Магазин
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Процесор CTV222S-PRC1 ( PCA84C444P/168S1 )
В наявності
261,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | PCA84C444P/168S1 |
| Позначення модуля | CTV222S-PRC1 |
| Виробник | Philips Semiconductors (тепер NXP) |
| Призначення | 8-бітний мікроконтролер з екранним меню (OSD) і синтезатором налаштування (VST) |
| Корпус | SDIP42 |
| ШІМ для VST | 14 біт, один вихід |
| Додаткові ШІМ-виходи | 5 виходів по 6 біт |
| OSD | 2 рядки по 16 символів |
| Тип генератора OSD | LC |
| Робочий діапазон температур | −20…+70 °C |
Процесор CTV222S V1.3 ( PCA84C444P/504 )
В наявності
261,32 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Номер деталі | PCA84C444P/504 |
| Позначення модуля | CTV222S V1.3 |
| Виробник | Philips Semiconductors (тепер NXP) |
| Призначення | 8-бітний мікроконтролер з екранним меню (OSD) і синтезатором налаштування (VST) |
| Корпус | SDIP42 |
| Лінії вводу-виводу | 29 шт., квазідвонапрямлені |
| ШІМ для VST | 14 біт, один вихід |
| Додаткові ШІМ-виходи | 5 виходів по 6 біт |
| OSD | 2 рядки по 16 символів |
| Тип генератора OSD | LC |
| Робочий діапазон температур | −20…+70 °C |
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Демонтаж
Транзистор IRFB3077 оригінал (Заміна для IRFB3077G )(75V,210A), TO220
В наявності
141,00 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Infineon (International Rectifier) |
| Тип | N-канальний MOSFET, HEXFET |
| Напруга Vds | 75 В (VGS = 0 В, ID = 250 мкА, Tj 25 °C) |
| Струм Id (кристал) | 210 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (корпус) | 120 А (Tc 25 °C, VGS = 10 В) |
| Струм Id (кристал) при 100 °C | 150 А (Tc 100 °C, VGS = 10 В) |
| Rds(on) тип. | 2.8 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Rds(on) макс. | 3.3 мОм (VGS = 10 В, ID = 75 А, Tj 25 °C) |
| Vgs(th) | 2.0–4.0 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА) |
| Заряд затвора Qg | 160 нКл тип., 220 нКл макс. (ID = 75 А, VDS = 38 В, VGS = 10 В) |
| Вхідна ємність Ciss | 9400 пФ |
| Vgs макс. | ±20 В |
| Корпус | TO-220 |
| Стан | Оригінал |
Діод UF5408 (1000V,3A,75ns) , корпус DO-27
В наявності
11,75 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 3.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 150 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 3,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, Tj 25 °C, максимум) |
| Ємність переходу Cj | 36 пФ (4,0 В, 1 МГц, типове) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-201AD |
| Корпус (докладно) | DO-27 (у datasheet DO-201AD) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод UF4007 (1000V,1A,75ns)
В наявності
3,29 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | Vishay General Semiconductor |
| Максимальна зворотна напруга Vrrm | 1000 В (TA 25 °C) |
| Діюча напруга Vrms | 700 В (TA 25 °C) |
| Середній прямий струм If(av) | 1.0 А (виводи 9,5 мм, TA 55 °C) |
| Імпульсний прямий струм Ifsm | 30 А (напівсинусоїда 8,3 мс) |
| Пряме падіння напруги Vf | 1.7 В (If 1,0 А, TA 25 °C, максимум) |
| Час зворотного відновлення trr | 75 нс (If 0,5 А, Ir 1,0 А, Irr 0,25 А, TA 25 °C, максимум) |
| Температура Tj, Tstg | -55…+150 °C |
| Корпус | DO-41 (DO-204AL) |
| Конфігурація | одиночний |
Діод STTH6003CW оригінал, TO247
В наявності
169,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний, спільний катод |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм If(av) | 30 А на один діод (Tc 135 °C, δ 0,5); 60 А на корпус |
| Ударний прямий струм Ifsm | 300 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга Vf (макс.) | 1.0 В (IF 30 А, Tj 125 °C) |
| Час зворотного відновлення trr (макс.) | 55 нс (Tj 25 °C, IF 1 А, dIF/dt –50 А/мкс, VR 30 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Конфігурація | 2 діоди, спільний катод |
| Корпус | TO-247 |
| Стан | Оригінал |
Діод STTH30R03CG оригінал, D2PAK
В наявності
216,20 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діод швидкий (ultrafast), здвоєний, спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Зворотна напруга Vrrm | 300 В (повторювана імпульсна) |
| Середній прямий струм If(av) | 15 А на один діод, Tc 120 °C; 30 А на корпус |
| Ударний прямий струм Ifsm | 120 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга Vf | 1,9 В макс. (If 15 А, Tj 25 °C); 1,4 В макс. (If 15 А, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr | 35 нс макс. (Tj 25 °C, IF 1 А, dIF/dt –50 А/мкс, VR 30 В) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Стан | Оригінал |
Діод STTH2003CG оригінал, D2PAK
В наявності
110,45 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | STMicroelectronics |
| Тип | Діодна збірка швидкодіюча, 2 x 10 А, спільний катод |
| Корпус | D2PAK |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 300 В (на діод) |
| Середній прямий струм IF(AV) | 10 А на діод, 20 А на прилад (Tc 140 °C, δ = 0,5, D2PAK) |
| Ударний прямий струм IFSM | 110 А (tp 10 мс, синусоїда) |
| Пряма напруга VF | 1,25 В макс. (IF 10 А, Tj 25 °C); 1,0 В макс. (IF 10 А, Tj 125 °C) |
| Час відновлення trr | 25 нс макс. (IF 0,5 А, Irr 0,25 А, IR 1 А, Tj 25 °C) |
| Зворотний струм IR | 20 мкА макс. (VR 300 В, Tj 25 °C) |
| Макс. температура переходу Tj | 175 °C |
| Тепловий опір Rth(j-c) | 2,5 °C/Вт на діод |
| Стан | Оригінал |
Діод SF28 (600V,2A,35ns)( Заміна для SF18 )
В наявності
4,70 ₴
| Параметр | Значення |
|---|---|
| Виробник | JSCJ (Jiangsu Changjing Electronics Technology) |
| Тип | Діод швидкий (Super Fast Recovery), одиночний |
| Корпус | DO-15 |
| Повторювана зворотна напруга VRRM | 600 В |
| Середній прямий струм IF(AV) | 2,0 А (60 Гц напівсинусоїда, активне навантаження, TL 55 °C) |
| Ударний прямий струм IFSM | 50 А (60 Гц напівсинусоїда, 1 період, Ta 25 °C) |
| Пряма напруга VFM | 1,7 В макс. (IFM 2,0 А) |
| Час відновлення trr | 35 нс (IF 0,5 А, IR 1,0 А, Irr 0,25 А) |
| Зворотний струм IRRM | 5 мкА (TJ 25 °C), 50 мкА (TJ 125 °C), VRM = VRRM |
| Діапазон температур | -55…+150 °C |