Магазин
Демонтаж
Транзистор SPW20N60S5 ( 20N60S5 ) оригінал (заміна для K20N60W , TK20N60W ) демонтаж б/в, TO247
В наявності
159,80 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon |
| Тип каналу | N |
| Напруга Vds | 600 В |
| Струм стоку Id (TC = 25 °C) | 20 А |
| Струм стоку Id (TC = 100 °C) | 13 А |
| Опір Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 13 А, макс.) | 0.19 Ом |
| Порогова напруга Vgs(th) | 3.5–5.5 В |
| Заряд затвора Qg (VDD = 350 В, ID = 20 А, тип.) | 79 нКл |
| Вхідна ємність Ciss | 3000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Ptot (TC = 25 °C) | 208 Вт |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Транзистор SPP20N60C3 ( 20N60C3 ) оригінал демонтаж (650V,20.7A) , TO220(Заміна для SPP20N60CFD , 20N60CFD )
В наявності
155,10 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (CoolMOS) |
| Виробник | Infineon |
| Корпус | TO-220 |
| Vds | 650 В (при Tj max) |
| V(BR)DSS | 600 В мін. (Vgs 0 В, Id 0,25 мА) |
| Id при 25 °C | 20.7 А (Tc = 25 °C) |
| Id при 100 °C | 13.1 А (Tc = 100 °C) |
| Rds(on) | 0.19 Ом макс., тип. 0,16 Ом (Vgs 10 В, Id 13,1 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.1–3.9 В (Id 1000 мкА, Vgs = Vds) |
| Потужність Ptot | 208 Вт (Tc = 25 °C) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор SP8M3 (30V,5A,-4.5A,2W) , so-8
В наявності
44,65 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | один N-канал і один P-канал в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Vds N-канал | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Vds P-канал | –30 В (Ta = 25 °C) |
| Id N-канал | 5,0 А (Ta = 25 °C) |
| Id P-канал | –4,5 А (Ta = 25 °C) |
| Rds(on) N-канал | 36 мОм (тип.), 51 мОм (макс.) при Vgs 10 В, Id 5,0 А |
| Rds(on) P-канал | 40 мОм (тип.), 56 мОм (макс.) при Vgs –10 В, Id –4,5 А |
| Vgs(th) N-канал | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Vgs(th) P-канал | –1,0…–2,5 В (Vds –10 В, Id –1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SP8K3 , so-8
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | два N-канальні MOSFET в одному корпусі |
| Виробник | ROHM |
| Корпус | SO-8 |
| Напруга Vds | 30 В (Ta = 25 °C) |
| Струм Id | 7,0 А на транзистор (Ta = 25 °C) |
| Імпульсний струм | 28 А (Pw ≤ 10 мкс, шпаруватість ≤ 1 %) |
| Rds(on) при Vgs 10 В | 17 мОм (тип.), 24 мОм (макс.) |
| Rds(on) при Vgs 4,5 В | 23 мОм (тип.), 33 мОм (макс.) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В (Vds 10 В, Id 1 мА) |
| Потужність Pd | 2 Вт (Ta = 25 °C, на керамічній платі) |
| Вхідна ємність Ciss | 600 пФ |
| Vgs | ±20 В |
| Температура каналу | 150 °C |
Транзистор SI2302DS (A2SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип каналу | N-канал (enhancement) |
| Напруга Vds (Ta = 25 °C) | 20 В |
| Струм Id (Ta = 25 °C) | 2,8 А |
| Струм Id (Ta = 70 °C) | 2,2 А |
| Rds(on) (VGS = 4,5 В, ID = 3,6 А) | 45 мОм тип., 85 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 2,5 В, ID = 3,1 А) | 70 мОм тип., 115 мОм макс. |
| Порогова напруга Vgs(th) | 0,62 В мін., 0,95 В тип., 1,9 В макс. |
| Потужність Pd (Ta = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 300 пФ |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор SI2301DS (A1SHB) ,sot23
В наявності
5,64 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay (Siliconix) |
| Тип каналу | P-канал |
| Напруга Vds (TA = 25 °C) | –20 В |
| Струм Id (TA = 25 °C, TJ = 150 °C) | –2,3 А |
| Струм Id (TA = 70 °C, TJ = 150 °C) | –1,5 А |
| Rds(on) (VGS = –4,5 В, ID = –2,8 А) | 0,105 Ом тип., 0,130 Ом макс. |
| Rds(on) (VGS = –2,5 В, ID = –2,0 А) | 0,145 Ом тип., 0,190 Ом макс. |
| Потужність Pd (TA = 25 °C) | 1,25 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 415 пФ (f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±8 В |
| Корпус | SOT-23 |
Транзистор P3055LDG ( P3055LD ) оригінал, D-PAK
В наявності
31,96 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | UNIKC |
| Тип каналу | N-канал, логічний рівень (enhancement) |
| Напруга Vds | 25 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 12 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 8 А |
| Rds(on) (VGS = 10 В, ID = 12 А) | 50 мОм тип., 90 мОм макс. |
| Rds(on) (VGS = 5 В, ID = 12 А) | 70 мОм тип., 120 мОм макс. |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 48 Вт |
| Напруга Vgs | ±20 В |
| Заряд затвора Qg | 15 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 450 пФ (Vds 15 В) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор ME15N10 ( ME15N10-G , 15N10L ) оригінал, D-PAK
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Matsuki |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vds | 100 В |
| Струм Id | 14.7 А (Tc 25 °C); 13.6 А (Tc 70 °C) |
| Rds(on) | 100 мОм макс., 80 мОм тип. (Vgs 10 В, Id 8 А) |
| Vgs(th) | 1–3 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 24 нКл (Vds 80 В, Vgs 10 В, Id 10 А) |
| Вхідна ємність Ciss | 882 пФ (Vds 15 В, f 1 МГц) |
| Pd | 34.7 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDF11N65B оригінал ( MDF11N65BTH , 11N65 )( заміна для MMF65R600Q , 65R600Q , SMK0965G , SMK0965F , FQPF11N40C ) , TO220F
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-220F |
| Напруга Vds | 650 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 12 А (Tc 25 °C); 7.7 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0.65 Ом макс., 0.55 Ом тип. (Vgs 10 В, Id 6 А, 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Qg | 31 нКл тип. (Vds 520 В, Id 12 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1650 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Pd | 49.6 Вт (Tc 25 °C) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор MDD5N40 ( D5N40 , MDD5N40RH , MDIS5N40 ) оригінал, D-PAK
В наявності
94,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | MagnaChip |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Напруга Vdss | 400 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 3,4 А (Tc 25 °C); 2,15 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 1,2 Ом тип., до 1,6 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 1,7 А) |
| Vgs(th) | 3,0–5,0 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Pd | 45 Вт (Tc 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 290 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор KF9N25D ( KF9N25 ) оригінал ( заміна для FQD9N25 , TK8P25DA ) , D-PAK
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | KEC |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vdss | 250 В (Ta 25 °C) |
| Струм Id | 7,5 А (Tc 25 °C), 4,74 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 0,31 Ом тип., до 0,40 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 3,75 А) |
| Vth | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 14,5 нКл тип. (Vds 200 В, Id 9 А, Vgs 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 560 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 54,3 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор SVF7N60F оригінал (заміна для FQPF7N60C , FDPF7N60NZ , HM7N60F , SSS7N60A , FQF7N60C ) , TO220F
В наявності
56,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Hangzhou Silan Microelectronics |
| Напруга Vds | 600 В (TC 25 °C) |
| Струм Id (25 °C) | 7,0 А |
| Струм Id (100 °C) | 4,0 А |
| Rds(on) | 0,96 Ом типово (Vgs 10 В, Id 3,5 А) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Pd | 45 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 770 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220F |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IXFH26N50Q ( IXFH26N50 ) оригінал демонтаж(500V,26A,0.23R) , TO247
В наявності
282,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | IXYS |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 500 В (Tj 25…150 °C) |
| Струм Id25 | 26 А (Tc 25 °C) |
| Rds(on) | 0,20 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 0,5·Id25, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2,5–4,5 В (Vds = Vgs, Id 4 мА) |
| Заряд затвора Qg(on) | 95 нКл тип. |
| Вхідна ємність Ciss | 3900 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 300 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 150 °C |
| Час відновлення діода trr | 250 нс макс. |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRLZ44N оригінал (55V,47A,110W) , TO220
В наявності
69,09 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал, logic-level (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vds | 55 В (VGS = 0 V, ID = 250 µA) |
| Струм стоку Id | 47 А (TC = 25 °C, VGS = 10 V) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 33 А (TC = 100 °C, VGS = 10 V) |
| Rds(on) при 10 В | 0.022 Ом (VGS = 10 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 5.0 В | 0.025 Ом (VGS = 5.0 V, ID = 25 A) |
| Rds(on) при 4.0 В | 0.035 Ом (VGS = 4.0 V, ID = 21 A) |
| Vgs(th) | 1.0–2.0 В (VDS = VGS, ID = 250 µA) |
| Розсіювана потужність Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга Vgs | ±16 В (максимум) |
| Температура переходу Tj | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLR7833 , D-PAK
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 140 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 99 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 560 А |
| Rds(on) | 4,5 мОм (VGS = 10 В, ID = 15 А, макс.) |
| Qg | 50 нКл (VDS = 16 В, VGS = 4,5 В, ID = 12 А, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 4010 пФ |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR3410 , D-PAK
В наявності
32,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 100 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 17 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 12 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 60 А |
| Rds(on) | 0,105 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, макс.) |
| Qg | 34 нКл (ID = 9 А, VDS = 80 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 79 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
Транзистор IRLR2905 оригінал ( LR2905 ), D-PAK
В наявності
103,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET, логічний рівень керування затвором |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 42 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 30 А (VGS = 10 В) |
| Імпульсний струм Idm | 160 А |
| Rds(on) | 0,027 Ом (VGS = 10 В, ID = 25 А, макс.) |
| Qg | 48 нКл (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 5 В, макс.) |
| Вхідна ємність Ciss | 1700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Pd | 110 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLML2803TR , sot23
В наявності
8,46 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
| Напруга Vdss | 30 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID | 1,2 А (TA = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 0,25 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 0,91 А) |
| Потужність Pd | 540 мВт (TA = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 85 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
Транзистор HY1908P ( HY1908 ) оригінал,TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | HUAYI |
| Тип каналу | N-канал |
| Напруга Vds | 80 В (Vgs 0 В, Id 250 мкА, мін.) |
| Струм Id | 90 А (Tc 25 °C), 64 А (Tc 100 °C) |
| Rds(on) | 7 мОм тип., до 9 мОм макс. (Vgs 10 В, Ids 45 А) |
| Vgs(th) | 2–4 В (Vds = Vgs, Ids 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 86 нКл (тип.) |
| Вхідна ємність Ciss | 3800 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 185 Вт (Tc 25 °C) |
| Температура переходу Tj | 175 °C |
| Корпус | TO-220FB-3L |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRLB3034 оригінал, TO220
В наявності
150,40 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | MOSFET N-канал, логічний рівень керування (4,5 В) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 40 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА) |
| Струм ID (обмеження кристалом) | 343 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм ID (обмеження корпусом) | 195 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 1,4 мОм тип. / 1,7 макс. (VGS = 10 В, ID = 195 А, Tj = 25 °C) |
| Потужність Pd | 375 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 10315 пФ |
| Напруга затвор-витік Vgs | ±20 В |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
Транзистор IRL7833 (Заміна для IRL2203N ) оригінал демонтаж(30V,150A,3.8mR), TO220
В наявності
58,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 150 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 3,1 мОм типово, 3,8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,4–2,3 В |
| Qg | 32 нКл типово, 47 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 4170 пФ |
| Розсіювана потужність | 140 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор IRL3713 оригінал демонтаж(30V,260A) , TO220
В наявності
117,50 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 30 В |
| Струм стоку Id (25 °C), розрахунковий | 260 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Обмеження струму корпусом | 75 А |
| Rds(on) | 2,6 мОм типово, 3,0 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 38 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,5 В |
| Qg | 75 нКл типово, 110 нКл макс. (VGS = 4,5 В) |
| Розсіювана потужність | 330 Вт (TC = 25 °C) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал, демонтаж б/в |
Транзистор IRL3705N ( L3705N ) оригінал, TO220
В наявності
123,14 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET, N-канал, логічний рівень керування затвором |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | 55 В |
| Струм стоку Id (25 °C) | 89 А (TC = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм стоку Id (100 °C) | 63 А (TC = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on), макс. | 0,010 Ом (VGS = 10 В, ID = 46 А) |
| Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Розсіювана потужність | 170 Вт (TC = 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 3600 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRL2505 оригінал , TO220
В наявності
235,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET), логічний рівень |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 104 А |
| Струм Id (100 °C) | 74 А |
| Опір Rds(on) | 8 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 54 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 1,0–2,0 В |
| Заряд затвора Qg | 130 нКл макс. (VGS = 5 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 5000 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 200 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±16 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48V оригінал (60V,72A,150W),TO220(Заміна для IRFZ44V )
В наявності
126,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 60 В |
| Струм Id (25 °C) | 72 А |
| Струм Id (100 °C) | 51 А |
| Опір Rds(on) | 12 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 43 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 110 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1985 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 150 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ48N оригінал (55V,64A,130W,0.014R)
В наявності
79,90 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В |
| Струм Id (25 °C) | 64 А |
| Струм Id (100 °C) | 45 А |
| Опір Rds(on) | 14 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 32 А) |
| Порогова напруга Vgs(th) | 2,0–4,0 В |
| Заряд затвора Qg | 81 нКл макс. |
| Вхідна ємність Ciss | 1970 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Потужність Pd | 130 Вт (Tc = 25 °C) |
| Макс. Tj | 175 °C |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ46N оригінал (55V,53A,107W,0.0165R), TO220
В наявності
61,57 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 53 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 37 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 16,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 28 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 72 нКл макс. (ID = 28 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1696 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ44N оригінал (заміна для IRFZ42 , IRFZ40 ) , TO220
В наявності
47,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id | 49 А (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (100 °C) | 35 А (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) | 17,5 мОм макс. (VGS = 10 В, ID = 25 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 63 нКл макс. (ID = 25 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 1470 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ34N оригінал (55V,26A,56W,0.04R)
В наявності
37,60 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Корпус | TO-220 |
| Струм стоку Id (Tc = 25 °C, VGS = 10 В) | 29 А |
| Струм стоку Id (Tc = 100 °C, VGS = 10 В) | 20 А |
| Імпульсний струм Idm | 100 А |
| Розсіювана потужність Pd (Tc = 25 °C) | 68 Вт |
| Напруга Vdss | 55 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Rds(on) | 0,040 Ом макс. (VGS = 10 В, ID = 16 А, Tj 25 °C) |
| Qg | 34 нКл макс. (ID = 16 А, VDS = 44 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 700 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Температура переходу | -55…+175 °C |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFZ24N оригінал
В наявності
39,95 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vdss | 55 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 17 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 12 А |
| Імпульсний струм Idm | 68 А |
| Rds(on) | 0,07 Ом (VGS = 10 В, ID = 10 А, TJ = 25 °C, макс.) |
| Vgs(th) | 2,0–4,0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Потужність Pd (TC = 25 °C) | 45 Вт |
| Вхідна ємність Ciss | 370 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Tj max | 175 °C |
| Rth(j-c) | 3,3 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFU9024N , I-PAK (55V,11A,38W, 0.175R)
В наявності
42,30 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET P-канал |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 55 В (за модулем, максимум) |
| Струм Id | 11 А (при 25 °C, максимум) |
| Rds(on) | 0,175 Ом (VGS = 10 В, максимум) |
| Заряд затвора Qg | 19 нКл (макс., VGS = -10 В, Id = -7,2 А, Vds = -44 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 350 пФ (Vds -25 В, f 1 МГц) |
| Qgd | 10 нКл (макс.) |
| Потужність Pd | 38 Вт (максимум) |
| Tj max | 150 °C |
| Rth(j-c) | 3,3 °C/Вт (макс.) |
| Корпус | I-PAK (TO-251) |
Транзистор CS150N04 ( CS150N04A8 , 150N04 , FP150N04S , HFP150N04S ) оригінал , TO220(40V,150A)
В наявності
91,18 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | MOSFET N-канал |
| Виробник | Huajing Microelectronics |
| Напруга Vds | 40 В |
| Струм Id (TC = 25 °C) | 150 А |
| Струм Id (TC = 100 °C) | 90 А |
| Імпульсний струм Idm (TC = 25 °C) | 600 А |
| Опір Rds(on) | 4 мОм (тип.), до 4,5 мОм (макс.) при VGS = 10 В, ID = 50 А |
| Vgs(th) | 2,0–3,5 В |
| Qg | 160 нКл (тип.) при VGS = 10 В |
| Вхідна ємність Ciss | 8900 пФ (VDS = 25 В, f = 1,0 МГц) |
| Тепловий опір перехід–корпус | 0,83 °C/Вт (тип.) |
| Tj макс. | 150 °C |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Транзистор IRFR120N ( FR120N ) оригінал, D-PAK
В наявності
32,43 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Тип | N-канальний MOSFET (HEXFET) |
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Напруга Vds | 100 В (мін., Vgs 0 В, Id 250 мкА) |
| Струм стоку Id | 9,4 А (Vgs 10 В, TC 25 °C) |
| Rds(on) | 0,21 Ом макс. (Vgs 10 В, Id 5,6 А, Tj 25 °C) |
| Розсіювана потужність Pd | 48 Вт (TC 25 °C) |
| Вхідна ємність Ciss | 330 пФ (Vds 25 В, f 1 МГц) |
| Корпус | TO-252 (D-PAK) |
| Стан | Оригінал |
Демонтаж
