм Id (Ths = 100 °C) | 3,3 А (200A), 3,0 А (200B) |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3,5 А) | 0,4 Ом (200A, макс.), 0,5 Ом (200B) |
| Vgs(th) | 2,1–4,0 В |
| Потужність Pd (Ths = 25 °C) | 25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Напруга ізоляції | 1500 В |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Демонтаж б/в |
Транзистор BSH103 , sot23
В наявності
14,57 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал, збагачення (enhancement) |
| Напруга Vds | 30 В (макс., DC) |
| Струм стоку Id (DC) | 0.85 А (Ts = 80 °C) |
| Імпульсний струм стоку Idm | 3.4 А |
| Опір Rds(on) | 0.5 Ом макс. (Vgs = 2.5 В; Id = 0.5 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0.4 В мін. (Vds = Vgs; Id = 1 мА) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±8 В (макс., DC) |
| Розсіювана потужність Ptot | 0.5 Вт (Ts = 80 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 83 пФ (Vds 24 В, f 1 МГц) |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор BS170 , to92
В наявності
25,85 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (TA = 25 °C) | 500 мА |
| Струм Id імпульсний (TA = 25 °C) | 1200 мА |
| Rds(on) (макс., VGS = 10 В, ID = 200 мА) | 5 Ом |
| Vgs(th) | 0,8–3 В |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 830 мВт |
| Вхідна ємність Ciss | 24 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц) |
| Макс. температура переходу | 150 °C |
| Корпус | TO-92 |
Транзистор APM4015P , D-PAK (P5504EDG )
В наявності
40,42 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | P |
| Напруга Vds | –40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | –50 А |
| Струм Id (TC = 125 °C) | –39 А |
| Rds(on) (VGS = –10 В, ID = –17 А) | 0,012 Ом |
| Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –14 А) | 0,015 Ом |
| Qg (типово) | 60 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (f 1 МГц) |
| Vgs(th) | –1,0…–3,5 В |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 136 Вт |
| Макс. температура переходу | 175 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор APM4010N , D-PAK ( AOD454 , P2804BDG , STU428S , KMB054N40DB )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 40 В |
| Напруга Vgs | ±25 В |
| Струм Id | 85 А (TC = 25 °C, TJ = 175 °C; обмеження корпусом 110 А) |
| Опір Rds(on) | 0,0050 Ом (VGS = 10 В, ID = 30 А) |
| Заряд затвора Qg | 80 нКл тип. (VDS = 20 В, VGS = 10 В, ID = 20 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 2380 пФ (Vds 20 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 312 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор APM3055L
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | ANPEC |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 30 В |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Опір Rds(on) | 75 мОм тип., 100 мОм макс. (VGS=10 В, ID=12 А) |
| Поріг Vgs(th) | 1–3 В (VDS=VGS, ID=250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 8,5 нКл тип., 12 нКл макс. (VDS=15 В, VGS=10 В, ID=2 А) |
| Потужність Pd | 50 Вт (TO-252, TA 25 °C) |
| Температура переходу | 150 °C |
Транзистор AP9997GH ( 100V,11A,120mR ) , D-PAK
В наявності
31,96 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал |
| Виробник | APEC |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 11 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 7 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 8 А) | 120 мОм (макс.) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C) | 34,7 Вт |
| Заряд затвора Qg | 13 нКл тип., 21 нКл макс. (VDS = 80 В, VGS = 10 В, ID = 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ тип., 720 пФ макс. (VDS = 25 В, VGS = 0 В, f = 1,0 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор FHA40N50 ( FQA40N50 , 40N50 ) оригінал, TO-3P
В наявності
150,40 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 500 В |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Корпус | TO-3P |
| Стан | Оригінал |
Транзистор AP4525GEM , so-8
В наявності
32,43 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. (APEC) |
| Тип | Польовий транзистор, N+P канал |
| Напруга Vds (N / P канал) | 40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (N-канал) | 6 А при TA=25 °C (5 А при 70 °C) |
| Струм стоку Id (P-канал) | -5 А при TA=25 °C (-4 А при 70 °C) |
| Rds(on) N-канал | 28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А |
| Rds(on) P-канал | 42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 2.0 Вт при TA=25 °C |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±16 В |
| Робочий діапазон Tj | -55…150 °C |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор AP4525GEH (40V,15A/12A,10.4W) ( заміна для P2804ND5G )
В наявності
47,00 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Advanced Power Electronics Corp. (APEC) |
| Тип | Польовий транзистор, N+P канал |
| Напруга Vds (N / P канал) | 40 В / -40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм стоку Id (N-канал) | 15 А при TA=25 °C (12 А при 70 °C) |
| Струм стоку Id (P-канал) | -12 А при TA=25 °C (-10 А при 70 °C) |
| Rds(on) N-канал | 28 мОм макс. при VGS=10 В, ID=6 А |
| Rds(on) P-канал | 42 мОм макс. при VGS=-10 В, ID=-5 А |
| Потужність розсіювання Pd | 10.4 Вт |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±16 В |
| Робочий діапазон Tj | -55…150 °C |
| Корпус | TO-252-4L |
Транзистор AP4511GM (35V,7A,-6.1A,2W) , so-8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (два канали в одному корпусі) |
| Напруга Vds, N-канал | 35 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Напруга Vds, P-канал | -35 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Струм Id, N-канал | 7 А (TA 25 °C), 5,7 А (TA 70 °C) |
| Струм Id, P-канал | -6,1 А (TA 25 °C), -5 А (TA 70 °C) |
| Rds(on), N-канал | 18 мОм тип., 25 мОм макс. (VGS=10 В, ID=7 А) |
| Rds(on), P-канал | 32 мОм тип., 40 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-6 А) |
| Потужність Pd | 2,0 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | SO-8 |
Транзистор AP4511GED ( AP4511GD ) , DIP8
В наявності
117,50 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N + P (два канали в одному корпусі) |
| Напруга Vds, N-канал | 40 В (VGS=0 В, ID=250 мкА) |
| Напруга Vds, P-канал | -40 В (VGS=0 В, ID=-250 мкА) |
| Напруга Vgs | ±16 В |
| Струм Id, N-канал | 6,0 А (TA 25 °C), 5,0 А (TA 70 °C) |
| Струм Id, P-канал | -5,0 А (TA 25 °C), -4,0 А (TA 70 °C) |
| Rds(on), N-канал | 28 мОм макс. (VGS=10 В, ID=6 А) |
| Rds(on), P-канал | 42 мОм макс. (VGS=-10 В, ID=-5 А) |
| Потужність Pd | 2,0 Вт (TA 25 °C) |
| Корпус | DIP8 |
Транзистор AOP610 (30V,7.7A,-6.2A,2.3W) , DIP8
В наявності
45,12 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В |
| Струм Id N (TA 25 °C, VGS 10 В) | 7,7 А |
| Струм Id N (TA 70 °C) | 6,1 А |
| Струм Id P (TA 25 °C, VGS -10 В) | -6,2 А |
| Rds(on) N (VGS 10 В, ID 7,7 А) | 24 мОм макс., 20 мОм тип. |
| Rds(on) N (VGS 4,5 В, ID 4 А) | 42 мОм макс., 34 мОм тип. |
| Rds(on) P (VGS -10 В) | 37 мОм макс. |
| Заряд затвора Qg (N) | 11 нКл |
| Vgs(th) (N) | 1–3 В |
| Потужність Pd (N, TA 25 °C) | 2,3 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Канал | N + P (комплементарна пара) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |
Транзистор AOP605 ( P605 ), DIP8
В наявності
32,90 ₴| Параметр | Значення |
|---|---|
| Напруга Vds (N-канал) | 30 В |
| Напруга Vds (P-канал) | -30 В |
| Струм Id N (TA 25 °C, VGS 10 В) | 7,5 А |
| Струм Id N (TA 70 °C) | 6 А |
| Струм Id P (TA 25 °C, VGS -10 В) | -6,6 А |
| Rds(on) N (VGS 10 В, ID 7,5 А) | 28 мОм макс., 22,6 мОм тип. |
| Rds(on) N (VGS 4,5 В, ID 6 А) | 43 мОм макс., 33 мОм тип. |
| Rds(on) P (VGS -10 В, ID -6,6 А) | 35 мОм макс., 28 мОм тип. |
| Заряд затвора Qg (N) | 13,84 нКл |
| Vgs(th) (N) | 1–3 В |
| Потужність Pd (N, TA 25 °C) | 2,5 Вт |
| Tj max | 150 °C |
| Корпус | DIP8 |
| Канал | N + P (комплементарна пара) |
| Виробник | Alpha & Omega Semiconductor |