Магазин

IRFP460 транзистор TO-247, фото маркування

В наявності

143,82 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	20 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	13 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	80 А
Опір Rds(on)	0.27 Ом (Vgs = 10 В, Id = 12 А)
Заряд затвора Qg	210 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 20 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	4200 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	280 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP450 транзистор TO-247, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP450 ( IRFP450A ) оригінал , TO247

В наявності

149,46 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип	Польовий транзистор (MOSFET)
Канал	N-канал
Напруга Vds	500 В (Vgs = 0 В, Id = 250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	14 А (Vgs = 10 В, Tc = 25 °C)
Струм стоку Id (100 °C)	8.7 А (Vgs = 10 В, Tc = 100 °C)
Імпульсний струм Idm	56 А
Опір Rds(on)	0.40 Ом (Vgs = 10 В, Id = 8.4 А)
Заряд затвора Qg	150 нКл макс. (Vgs = 10 В, Id = 14 А, Vds = 400 В)
Вхідна ємність Ciss	2600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id = 250 мкА)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd	190 Вт (Tc = 25 °C)
Температура переходу Tj	-55…+150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP360 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Демонтаж

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP360 оригінал демонтаж, TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C)	23 А
Струм Id (Tc 100 °C)	14 А
Опір Rds(on)	0.20 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 14 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	210 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	4500 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	280 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал, демонтаж б/в

IRFP260N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP260N оригінал , TO247

В наявності

132,07 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	50 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	35 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 28 А)	0.04 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	234 нКл
Вхідна ємність Ciss	4057 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	300 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP250N MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP250N оригінал (200V,33A) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Напруга Vds	200 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	30 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	21 А
Rds(on) макс. (VGS 10 В, ID 18 А)	0.075 Ом
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg макс.	123 нКл
Вхідна ємність Ciss	2159 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd (TC 25 °C)	214 Вт
Vgs макс.	±20 В
Робоча температура переходу Tj	-55…+175 °C
Канал	N
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

IRFP240 MOSFET TO-247AC, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP240 оригінал (200V,20A,150W,0.18R) , TO247

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET N-канал
Виробник	Vishay
Напруга Vds	200 В
Струм Id (Tc 25 °C)	20 А
Струм Id (Tc 100 °C)	12 А
Опір Rds(on)	0.18 Ом (макс.) при VGS = 10 В, ID = 12 А
Vgs(th)	2.0–4.0 В
Qg	70 нКл (макс.)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність Pd	150 Вт при Tc 25 °C
Tj макс.	150 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP150N оригінал (100V,44A,155W,0.03R) , TO247

В наявності

107,16 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	100 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	42 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	30 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 23 А, Tj 25 °C)	0.036 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Id 22 А, Vgs 10 В)	110 нКл
Вхідна ємність Ciss	1900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	160 Вт
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFP064N оригінал (55V;110A), TO247

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Infineon
Тип каналу	N-канал, HEXFET
Напруга Vds (Vgs 0 В, Id 250 мкА)	55 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	110 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	80 А
Опір Rds(on) макс. (Vgs 10 В, Id 59 А, Tj 25 °C)	0.008 Ом
Заряд затвора Qg макс.	170 нКл
Вхідна ємність Ciss	4000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	200 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+175 °C
Корпус	TO-247
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFL214 (250V;0.79A;3.1W;2 Ohm) , SOT-223

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал, одинарний
Напруга Vds	250 В
Струм стоку Id (Tc 25 °C, Vgs 10 В)	0.79 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C, Vgs 10 В)	0.50 А
Опір Rds(on) (Vgs 10 В, Id 0.47 А)	2.0 Ом
Заряд затвора Qg макс. (Vgs 10 В)	8.2 нКл
Вхідна ємність Ciss	140 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2.0–4.0 В
Розсіювана потужність Pd (Tc 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Робоча температура переходу	-55…+150 °C
Корпус	SOT-223

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD220 (200V,0.8A,1W,0.8R), DIP4

В наявності

36,19 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	200 В
Струм Id (TA = 25 °C)	0.80 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.50 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.48 А, максимум)	0.80 Ом
Потужність Pd (TA = 25 °C)	1.0 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	14 нКл
Вхідна ємність Ciss	260 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFD110 (100V,1A,1W,0.5R), DIP4

В наявності

31,96 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	100 В
Струм Id (TA = 25 °C)	1.0 А
Струм Id (TA = 100 °C)	0.71 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 0.60 А, максимум)	0.54 Ом
Заряд затвора Qg (максимум)	8.3 нКл
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	DIP4 (HVMDIP, 4 виводи)

IRFBC40 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC40 оригінал

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Напруга Vds	600 В
Струм Id (TC = 25 °C)	6.2 А
Струм Id (TC = 100 °C)	3.9 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 3.7 А, максимум)	1.2 Ом
Потужність Pd (TC = 25 °C)	125 Вт
Заряд затвора Qg (максимум)	60 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Напруга Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRFBC30 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC30

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	3,6 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	2,3 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	2,2 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 2,2 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	74 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	660 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)

IRFBC20 N-канальний MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRFBC20 оригінал (N-,600V,2.2A,50W,4.4R)

В наявності

49,35 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, N-канал
Виробник	Vishay Siliconix
Корпус	TO-220
Напруга Vds	600 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	2,2 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	1,4 А (VGS = 10 В)
Rds(on)	4,4 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 1,3 А)
Vgs(th)	2,0…4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Розсіювана потужність	50 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF9Z34N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9Z34N оригінал

В наявності

57,34 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon
Корпус	TO-220
Напруга Vds	-55 В (VGS = 0 В, ID = -250 мкА, Tj 25 °C)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	-19 А (VGS = -10 В)
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	-14 А (VGS = -10 В)
Rds(on)	0,10 Ом макс. (VGS = -10 В, ID = -10 А, Tj 25 °C)
Vgs(th)	-2,0…-4,0 В (VDS = VGS, ID = -250 мкА)
Розсіювана потужність	68 Вт (Tc 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	620 пФ (f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF9Z24N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9Z24N оригінал

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-55 В
Струм стоку Id (25 °C)	-12 А
Струм стоку Id (100 °C)	-8.5 А
Імпульсний струм стоку Idm	-48 А
Опір Rds(on) макс.	0.175 Ом
Розсіювана потужність Pd	45 Вт
Заряд затвора Qg макс.	19 нКл
Вхідна ємність Ciss	350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Стан	Оригінал

IRF9640 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9640 (200V,11A), TO220

В наявності

47,00 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-11 А
Струм стоку Id (100 °C)	-6.8 А
Імпульсний струм стоку Idm	-44 А
Опір Rds(on)	0.50 Ом
Розсіювана потужність Pd	125 Вт
Заряд затвора Qg макс.	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	1200 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix

IRF9630 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9630 оригінал

В наявності

65,80 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vds	-200 В
Струм стоку Id (25 °C)	-6.5 А
Струм стоку Id (100 °C)	-4.0 А
Імпульсний струм стоку Idm	-26 А
Опір Rds(on) макс.	0.80 Ом
Розсіювана потужність Pd	74 Вт
Заряд затвора Qg макс.	29 нКл
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

FQF20N50D транзистор TO220F, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор FQF20N50D ( FQF20N50DFH , FQF20N50CF )( Заміна для ITA20N50R , HF20N50 , OSF20N50C , PTA20N50A , STP20NM50FP , P20NM50FP ) оригінал, TO220F

В наявності

164,50 ₴

Параметр	Значення
Виробник	ADL
Тип	MOSFET N-канал
Напруга Vds	500 В
Rds(on) при Vgs 10 В, Id 10 А	0,34 Ом макс. (типово 0,28 Ом)
Порогова напруга Vgs(th)	3,0–4,0 В
Заряд затвора Qg	71 нКл (типово)
Корпус	TO-220F
Стан	Оригінал

IRF9540N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9540N ( F9540N , IRF9540 ) оригінал, TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–23 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–16 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.117 Ом (VGS = –10 В, ID = –11 А)
Потужність Pd	140 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	97 нКл (ID = –11 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF9530N P-канальний MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF9530N ( F9530N ) оригінал, TO220

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, P-канал
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга Vds	–100 В (VGS = 0 В, ID = –250 мкА)
Струм стоку Id (25 °C)	–14 А (TC = 25 °C, VGS = –10 В)
Струм стоку Id (100 °C)	–10 А (TC = 100 °C, VGS = –10 В)
Опір Rds(on), макс.	0.20 Ом (VGS = –10 В, ID = –8.4 А)
Потужність Pd	79 Вт (TC = 25 °C)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Tj макс.	175 °C
Заряд затвора Qg, макс.	58 нКл (ID = –8.4 А, VDS = –80 В, VGS = –10 В)
Вхідна ємність Ciss	760 пФ (f 1 МГц)
Вбудований діод	є
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF840 ( IRF840A ) оригінал , TO220

В наявності

58,28 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	8.0 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	5.1 А
Rds(on) (VGS 10 В, Product Summary)	0.85 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1300 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	125 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF830 оригінал (Заміна для SVD830T )

В наявності

54,05 ₴

Параметр	Значення
Виробник	Vishay Siliconix
Тип каналу	N-канал
Корпус	TO-220
Напруга Vds	500 В
Струм стоку Id (TC 25 °C, VGS 10 В)	4.5 А
Струм стоку Id (TC 100 °C, VGS 10 В)	2.9 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 2.7 А, макс.)	1.5 Ом
Заряд затвора Qg макс. (VGS 10 В, ID 3.1 А, VDS 400 В)	38 нКл
Вхідна ємність Ciss	610 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Розсіювана потужність Pd (TC 25 °C)	74 Вт
Напруга Vgs	±20 В
Vgs(th) (VDS = VGS, ID 250 мкА)	2.0–4.0 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7822 (30V,18A,3.1W,0.005R) , so-8

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier (Infineon)
Тип каналу	N-канал
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм стоку Id (TA 25 °C, VGS 4.5 В)	18 А
Струм стоку Id (TA 70 °C, VGS 4.5 В)	13 А
Rds(on) макс. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	6.5 мОм
Rds(on) тип. (VGS 4.5 В, ID 15 А)	5.0 мОм
Заряд затвора Qg тип. (VGS 5.0 В, ID 15 А, VDS 16 В)	44 нКл
Вхідна ємність Ciss	5500 пФ
Розсіювана потужність Pd (TA 25 °C)	3.1 Вт
Напруга Vgs	±12 В
Температура Tj і Tstg	від −55 до 150 °C

IRF7478 транзистор SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7478 , so-8

В наявності

58,75 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET (SMPS)
Корпус	SO-8
Напруга Vds	60 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	7.0 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	5.6 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 4.2 А, макс.)	26 мОм
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.5 А, макс.)	30 мОм
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1740 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	International Rectifier (Infineon)

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7413 , so-8

В наявності

23,03 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	SO-8
Напруга Vds	30 В
Струм Id (Ta 25 °C, VGS 10 В)	13 А
Струм Id (Ta 70 °C, VGS 10 В)	9.2 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 7.3 А, макс.)	0.011 Ом
Rds(on) (VGS 4.5 В, ID 3.7 А, макс.)	0.018 Ом
Потужність Pd (Ta 25 °C)	2.5 Вт
Вхідна ємність Ciss	1800 пФ
Виробник	International Rectifier (Infineon)

IRF740 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF740 оригінал ( заміна для IRF740A ), TO220

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Корпус	TO-220
Напруга Vds	400 В
Струм Id (Tc 25 °C, VGS 10 В)	10 А
Струм Id (Tc 100 °C, VGS 10 В)	6.3 А
Rds(on) (VGS 10 В, ID 6.0 А, макс.)	0.55 Ом
Потужність Pd (Tc 25 °C)	125 Вт
Qg (макс.)	63 нКл
Вхідна ємність Ciss	1400 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Виробник	Vishay Siliconix
Стан	Оригінал

IRF7389 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7389 (F7389) (30V,7.3A,-5.3A,2.5W) , so-8

В наявності

23,97 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P (напівміст)
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	7.3 А / -5.3 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.5 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7380 (80V,3.6A,2W,0.073R) , so-8

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, два ключі в корпусі
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vdss	80 В
Струм Id	3.6 А при TA 25 °C, Vgs 10 В
Імпульсний струм Idm	29 А
Rds(on)	61 мОм тип., 73 мОм макс. при Vgs 10 В, Id 2.2 А
Заряд Qg	15 нКл тип., 23 нКл макс.
Вхідна ємність Ciss	660 пФ
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

IRF7319 MOSFET N+P SO-8, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF7319 (30V,6.5A,-4.9A,2W) , so-8

В наявності

39,48 ₴

Параметр	Значення
Тип	MOSFET, комплементарна пара N+P
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Корпус	SO-8
Напруга Vds (N / P)	30 В / -30 В
Струм Id (N / P)	6.5 А / -4.9 А при TA 25 °C
Імпульсний струм Idm	30 А / -30 А
Rds(on) N-канал	0.023 Ом тип., 0.029 Ом макс. при Vgs 10 В, Id 5.8 А
Rds(on) P-канал	0.042 Ом тип., 0.058 Ом макс. при Vgs -10 В, Id -4.9 А
Потужність Pd	2.0 Вт при TA 25 °C
Напруга Vgs	±20 В
Температура Tj, Tstg	-55…+150 °C

IRF730 транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF730 оригінал (400V,5.5A,100W,0.75R)

В наявності

136,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний Power MOSFET, 3-го покоління
Виробник	Vishay
Напруга VDS	400 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм ID (TC = 25 °C)	5,5 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	3,5 А (VGS = 10 В)
Імпульсний струм IDM	22 А
Опір RDS(on)	1,0 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 3,3 А)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	74 Вт
Заряд затвора Qg	38 нКл макс. (VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В)
Вхідна ємність Ciss	700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор HY3215W ( HY3215 ) (150V,130A) , TO247 оригінал

В наявності

154,63 ₴

Параметр	Значення
Виробник	HUAYI
Тип каналу	N
Напруга Vds	150 В (VGS = 0 В, IDS = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	130 А
Струм стоку Id (Tc 100 °C)	93 А
Опір Rds(on)	11.5 мОм тип., 14 мОм макс. (VGS = 10 В, IDS = 40 А)
Порогова напруга Vgs(th)	3 В мін., 4 В тип., 5 В макс. (VDS = VGS, IDS = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	135 нКл тип. (VDS = 100 В, VGS = 10 В, ID = 30 А)
Вхідна ємність Ciss	5925 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	349 Вт (Tc 25 °C)
Корпус	TO-247
Діапазон температур зберігання Tstg	–55…175 °C
Стан	Оригінал

IRF640N транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF640N оригінал (200V,18A,125W)

В наявності

56,40 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління
Виробник	Infineon (International Rectifier)
Напруга V(BR)DSS	200 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C)
Струм ID (TC = 25 °C)	18 А (VGS = 10 В)
Струм ID (TC = 100 °C)	13 А (VGS = 10 В)
Опір RDS(on)	0,15 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 11 А, Tj 25 °C)
Заряд затвора Qg	67 нКл макс. (ID = 11 А, VDS = 160 В, VGS = 10 В)
Вхідна ємність Ciss	1160 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Порогова напруга Vgs(th)	2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Напруга VGS	±20 В макс.
Потужність Pd (TC = 25 °C)	150 Вт
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF630N польовий транзистор, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF630N оригінал (200V,9A,0.4R,88W)

В наявності

39,95 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	200 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = 10 В)	9,3 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = 10 В)	6,5 А
Імпульсний струм Idm	37 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 5,4 А)	0,30 Ом (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	82 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	575 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF530N польовий транзистор TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF530N оригінал (100V,14A,88W) , TO220

В наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	N-канал
Напруга Vdss	100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C)	17 А
Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 9,0 А)	90 мОм (макс.)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	70 Вт
Корпус	TO-220
Вхідна ємність Ciss	920 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Стан	Оригінал

IRF5210 польовий транзистор TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF5210 оригінал (100V,40A,200W,0.06R) , TO220

В наявності

71,44 ₴

Параметр	Значення
Тип каналу	P-канал
Напруга Vdss	-100 В
Струм стоку Id (TC = 25 °C, VGS = -10 В)	-40 А
Струм стоку Id (TC = 100 °C, VGS = -10 В)	-29 А
Rds(on) (VGS = -10 В, ID = -24 А)	0,06 Ом (макс.)
Розсіювана потужність Pd (TC = 25 °C)	200 Вт
Вхідна ємність Ciss	2700 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц)
Напруга затвор-витік Vgs	±20 В
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF520N IRF520 MOSFET TO-220, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF520 ( IRF520N ) оригінал

В наявності

42,30 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET 5-го покоління
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	9,7 А
Струм Id (100 °C)	6,8 А
Rds(on)	0,20 Ом (VGS = 10 В, ID = 5,7 А, макс.)
Pd	48 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF510 оригінал

В наявності

44,65 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	5,6 А
Струм Id (100 °C)	4,0 А
Rds(on)	0,54 Ом (VGS = 10 В, ID = 3,4 А, макс.)
Pd	43 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	180 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF3710 оригінал (100V,57A)

В наявності

117,50 ₴

Параметр	Значення
Тип	N-канальний MOSFET, HEXFET
Напруга Vds	100 В
Струм Id (25 °C)	57 А
Струм Id (100 °C)	40 А
Rds(on)	23 мОм (VGS = 10 В, ID = 28 А, макс.)
Pd	200 Вт (TC = 25 °C)
Вхідна ємність Ciss	3130 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц)
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

IRF3704 MOSFET TO-220AB, фото маркування

Порівняти

Додати в обране

Транзистор IRF3704 оригінал

В наявності

52,17 ₴

Параметр	Значення
Виробник	International Rectifier
Напруга Vds	20 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА)
Струм стоку Id (Tc 25 °C)	77 А (VGS = 10 В)
Струм стоку Id (Tc 70 °C)	64 А (VGS = 10 В)
Опір Rds(on)	6.3 мОм тип., 9.0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 15 А)
Опір Rds(on) при 4.5 В	9.8 мОм тип., 13.5 мОм макс. (VGS = 4.5 В, ID = 12 А)
Порогова напруга Vgs(th)	1.0 В мін., 3.0 В макс. (VDS = VGS, ID = 250 мкА)
Заряд затвора Qg	19 нКл тип. (VDS = 10 В, VGS = 4.5 В, ID = 28.4 А)
Вхідна ємність Ciss	1996 пФ (Vds 10 В, f 1 МГц)
Потужність розсіювання Pd	87 Вт (Tc 25 °C)
Макс. температура переходу	175 °C
Корпус	TO-220
Стан	Оригінал

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Стан

Корпус

Категорії товарів

Ціна

Наявність

Магазин